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東芝電子亮相PCIM Asia 2018,為客戶提供全方位系統(tǒng)級解決方案
- 東芝電子(中國)有限公司(以下簡稱“東芝”)宣布,將參加2018年6月26日至28日于上海世博展覽館舉辦的上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia 2018),本次展會上東芝將在2號館E01展位向現(xiàn)場觀眾展示其面向電力能源方面提供的尖端技術(shù)、產(chǎn)品以及系統(tǒng)級解決方案?! ∪涨?,國際能源署及聯(lián)合國聯(lián)合發(fā)布的《追蹤可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)七:能源進(jìn)展情況報告》中提及,中國對全球能耗降低做出了最大貢獻(xiàn),貢獻(xiàn)率超過35%,作為可再生、無污染的清潔能源,中國的風(fēng)能、太陽能資源非常豐富,得益于中國政府采取的
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東芝2016媒體沙龍舉辦,在華產(chǎn)品重點一目了然
- “東芝媒體沙龍”今天在京舉行。東芝電子(中國)公司三大業(yè)務(wù)部門介紹了其優(yōu)勢產(chǎn)品及在華戰(zhàn)略。 閃存:看好工業(yè)和汽車,明年量產(chǎn)64層3D NAND Flash 存儲業(yè)務(wù)市場部高級經(jīng)理張會波稱,閃存中工業(yè)和汽車類增長很快。過去東芝主要面向手機(jī)和SSD卡,今后將轉(zhuǎn)型,在工業(yè)和汽車領(lǐng)域發(fā)力。 隨著芯片制程工藝接近極限,下一代主攻3D。很多人誤解,認(rèn)為東芝在3D方面走得較慢,實際上,東芝希望技術(shù)路線走得更加穩(wěn)妥、保守,盡管東芝有32層產(chǎn)品,但主打48層3D NAND,
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IEGT與SiC降低損耗
- 東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機(jī)車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領(lǐng)域,這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高?! |芝是全球第一個商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家,率先導(dǎo)入了“門級注入增強”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗,用該技術(shù)注冊了東芝大功率IGBT的專用商標(biāo)---“IEGT”?! |芝電子(中國)公司副董事長野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
- 日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布,將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕,東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品?! ≌故井a(chǎn)品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強”(IE:Inject
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
- 日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布,將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕,東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品?! |芝電子將展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)專利產(chǎn)品、Stack(壓接裝置)產(chǎn)品、SiC(混合型IEGT)產(chǎn)品、IPD +
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