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MRAM：內(nèi)存的新潮流(下)

  • Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結(jié)構(gòu)，由兩個(gè)反向?qū)?zhǔn)的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個(gè)SAF位單元。SAF三明治結(jié)構(gòu)產(chǎn)生磁致電阻效應(yīng)的能力并不會(huì)因?yàn)樗幕旌鲜浇Y(jié)構(gòu)而受到影響。對(duì)準(zhǔn)和反對(duì)準(zhǔn)只取決于MTJ結(jié)構(gòu)兩側(cè)相對(duì)的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場(chǎng)為零
  • 關(guān)鍵字： 0702_A  MR2A16A  MRAM  消費(fèi)電子  雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  
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