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Crolles2聯(lián)盟開發(fā)的超高密度SRAM單元

  • 采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應(yīng)技術(shù) Crolles2聯(lián)盟在京都VLSI研討會(huì)上宣布的論文，為未來(lái)的低成本、低功耗、高密度消費(fèi)電路采用超小制程尺寸又添新選擇 　　日本京都 (2005年 VLSI 研討會(huì)) ， 2005年6月15日 – Crolles2聯(lián)盟今天宣讀一篇有關(guān)在正常制造條件下采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS體效應(yīng)技術(shù)和45納米設(shè)計(jì)規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*，這個(gè)單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。 　　Crolles2聯(lián)盟是由飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE: F
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Crolles2 聯(lián)盟合作研發(fā)先進(jìn)的CMOS圓晶封裝檢測(cè)技術(shù)

  • 　　Crolles2 聯(lián)盟成員飛思卡爾、飛利浦與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大了該聯(lián)盟的半導(dǎo)體合作研發(fā)活動(dòng)范圍，合作項(xiàng)目除最初的100-nm以下的CMOS制造工藝外還包括了相關(guān)的晶片檢測(cè)與封裝的研發(fā)活動(dòng)。 　　飛利浦半導(dǎo)體公司高級(jí)副總裁兼技術(shù)總監(jiān)Ren
  • 關(guān)鍵字： Crolles2  聯(lián)盟  封裝  
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