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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存:采用先進 1β 工藝,15% 能效提升

作者:孤城 時間:2022-11-02 來源:IT之家 收藏

IT 之家 11 月 1 日消息,今天發(fā)布了 ,采用先進 1β 工藝,正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202211/439890.htm

據(jù)官方介紹, 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨,現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了市場領(lǐng)先地位。官方稱,最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升,每個 die 容量為 16Gb。

美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存:采用先進 1β 工藝,15% 能效提升


美光表示,隨著 LPDDR5X 的出樣,移動產(chǎn)品將率先從 的提升中獲益,提升新一代智能手機的性能的同時,消耗更少的電力。

IT之家了解到,美光在日本廣島的工廠將量產(chǎn) 1β 工藝 DRAM。

不久前,三星電子也宣布其最新的 LPDDR5X DRAM 以 8.5Gbps 的業(yè)界最快速度通過了驗證,可在驍龍移動平臺上使用,該速度也超越了三星此前在 3 月份取得的 7.5Gbps 的最高速度。




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