IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關(guān)應用達到最佳效果。

　　IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ)，同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導損耗，從而大大提高整體系統(tǒng)的效率。

　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件，與同類器件相比擁有更低的通態(tài)電阻，可實現(xiàn)卓越的效率及熱性能，適合于高密度DC-DC應用，如比D2PAK尺寸更小的服務器。另外，該器件還有助于節(jié)省電路板空間及整體系統(tǒng)的成本，因為在特定功率損耗下，它比現(xiàn)有解決方案使用更少的器件。”

　　此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現(xiàn)了改善的安全工作區(qū)(SOA)能力。該器件采用無鉛設計，并符合RoHS標準。

　　IRF6718是IR針對DC開關(guān)應用的25V DirectFET系列的衍生產(chǎn)品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關(guān)應用，并且在各自的PCB尺寸內(nèi)提供業(yè)界最佳的通態(tài)電阻。