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迷人的新型存儲(chǔ)

  • 多年來(lái),各大廠商多年來(lái)孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程?,F(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面,數(shù)據(jù)呈爆炸式增長(zhǎng),芯片就必須需要具備巨大的計(jì)算能力 ;另一方面,依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來(lái)越大、需要的成本越來(lái)越高、實(shí)現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說(shuō):「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器,已經(jīng)有幾十年歷史了,它們還在一直在向前發(fā)展,不斷更新?lián)Q代,尺寸越來(lái)越小,成本越來(lái)越低,性能越來(lái)越強(qiáng)?!沟且呀?jīng)開(kāi)始出現(xiàn)無(wú)法超越的
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一文讀懂|三大新興存儲(chǔ)技術(shù):MRAM、RRAM和PCRAM

  • 在如此龐大的資料儲(chǔ)存、傳輸需求下,在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無(wú)法負(fù)荷,且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下,驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲(chǔ)存效能、更低成本同時(shí)又可以朝制程微縮邁進(jìn)的新興記憶體。
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上?!胺且资源鎯?chǔ)器”研究躋身國(guó)際先進(jìn)水平

  •   “非易失性存儲(chǔ)器”作為新一代國(guó)際公認(rèn)存儲(chǔ)技術(shù),越來(lái)越受到世界各國(guó)高度重視。從7日在滬召開(kāi)的第十一屆非易失性存儲(chǔ)器國(guó)際研討會(huì)上獲悉,上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國(guó)際先進(jìn)水平。   與易失性存儲(chǔ)器相比,非易失性存儲(chǔ)器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)。隨著技術(shù)發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器分為相變存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器、電阻式存儲(chǔ)器、鐵電存儲(chǔ)器等諸多類(lèi)型。   中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、中芯國(guó)際、micro-chip是產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的團(tuán)隊(duì),一直致力于研究我國(guó)自
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固態(tài)硬盤(pán)永遠(yuǎn)無(wú)法徹底取代機(jī)械硬盤(pán)?

  •   固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)業(yè)雖然風(fēng)生水起,但受限于各種因素,短期內(nèi)還無(wú)法取代機(jī)械硬盤(pán),而最新研究給出的結(jié)論是固態(tài)硬盤(pán)將永無(wú)出頭之日?!禝EEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤(pán),結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選 者:相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(STTRAM)。   PCRAM我們偶爾
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pcram介紹

稱(chēng)為相變存儲(chǔ)器: 相變存儲(chǔ)器利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。    初次聽(tīng)到"相變"這個(gè)詞,很多讀者朋友會(huì)感到比較陌生.其實(shí),相(phase)是物理化學(xué)上的一個(gè)概念,它指的是物體的化學(xué)性質(zhì)完全相同,但是物理性質(zhì)發(fā)生變化的不同狀態(tài).例如水有三種不同的狀態(tài),水蒸氣(汽相),液態(tài)水(液相)以及固態(tài)水(固相)。物質(zhì)從一種相變成另外一種相的過(guò)程叫做‘相變’例如水從液態(tài)轉(zhuǎn) [ 查看詳細(xì) ]

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