F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計(jì)之比較

　　引言

　　高性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導(dǎo)體元器件的發(fā)展，同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費(fèi)者所耳熟能詳。

　　若系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠自動(dòng)化和電信到計(jì)量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中，要確定最適合的存儲(chǔ)器選擇，是一項(xiàng)重要的設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)。

　　本文將闡釋F-RAM 和 BBSRAM存儲(chǔ)器之間的功能差異和設(shè)計(jì)差異。本文還會(huì)特別強(qiáng)調(diào)F-RAM如何能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員提供具備成本優(yōu)勢和更簡化的系統(tǒng)及維護(hù)的前瞻性的環(huán)保選擇方案。

　　在許多數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，BBSRAM存儲(chǔ)器都扮演了重負(fù)荷芯片的角色。BBSRAM易于使用，耐久性高，寫入速度快，但它的最大缺點(diǎn)是需要電池。而電池既給環(huán)境造成有害影響，也給設(shè)計(jì)和系統(tǒng)帶來障礙。

　　而F-RAM是一種成熟的半導(dǎo)體技術(shù)，具有寫入速度極快、耐久性高和功耗超低等特性。F-RAM固有非易失性的特點(diǎn)，性能堪比SRAM，卻又無需電池，這些都在設(shè)計(jì)和功能方面為工程師提供了顯著的優(yōu)勢。

　　去掉電池還有助于工程師在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中節(jié)省空間。只要采用F-RAM，就不必為擔(dān)心電池受標(biāo)準(zhǔn)焊接工藝損害而對(duì)之進(jìn)行專門處理，從而節(jié)省成本。在當(dāng)今環(huán)保意識(shí)高漲的全球文化氛圍中，F(xiàn)-RAM無需電池更換和處理工序，減少了電池帶來的污染，是一種更為環(huán)保的解決方案。

　　下文將對(duì)F-RAM 和 BBSRAM進(jìn)行了比較分析，強(qiáng)調(diào)了這兩種存儲(chǔ)器選擇之間的功能和設(shè)計(jì)差異，以及它們對(duì)生態(tài)、成本和性能的相關(guān)影響。