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意法半導體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項目落地
- 意法半導體新推出了一款基于網(wǎng)絡(luò)的工具ST AIoT Craft，該工具可以簡化在意法半導體智能 MEMS 傳感器的機器學習內(nèi)核 (MLC)上開發(fā)節(jié)點到云端的 AIoT（物聯(lián)網(wǎng)人工智能）項目以及相關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置。MLC機器學習內(nèi)核是 ST MEMS 產(chǎn)品組合的專屬功能，能夠讓傳感器直接運行決策樹學習模型。MLC 能夠自主運行，無需主機系統(tǒng)參與，低延遲，低功耗，高效處理需要 AI 功能的任務(wù)，例如，分類和模式檢測。ST AIoT Craft 還集成了利用 MLC在傳感器內(nèi)實現(xiàn)AI的物聯(lián)網(wǎng)項目開發(fā)配置所需的全部步驟
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凌華科技全新多功能一體式醫(yī)療平板電腦，賦能醫(yī)療可視化
- 凌華科技發(fā)布基于第 11 代Intel? Core? 處理器的 MLC-M 醫(yī)療平板電腦，全新的多功能一體式醫(yī)療平板電腦 MLC-M，提供卓越的性能和多任務(wù)處理能力，可以輕松運行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等文檔應(yīng)用程序。MLC-M 既輕又薄，且功能強大，非常適合在應(yīng)用于醫(yī)療推車或護理站等移動型應(yīng)用場景。第 11 代Intel? Core? 處理器提供了強大的計算性能，可以輕松運行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等
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機器學習模型設(shè)計過程和MEMS MLC
- 開發(fā)機器學習項目的五個步驟 — 掌握要點，應(yīng)用并不困難！邊緣機器學習具有許多優(yōu)勢。 然而，由于開發(fā)方法與標準程序設(shè)計方法截然不同，許多機器學習開發(fā)者可能會擔心自己難以駕馭。其實，完全沒有必要擔心。一旦熟悉了步驟，并掌握了機器學習項目的要點，就能夠開發(fā)具有價值的機器學習應(yīng)用。此外，意法半導體（STMicroelectronics；ST）提供解決方案，以促進邊緣機器學習得到廣泛應(yīng)用發(fā)揮全部潛力。本文描述機器學習項目的必要開發(fā)步驟，并介紹了ST MEMS傳感器內(nèi)嵌機器學習核心（MLC）的優(yōu)勢。 圖一
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意法半導體推出高級iNEMO傳感器，為工業(yè)和消費應(yīng)用增添機器學習內(nèi)核的能效優(yōu)勢
- 近日，意法半導體推出最新的ISM330DHCX?和?LSM6DSRX?iNEMO?6軸慣性測量單元(IMU)，將動作檢測機器學習內(nèi)核(MLC)技術(shù)的優(yōu)勢擴大到工業(yè)和高端消費應(yīng)用領(lǐng)域。機器學習內(nèi)核(MLC)技術(shù)對動作數(shù)據(jù)執(zhí)行基本的AI預(yù)處理任務(wù)所用功耗，約為典型微控制器(MCU)完成相同任務(wù)所用功耗的千分之一。因此，集成這一IP技術(shù)的IMU傳感器可以減輕主MCU的處理負荷，延長情景感知和體感設(shè)備的電池續(xù)航時間，降低維護檢修成本，縮減產(chǎn)品體積和重量。繼去年推出首個MLC增強型商用
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NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
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東芝攜強大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展
- 日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，東芝攜其強勢產(chǎn)品和尖端技術(shù)參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會同期舉辦新聞發(fā)布會，推出促進人類智慧生活的四大應(yīng)用最新解決方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續(xù)“智社會 人為本”的企業(yè)理念，致力于打造放心、安全、舒適的社會。
- 關(guān)鍵字： 東芝 慕尼黑上海電子展 閃存 MLC MMC SLC BENAND
東芝：泄密了的閃存技術(shù)走勢
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
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NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構(gòu)，閃存仍舊是計算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
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三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司
- 據(jù)國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿(mào)易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。 申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
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