英特爾與恒憶公布突破性相變存儲器技術(shù)研究成果

　　英特爾公司與恒憶(Numonyx B.V.)今天公布了一項(xiàng)突破性的相變存儲器(PCM)研究成果，這種新的非易失性存儲器技術(shù)結(jié)合了目前各種存儲器的優(yōu)勢。研究人員首次展示了能夠在單個硅片上堆疊或放置多個PCM陣列層的64Mb測試芯片。這些研究成果為制造更高容量、更低能耗的存儲器設(shè)備鋪平了道路，能夠?yàn)殡S機(jī)存取非易失性存儲器和存儲應(yīng)用降低所占用的空間。

　　這項(xiàng)成果由恒憶和英特爾聯(lián)合開發(fā)，雙方一直在合作探索多層或堆疊式PCM單元陣列方面的研究。英特爾和恒憶的研究人員現(xiàn)在能夠展示垂直集成的存儲器單元PCMS(相變存儲器與開關(guān))。PCMS由一個PCM元件和新型雙向閾值開關(guān)(OTS)以真正的交叉點(diǎn)陣列方式組成。堆疊多層PCMS陣列的能力提供了更高存儲器密度的可擴(kuò)展性，同時保持PCM的性能特征，而基于傳統(tǒng)存儲器技術(shù)則越來越難以實(shí)現(xiàn)。

　　英特爾院士、存儲器技術(shù)開發(fā)總監(jiān)Al Fazio表示：“我們繼續(xù)開發(fā)存儲器的相關(guān)技術(shù)，以推動計算平臺的進(jìn)步。這項(xiàng)里程碑式的研究成果令人振奮，我們認(rèn)為對于擴(kuò)展存儲器在計算解決方案中的作用以及提高性能和存儲器擴(kuò)展能力，PCMS等未來存儲器技術(shù)至關(guān)重要。”

　　恒憶公司高級技術(shù)院士Greg Atwood表示：“這項(xiàng)研究成果前景廣闊，使得未來為PCM產(chǎn)品開發(fā)密度更高、可擴(kuò)展的陣列和類NAND使用模式成為可能。傳統(tǒng)閃存技術(shù)面臨物理限制和可靠性問題，而從手機(jī)到數(shù)據(jù)中心等設(shè)備對存儲器的廣泛需求卻越來越高，因此這項(xiàng)成果意義重大。”

　　存儲器單元通過堆疊存儲元件和選擇器而制造，由幾個單元構(gòu)成存儲器陣列。英特爾和恒憶的研究人員能夠?qū)⒈∧?、雙終端OTS部署為為選擇器，其物理和電氣特性非常適合PCM擴(kuò)展?，F(xiàn)在，薄膜PCMS的兼容性讓多層交叉點(diǎn)存儲器陣列成為可能。分層陣列一旦集成起來并按照真正的交叉點(diǎn)陣列進(jìn)行嵌入，可與CMOS電路相結(jié)合，用于解碼、傳感和邏輯功能。

　　在12月9日即將在美國巴爾的摩市召開的2009年國際電子設(shè)備大會(International Electron Devices Meeting，IEDM)上，兩家公司將聯(lián)合發(fā)表標(biāo)題為《可堆疊交叉點(diǎn)相變存儲器》的論文，披露有關(guān)存儲器單元、交叉點(diǎn)陣列、實(shí)驗(yàn)以及結(jié)果的更多信息。這篇論文由英特爾和恒憶的技術(shù)人員共同撰寫，英特爾高級首席工程師DerChange Kau將做相關(guān)演講。