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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對(duì)低壓變換器（<120V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。因?yàn)闊o需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P溝道MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點(diǎn)，提升了成本效率。本文通過對(duì)N溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P溝道功率M
關(guān)鍵字： Littelfuse P溝道功率 MOSFETs

Nexperia(安世半導(dǎo)體)3月初宣布安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司著力擴(kuò)建的廣東新分立器件封裝和測(cè)試工廠正式投產(chǎn)，全廠總面積達(dá)到72,000 平方米，新增16,000 平方米生產(chǎn)面積，年產(chǎn)量達(dá)到900 億件;根據(jù)產(chǎn)品組合，實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)約50%，有力地支持了今后數(shù)年Nexperia 雄心勃勃的業(yè)務(wù)發(fā)展計(jì)劃。廣東新工廠的投產(chǎn)，使Nexperia 全年總產(chǎn)量超過1 千億件。本次新工廠投產(chǎn)的最大推動(dòng)力源于2016年中國(guó)的建廣資產(chǎn)以27.5億美元收購恩智浦（NXP）標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)，并以此為基礎(chǔ)組建了全新的Nexperia(
關(guān)鍵字： Nexperia 分立器件 MOSFETs 邏輯器件

　　市場(chǎng)人氣頗高的意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)MDmesh? M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產(chǎn)品能夠?yàn)榉?wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費(fèi)電子產(chǎn)品電源提供業(yè)內(nèi)最高能效的電源解決方案，在低負(fù)載條件下的節(jié)能效果尤為顯著，讓設(shè)計(jì)人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關(guān)式電源，同時(shí)輕松達(dá)到日益嚴(yán)格的能效目標(biāo)要求。　　新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合意法半導(dǎo)體經(jīng)過市場(chǎng)檢驗(yàn)的條形布局(strip layout)和全新改進(jìn)的垂直結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的擴(kuò)散工
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFETs

　　一、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)誕生于上世紀(jì)70年代，當(dāng)時(shí)主要受兩大因素驅(qū)動(dòng)：一是為計(jì)算機(jī)行業(yè)提供更符合成本效益的存儲(chǔ)器;二是為滿足企業(yè)開發(fā)具備特定功能的新產(chǎn)品而快速生產(chǎn)的專用集成電路。　　到了80年代，系統(tǒng)規(guī)范牢牢地掌握在系統(tǒng)集成商手中。存儲(chǔ)器件每3年更新一次半導(dǎo)體技術(shù)，并隨即被邏輯器件制造商采用。　　在90年代，邏輯器件集成電路制造商加速引進(jìn)新技術(shù)，以每2年一代的速度更新，緊跟在內(nèi)存廠商之后。技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)品性能增強(qiáng)之間不尋常的強(qiáng)相關(guān)性，使得相當(dāng)一部分系統(tǒng)性能和利潤(rùn)的控制
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體技術(shù) MOSFETs

　　一、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)誕生于上世紀(jì)70年代，當(dāng)時(shí)主要受兩大因素驅(qū)動(dòng)：一是為計(jì)算機(jī)行業(yè)提供更符合成本效益的存儲(chǔ)器;二是為滿足企業(yè)開發(fā)具備特定功能的新產(chǎn)品而快速生產(chǎn)的專用集成電路。　　到了80年代，系統(tǒng)規(guī)范牢牢地掌握在系統(tǒng)集成商手中。存儲(chǔ)器件每3年更新一次半導(dǎo)體技術(shù)，并隨即被邏輯器件制造商采用。　　在90年代，邏輯器件集成電路制造商加速引進(jìn)新技術(shù)，以每2年一代的速度更新，緊跟在內(nèi)存廠商之后。技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)品性能增強(qiáng)之間不尋常的強(qiáng)相關(guān)性，使得相當(dāng)一部分系統(tǒng)性能和利潤(rùn)的控制
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 MOSFETs

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MSL2164 MSL2166 PWM MOSFETs LED驅(qū)動(dòng)

摘要：通過分析設(shè)計(jì)，提出了一種新型結(jié)構(gòu)的疊柵MOSFET，它的柵電容是由兩個(gè)電容混聯(lián)組成，所以它有較小的柵電容和顯著的抑制短溝道效應(yīng)的作用。模擬軟件MEDICI仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論分析的預(yù)言，從而表明該結(jié)構(gòu)可用作射
關(guān)鍵字：研究結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) MOSFETs 疊柵

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