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安森美半導(dǎo)體推出結(jié)合HighQ性能的IPD2工藝技術(shù)

  • 　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ™硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合設(shè)計高精度、高性價比的集成無源元件，用于便攜電子設(shè)備中的射頻(RF)系統(tǒng)級封裝應(yīng)用。 　　HighQ™ IPD2工藝是安森美半導(dǎo)體定制代工
  • 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體  IPD  HighQ  

安森美半導(dǎo)體推出HighQ™硅-銅集成無源器件

  • 安森美半導(dǎo)體宣布，將其先進(jìn)的制造工藝技術(shù)擴(kuò)大到HighQ™硅-銅集成無源器件(IPD)的制造服務(wù)領(lǐng)域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無源器件相比，這創(chuàng)新的8英寸晶圓技術(shù)比原來較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。 安森美半導(dǎo)體的HighQ™ IPD工藝技術(shù)是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無源器件制造的理想選擇。對于便攜和無線應(yīng)用，高性能等于延長電池壽命。 安森美半導(dǎo)體制造服務(wù)總經(jīng)理Rich Carruth說：“目前，為了向市場推出具有價格競爭力的
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