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一款高三階交調(diào)點的GaAs射頻放大器
- 介紹了一款滿足于5G通信發(fā)展要求,工作頻率高增益,高線性度,高三階交調(diào)點的射頻放大器的設(shè)計。采用砷化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管(GaAs HBT)工藝,基于達林頓結(jié)構(gòu)進行設(shè)計。在原有結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,添加了偏置結(jié)構(gòu),一方面提高了放大器工作狀態(tài)的線性度,提高了三階交調(diào)點指標;另一方面保證晶體管工作電流在-55℃,125℃工作狀態(tài)下保持穩(wěn)定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz,輸出三階交調(diào)點達到40 dBm,線性度高,適用于5G通信信號處理系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字: 202306 射頻放大器 GaAs HBT 三階交調(diào)點 高線性度
一款應(yīng)用于Wi-Fi?6E設(shè)備的GaAs?HBT功率 放大器
- 摘要:針對WIFI 6E頻段的設(shè)備需求,設(shè)計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體 管(GaAs HBT)功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結(jié)構(gòu),采用自適應(yīng)偏置電路結(jié)構(gòu)解決HBT晶體管在 大功率輸入下偏置點變化及自熱效應(yīng)引起增益及線性度惡化的問題。測試結(jié)果表明,在5.9?GHz~7.2?GHz頻段 內(nèi),功率放大器增益>27?dB,輸出飽和功率>1?W,附加效率>24 %,芯片面積:1.24?mm×1.27?mm。關(guān)鍵詞:功率放大器;WIFI 6E;GaAs HBT近
- 關(guān)鍵字: 202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺:碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟型容易使用的通用InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品,適合各種不同的無線通信應(yīng)用。于DC到6,000MHz頻帶工作,Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅(qū)動放大器使用,這些面向移動通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用設(shè)計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛(wèi)星電視和機頂盒等各種其他無線通信應(yīng)
- 關(guān)鍵字: Avago 放大器 晶體管 HBT
Ge組分對SiGe HBT主要電學(xué)特性的影響
- 0 引言 SiGe基區(qū)異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術(shù)首次制作出SiGe基區(qū)HBT以來,SiGe集成電路的規(guī)模和電路的速度不斷發(fā)展,電流增益和頻率響應(yīng)等性能已經(jīng)接近或達到了化合物異質(zhì)結(jié)器件的水平。而SiGe異質(zhì)結(jié)技術(shù)和傳統(tǒng)的Si集成電路相比,在工藝上并未增加大的復(fù)雜性,且成本低于化合物半導(dǎo)體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過200 GHz電流增益峰值達到400的晶體管,并且低溫下fT達到200 GHz的SiGeHBT也
- 關(guān)鍵字: HBT
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