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東芝電子亮相PCIM Asia 2018，為客戶提供全方位系統(tǒng)級解決方案

  • 　　東芝電子(中國)有限公司(以下簡稱“東芝”)宣布，將參加2018年6月26日至28日于上海世博展覽館舉辦的上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia 2018)，本次展會上東芝將在2號館E01展位向現(xiàn)場觀眾展示其面向電力能源方面提供的尖端技術(shù)、產(chǎn)品以及系統(tǒng)級解決方案?！　∪涨?，國際能源署及聯(lián)合國聯(lián)合發(fā)布的《追蹤可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)七：能源進(jìn)展情況報告》中提及，中國對全球能耗降低做出了最大貢獻(xiàn)，貢獻(xiàn)率超過35%，作為可再生、無污染的清潔能源，中國的風(fēng)能、太陽能資源非常豐富，得益于中國政府采取的
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大功率器件IEGT的前世今生

  • 東芝大功率器件有悠久的歷史，從上世紀(jì)六十年代開始生產(chǎn)可控硅器件，上世紀(jì)八十年代在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)IGBT器件商業(yè)化，在上世紀(jì)九十年代率先商業(yè)化了壓接型的IGBT器件(PPI：Press Pack IGBT)，目前已經(jīng)開發(fā)了混合型SiC大功率器件并且得到商業(yè)應(yīng)用，后續(xù)將推出純SiC大功率器件。
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東芝2016媒體沙龍舉辦，在華產(chǎn)品重點一目了然

  • 　　“東芝媒體沙龍”今天在京舉行。東芝電子(中國)公司三大業(yè)務(wù)部門介紹了其優(yōu)勢產(chǎn)品及在華戰(zhàn)略。 　　閃存：看好工業(yè)和汽車，明年量產(chǎn)64層3D NAND Flash 　　存儲業(yè)務(wù)市場部高級經(jīng)理張會波稱，閃存中工業(yè)和汽車類增長很快。過去東芝主要面向手機(jī)和SSD卡，今后將轉(zhuǎn)型，在工業(yè)和汽車領(lǐng)域發(fā)力。 　　隨著芯片制程工藝接近極限，下一代主攻3D。很多人誤解，認(rèn)為東芝在3D方面走得較慢，實際上，東芝希望技術(shù)路線走得更加穩(wěn)妥、保守，盡管東芝有32層產(chǎn)品，但主打48層3D NAND，
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IEGT與SiC降低損耗

  • 　　東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機(jī)車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高?！　|芝是全球第一個商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導(dǎo)入了“門級注入增強”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊了東芝大功率IGBT的專用商標(biāo)---“IEGT”?！　|芝電子(中國)公司副董事長野村尚司　　目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

  • 　　日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品?！　≌故井a(chǎn)品簡介:　　1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)　　東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強”(IE：Inject
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

  • 　　日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品?！　|芝電子將展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)專利產(chǎn)品、Stack(壓接裝置)產(chǎn)品、SiC(混合型IEGT)產(chǎn)品、IPD +
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IGBT與IGCT、IEGT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用對比

  • IGBT與集成門極換流晶閘管IGCT對比受當(dāng)前技術(shù)水平限制，IGBT的工作電流相對較小，比較常用的中高壓大功率IGBT有...
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共7條 1/1 1

iegt介紹

　　IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強注入的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力 [ 查看詳細(xì) ]

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