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外媒:三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息,隨著移動設(shè)備功能的不斷增強,對內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報道,三星電子近日宣布,公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項,專為低功耗RAM市場設(shè)計,主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米,比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計,這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù),將LPDDR5X的厚度
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三星于聯(lián)發(fā)科技天璣旗艦移動平臺完成其最快LPDDR5X驗證
- 三星今日宣布,已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。三星半導(dǎo)體LPDDR5X移動內(nèi)存產(chǎn)品圖此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16GB LPDDR5X封裝規(guī)格,基于聯(lián)發(fā)科技計劃于下半年發(fā)布的天璣9400旗艦移動平臺進(jìn)行。兩家公司保持密切合作,僅用三個月就完成了驗證。"通過與聯(lián)發(fā)科技的戰(zhàn)略合作,三星已驗證了其最快的LPDDR5X DRAM,該內(nèi)存有望推動人工智能(AI)智能手機市場,"三星電子內(nèi)存產(chǎn)
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美光科技:全系列車規(guī)級內(nèi)存和存儲解決方案已通過高通驍龍驗證
- 4月22日,美光科技宣布,全系列車規(guī)級內(nèi)存和存儲解決方案已通過高通技術(shù)公司 Snapdragon? Digital Chassis? 平臺的驗證。美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存、通用閃存 UFS 3.1、Xccela? 閃存和四線串行外設(shè)接口 NOR 閃存已預(yù)先集成至包括Snapdragon? Cockpit 平臺、Snapdragon Ride? 平臺和 Snapdragon Ride? Flex 系統(tǒng)級芯片(SoC)在內(nèi)的新一代驍龍汽車解決方案和模塊中,致力于滿足當(dāng)前和未來日益增長的 AI 工作負(fù)載
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美光高性能內(nèi)存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機提升邊緣 AI 體驗
- 2024 年 3 月 1 日,中國上海 —— Micron Technology,Inc. (美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗。該手機支持 70 億參數(shù)的大語言模型(LLM)——“魔法大模型”(MagicLM),開創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心,在美光內(nèi)存和存儲的加持下,實現(xiàn)了升級版預(yù)測性和
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美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2內(nèi)存模塊,變革PC用戶體驗
- 2024 年 1 月 18 日,中國上海 —— Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAMM2),提供從 16GB 至 64GB 的容量選項,為 PC 提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計空間及模塊化設(shè)計。LPCAMM2 內(nèi)存模塊現(xiàn)已出樣,并計劃于 2024 年上半年量產(chǎn),這是自 1997 年業(yè)界采用小型雙列直插式內(nèi)存模塊(SODIMM)以來,客戶
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存:采用先進(jìn) 1β 工藝,15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息,美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存,采用先進(jìn) 1β 工藝,正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹,美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨,現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱,最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升,每個 die 容量為 16Gb。美光表示,隨著 LPDDR5X 的出樣,移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益,提升新一代智能手機的性能的同時,消
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8.5 Gbps!三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高
- 10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證,可在驍龍(Snapdragon?)移動平臺上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境,三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度,夯實了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存(DRAM)市場的推動者,三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機普及,使更多消費者能夠在移動設(shè)備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
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LPDDR5X標(biāo)準(zhǔn)與LPDRR5對比:帶寬增至8533Mbps
- 2021年7月28日,JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會于發(fā)布了關(guān)于 LPDDR5 內(nèi)存芯片的最新標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)準(zhǔn)號 JESD209-5B。新版標(biāo)準(zhǔn)針對目前已經(jīng)應(yīng)用的 LPDDR5 內(nèi)存提供了新的規(guī)格,提高了性能,降低了功耗以及增強了兼容性。此外,還包含下一代 LPDDR5X 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。新標(biāo)準(zhǔn)表示,LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高內(nèi)存速率和效率,適用于 5G 智能手機等產(chǎn)品。具體來看:(1)LPDDR5X 將實現(xiàn)最高 8533 Mbps 的速率;(2)信號 TX/RX 發(fā)射或接收需要有更高的完整性;(3)新增 Ad
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三星LPDDR5X內(nèi)存來了:比LPDDR5快約1.2倍
- 2022年3月3日 三星半導(dǎo)體官方微博宣布,三星首款基于14nm的LPDDR5X內(nèi)存已在高通驍龍移動平臺上驗證使用。三星表示,三星與高通公司密切合作,7.5Gbps的LPDDR5X用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍,有望在下一代智能手機上提升超高分辨率視頻錄制性能和語音識別、圖像識別、自然語言處理等人工智能功能。此外,三星LPDDR5X內(nèi)存采用先進(jìn)的電路設(shè)計和動態(tài)電壓頻率縮放,功耗可降低約20%。三星半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼內(nèi)存全球銷售和營銷
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用
- 今日三星宣布,高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM,并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來,三星與高通技術(shù)公司密切合作,優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X,用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍,有
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全球最小三通道反射式編碼器滿足高分辨率需求
- 編碼器的作用是提供位置和速度反饋,一般包括投射式編碼器、反射式編碼器及磁編碼器三種。其中反射式編碼器具有成本低、小型化及設(shè)計方便等優(yōu)點。Avago Technologies推出并已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)的AEDR-8500是目前業(yè)內(nèi)最小的ABI三通道、兼容TTL、高精度且支持高分辨率測量的反射式編碼器,非常合適應(yīng)用于閉環(huán)步進(jìn)及微型電機、3D打印、復(fù)印機、光柵尺、機器人手臂等等的工業(yè)、消費、醫(yī)療設(shè)備類目標(biāo)市場。 反射式編碼器AEDR-8500的產(chǎn)品規(guī)格和特征 在設(shè)計路線上,AEDR-8500由于具有高集
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lpddr5x-8500介紹
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