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現(xiàn)代半導(dǎo)體獲Ovonyx授權(quán) 加入PRAM研發(fā)陣營

PRAM內(nèi)存的處理速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于閃存，理論上其寫入數(shù)據(jù)速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達(dá)到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來高密度非易失性存儲(chǔ)器以及功能更強(qiáng)大的電子設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。三星電子、IBM、奇夢達(dá)、意法半導(dǎo)體以及英特爾公司，都在積極進(jìn)行PRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)。全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星公司稱，PRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)流程也比NOR flash產(chǎn)品簡單許多，三星公司于去年開發(fā)出了512MB的PRAM產(chǎn)品，預(yù)計(jì)最早可在2008年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外，IBM與多家內(nèi)存廠商合作，共同開發(fā)出一
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 現(xiàn)代 Ovonyx PRAM MCU和嵌入式微處理器

Ovonyx公司與奇夢達(dá)股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢達(dá)的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PCRAM）相關(guān)技術(shù)專利及知識產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存產(chǎn)品，簽訂長期交叉許可協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議規(guī)定，Ovonyx公司將大力支持奇夢達(dá)相變內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)項(xiàng)目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術(shù)，對PCRAM的情況非常了解，包括相變內(nèi)存設(shè)備、材料、加工、設(shè)計(jì)、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術(shù)采用可逆相變
關(guān)鍵字： Ovonyx 單片機(jī) 奇夢達(dá) 嵌入式系統(tǒng) 相變內(nèi)存技術(shù) 許可協(xié)議存儲(chǔ)器

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