現(xiàn)代半導體獲Ovonyx授權(quán) 加入PRAM研發(fā)陣營

PRAM內(nèi)存的處理速度遠遠快于閃存，理論上其寫入數(shù)據(jù)速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來高密度非易失性存儲器以及功能更強大的電子設備的出現(xiàn)成為可能。

三星電子、IBM、奇夢達、意法半導體以及英特爾公司，都在積極進行PRAM存儲產(chǎn)品的研發(fā)。

全球最大的存儲芯片制造商三星公司稱，PRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)流程也比NOR flash產(chǎn)品簡單許多，三星公司于去年開發(fā)出了512MB的PRAM產(chǎn)品，預計最早可在2008年實現(xiàn)量產(chǎn)。

此外，IBM與多家內(nèi)存廠商合作，共同開發(fā)出一種新的PRAM產(chǎn)品，其運算速度達到了普通閃存的500倍，而且耗電量減半。這于便攜式產(chǎn)品存儲來說意義重大，因為用戶不必再為自己的電池續(xù)航能力擔憂。

IBM表示，目前此技術(shù)還停留在原形開發(fā)階段，有望在2015年真正實現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)、用于消費類產(chǎn)品領(lǐng)域。