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HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管

  • 　　HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管 HVVi半導(dǎo)體推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管（HVVFET?），HVVi的新構(gòu)架為雷達(dá)和航空電子應(yīng)用提供頻帶、電壓以及功率級(jí)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了目前的雙極性和LDMOS技術(shù)的性能。這一具有革命性新的正在申請(qǐng)專利的技術(shù)使得HVVi達(dá)到了可與非硅芯片技術(shù)的性能級(jí)別，而其成本水平卻極具吸引力。 　　作為初始發(fā)布的一部分，HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構(gòu)架的最早三款產(chǎn)品。用于L-波段高功率脈沖RF應(yīng)用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三個(gè)新產(chǎn)品
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