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瑞薩率先推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對(duì)內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運(yùn)行速度高達(dá)每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應(yīng)商在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。瑞薩設(shè)計(jì)并推出三款全新關(guān)鍵組件：RRG
關(guān)鍵字：瑞薩 DDR5 MRDIMM 內(nèi)存接口芯片組

人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲(chǔ)器迎來(lái)了新一輪的發(fā)展契機(jī)，而與此同時(shí)，在服務(wù)器需求推動(dòng)下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開(kāi)始登上“歷史舞臺(tái)”。當(dāng)前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動(dòng)服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運(yùn)而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè) HBM MRDIMM MCRDIMM

美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應(yīng)對(duì)日益繁重的工作負(fù)載，從而最大化計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值。對(duì)于需要每個(gè)?DIMM?插槽內(nèi)存超過(guò)?128GB?的應(yīng)用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計(jì)算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當(dāng)前的?TSV RDI
關(guān)鍵字：美光 MRDIMM 低延遲主存數(shù)據(jù)中心

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