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Numonyx與Intel在相變存儲(chǔ)研究中取得關(guān)鍵性突破

  • 　　相變存儲(chǔ) (PCM) 是一項(xiàng)結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲(chǔ)產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點(diǎn)的非易失性內(nèi)存技術(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM 陣列的 64Mb 測(cè)試芯片，對(duì)于隨機(jī)存取非易失性存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)應(yīng)用而言，這些發(fā)現(xiàn)有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲(chǔ)裝置。 　　上述發(fā)現(xiàn)是 Numonyx 與 Intel 長(zhǎng)久以來(lái)共同進(jìn)行的一項(xiàng)研究計(jì)劃的成果，該計(jì)劃的目的著重于研究多層式或堆棧式 PCM 單元陣列。
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英特爾與恒憶公布突破性相變存儲(chǔ)器技術(shù)研究成果

  • 　　英特爾公司與恒憶(Numonyx B.V.)今天公布了一項(xiàng)突破性的相變存儲(chǔ)器(PCM)研究成果，這種新的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)結(jié)合了目前各種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。研究人員首次展示了能夠在單個(gè)硅片上堆疊或放置多個(gè)PCM陣列層的64Mb測(cè)試芯片。這些研究成果為制造更高容量、更低能耗的存儲(chǔ)器設(shè)備鋪平了道路，能夠?yàn)殡S機(jī)存取非易失性存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)應(yīng)用降低所占用的空間。 　　這項(xiàng)成果由恒憶和英特爾聯(lián)合開發(fā)，雙方一直在合作探索多層或堆疊式PCM單元陣列方面的研究。英特爾和恒憶的研究人員現(xiàn)在能夠展示垂直集成的存儲(chǔ)器單元PCMS(
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