HVVi推出首個高頻高電壓垂直場效應三極管

　　HVVi推出首個高頻高電壓垂直場效應三極管 HVVi半導體推出首個高頻高電壓垂直場效應三極管（HVVFET?），HVVi的新構架為雷達和航空電子應用提供頻帶、電壓以及功率級，遠遠超過了目前的雙極性和LDMOS技術的性能。這一具有革命性新的正在申請專利的技術使得HVVi達到了可與非硅芯片技術的性能級別，而其成本水平卻極具吸引力。

　　作為初始發(fā)布的一部分，HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構架的最早三款產品。用于L-波段高功率脈沖RF應用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三個新產品發(fā)揮了HVVFET工藝固有的優(yōu)勢，以及其緊湊的封裝提供高輸出功率和高增益，三款器件工作電壓均為48V。

　　主要系統(tǒng)優(yōu)勢

　　HVVi的新產品可以為雷達和航空電子系統(tǒng)節(jié)約30%的功耗，增益增加100%，耐用性增加了十倍，因此其性能具有顯著的優(yōu)勢。這些優(yōu)點直接反映到較低的工作成本以及支持新應用的能力。此外，該技術較低的熱阻抗以及較高的耐用性增加了可靠性，改善了MTBF。

　　從系統(tǒng)角度來看，HVVFET關于增益、效率、功率密度的性能優(yōu)點使設計者可以消除放大進程，不需功放（PA），降低了器件數(shù)，并減小了PCB空間需求。同事，該技術更高的耐用性使得雷達與航空器件設計者不需使用體積大而昂貴的隔離器，顯著的降低了系統(tǒng)重量、尺寸和成本。 HVVFET晶圓工藝還具有可擴展性極大優(yōu)點，通過簡單的增加晶圓尺寸，在相同的布局與設計情況下其性能支持較高的功率級，從而可支持廣泛的應用。設計的簡化還使公司可以在很短的90天內推出新產品。

　　用于航空電子的高性能

　　日前推出的三款期間定位于商用和軍用航空電子及地基雷達系統(tǒng)，所有產品工作電壓都在24V到48V。對于1030-1090MHz的L-波段脈沖應用，HVV1011-300工作在48V，當工作在50 ?s脈沖寬度周期為1 ms脈沖信號情況下，提供大于300W的脈沖輸出功率，15dB的增益及48%的效率。HVVFET構架中使用的垂直器件結構確保了高可靠性和耐用性，在全功率輸出所有的相角可承受20：1的VSWR。

　　價格與供貨

　　目前可提供評估套件以及小批量。HVV1214-025封裝為新穎的SMT，數(shù)量為1-24個時$135.69。HVV1214-100和HVV1011-300為業(yè)界標準的法蘭盤封裝。數(shù)量為1-24個時，HVV1214-100售價$226.15，HVV1011-3004售價$398.31。2008年第三季度開始量產。 詳情見：http://www.hvvi.com/news.html