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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求

在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代，如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。2020-2024年全球存儲器市場規(guī)模及增速富士通半導(dǎo)體（即將更名為RAMXEED）作為FeRAM產(chǎn)品全球兩個主要供應(yīng)商之一，只專注于高性能存儲器FeR
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【對話前沿專家】基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創(chuàng)新之路

_____隨著人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展，對算力和存儲的需求日益增長。傳統(tǒng)的計算架構(gòu)逐漸顯露出局限性，這促使學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界開始探索新的計算架構(gòu)和信息器件。在后摩爾時代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲和計算領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。泰克科技與北京大學(xué)集成電路學(xué)院聯(lián)合舉辦了一場學(xué)術(shù)交流訪談會，旨在探討高耐久性氧化鉿基鐵電晶體管（FeFET）器件及其在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用前景。在這次訪談交流中，講座主講人北京大學(xué)集成電路學(xué)院的唐克超老師分享了他們團(tuán)隊在鐵電材料和器件研究方面的最新成
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瞄準(zhǔn)智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲需求，F(xiàn)eRAM以獨(dú)特性能發(fā)力智能物聯(lián)時代增量市場

存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時代，存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計，自2019年以來，存儲器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè)，總體市場空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細(xì)分市場中，以FeRAM（鐵電存儲）和ReRAM（電阻式存儲）為代表的新型存儲器市場增速最快，將從5億美元增長到40億美元，年復(fù)合增長率達(dá)到42%，發(fā)展?jié)摿薮?。圖1 全球存儲器市場規(guī)模及增速（資料來源：YOLE）業(yè)界將相變存儲器、鐵電存儲器、磁
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未來新型存儲器技術(shù)將主導(dǎo)存儲器市場其中FeRAM有什么競爭優(yōu)勢

存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)和最大細(xì)分市場，約占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三分之一。智能時代的到來，將引起存儲行業(yè)的新一輪爆發(fā)。新的存儲器和存儲器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點(diǎn)已然將近。存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯(lián)時代的到來，人工智能、智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求，促使新型存儲器迅速發(fā)展，影響未來存儲器市場格局。新型存儲器是未來選擇據(jù)YOLE統(tǒng)計，2019年以來，存儲器成為
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非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM

本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前應(yīng)用于存儲
關(guān)鍵字： FeRAM MRAM OUM 非易失性存儲器

揚(yáng)長補(bǔ)短發(fā)展FeRAM

　　存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。　　易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
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feram介紹

　　FeRAM.它是利用鐵電薄膜的雙穩(wěn)態(tài)極化特性——電滯回線制備的非易失性存儲器，將鐵電薄膜技術(shù)與集成電路工藝相結(jié)合制作鐵電存儲器（FeRAM）是新興的邊緣學(xué)科-集成鐵電學(xué)中電引入矚目的研究方向。　　從目前的市場情況看，不揮發(fā)存儲器的市場增長速度已高于DRAM和SRAM。應(yīng)用需求主要在非接觸IC卡、智能卡、移動電話、掌上電腦、手提計算機(jī)、嵌入式微處理器等領(lǐng)域。不揮發(fā)存儲器最巨大的市場增長點(diǎn)在嵌入式 [ 查看詳細(xì) ]

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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求

【對話前沿專家】基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創(chuàng)新之路

瞄準(zhǔn)智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲需求，F(xiàn)eRAM以獨(dú)特性能發(fā)力智能物聯(lián)時代增量市場

未來新型存儲器技術(shù)將主導(dǎo)存儲器市場 其中FeRAM有什么競爭優(yōu)勢

非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM