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晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案

  • 晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)。該技術(shù)能夠明顯提升近紅外靈敏度，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的圖像質(zhì)量。通過BSI NIR+技術(shù)，安防監(jiān)控?cái)z像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質(zhì)量的圖像。搭配不同平臺(tái)SOC，可適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機(jī)、打獵相機(jī)、紅外夜視儀、運(yùn)動(dòng)攝影機(jī)和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機(jī)等領(lǐng)域。?場景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-K30
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利用噪聲系數(shù)度量分析射頻電路中的噪聲

  • 關(guān)于射頻模擬設(shè)計(jì)中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數(shù)度量，包括本規(guī)范的關(guān)鍵方面。除了一些特定的應(yīng)用，例如，當(dāng)需要抖動(dòng)效果時(shí)，噪聲通常是一種不想要的現(xiàn)象。科學(xué)家和工程師已經(jīng)表征了不同電路元件產(chǎn)生的噪聲，并開發(fā)了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設(shè)計(jì)中，我們通常將噪聲效應(yīng)建模為輸入?yún)⒖荚肼曤妷汉碗娏髟础Ｈ欢?，在射頻（RF）設(shè)計(jì)中，噪聲系數(shù)度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數(shù)度量，強(qiáng)調(diào)該規(guī)范的一些微妙之處，最后看一個(gè)例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設(shè)計(jì)中的噪聲分析我們通常用
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單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)

  • 本文要點(diǎn)：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設(shè)計(jì)步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時(shí)，施加在輸入端子上的輸入信號會(huì)使輸出電流出現(xiàn)波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態(tài)工作點(diǎn)相比）輸出電流波動(dòng)較小，它們稱為
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RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？

  • 在采樣速率和可用帶寬方面，當(dāng)今的射頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(RF ADC)已有長足的發(fā)展，其中還納入了大量數(shù)字處理功能，電源方面的復(fù)雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò)。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)

  • 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示，公司計(jì)劃向韓國市場供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案

  • 晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)?？纱钆洳煌脚_(tái)SOC，適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機(jī)、打獵相機(jī)、紅外夜視儀、運(yùn)動(dòng)攝影機(jī)和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機(jī)等領(lǐng)域。?場景應(yīng)用圖SOI-SOI?產(chǎn)品實(shí)體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強(qiáng) 像素技術(shù)，可為在低光或無光環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用提供新的可能性，同時(shí)降低總功耗
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純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)

  • 6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺(tái)。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成，并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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意法半導(dǎo)體為MCU開啟FD-SOI時(shí)代

  • 意法半導(dǎo)體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進(jìn)化，并將此技術(shù)應(yīng)用在通用32位MCU市場領(lǐng)先的STM32系列MCU產(chǎn)品。
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為何在RF設(shè)計(jì)中理解波反射非常重要？

  • 在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設(shè)計(jì)的電路之間的關(guān)鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設(shè)計(jì)可采用多種波長的尺寸，導(dǎo)致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設(shè)計(jì)和分析提供了一些基礎(chǔ)的核心原理特性?；靖拍詈托g(shù)語假設(shè)以任意負(fù)載端接傳輸線路（例如同軸電纜或微帶線），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負(fù)載端接匹配信號源的傳輸線路。這些波量是入射到該負(fù)載并從該負(fù)載反射的電壓波的復(fù)振幅。我們現(xiàn)在可以使用這些量來定義電壓反射系數(shù)Γ，它描述了反射波的復(fù)振幅與入射波復(fù)振幅的比值：反射系數(shù)也可以
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羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列（Sony）合作，達(dá)成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗(yàn)證的行業(yè)里程碑

  • 羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列（Sony）合作，達(dá)成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗(yàn)證的行業(yè)首次里程碑。他們還成功驗(yàn)證了基于PCT的測試用例。兩項(xiàng)工作都有助于NTN NB-IoT技術(shù)的市場就緒。在2024年巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)上，羅德與施瓦茨將在其展臺(tái)上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設(shè)備一起進(jìn)行NTN NB-IoT測試的實(shí)時(shí)演示。與Sony的合作中，羅德與施瓦茨成功驗(yàn)證了Sony的Altair設(shè)備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
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“白菜化”的有源相控陣?yán)走_(dá)

  • 就在幾個(gè)月之前，一則消息被各大媒體平臺(tái)報(bào)道：2023年7月3日，為維護(hù)國家安全和利益，中國相關(guān)部門發(fā)布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關(guān)鍵金屬實(shí)行出口管制。至此有不少不關(guān)注該領(lǐng)域的讀者突然意識(shí)到，不知道從什么時(shí)候開始，我國的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國。根據(jù)一份中國地質(zhì)科學(xué)院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報(bào)告顯示，目前鎵的世界總儲(chǔ)量約 23 萬噸，中國的鎵金屬儲(chǔ)量居世界第一，約占世界總儲(chǔ)量的 80%-85%，而我國的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
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『這個(gè)知識(shí)不太冷』探索 RF 濾波器技術(shù)（上）

  • 『這個(gè)知識(shí)不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識(shí)的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點(diǎn)的知識(shí)點(diǎn)，結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補(bǔ)缺。在過去十年中，移動(dòng)無線數(shù)據(jù)快速增長，使得運(yùn)營商愈加迫切地需要新頻段和新技術(shù)，以滿足用戶對無線數(shù)據(jù)容量的需求。這種需求不僅推動(dòng)了無線技術(shù)的發(fā)展，也增加了對增強(qiáng)型射頻(RF)濾波器技術(shù)的需求，以幫助減少系統(tǒng)干擾，擴(kuò)大RF覆蓋范圍，增強(qiáng)接收器性能，并提升共存特性。本篇內(nèi)容將介紹RF濾波器的工作原理，以及如今的應(yīng)用中使用的各種技術(shù)版本。首先介紹關(guān)于濾波器的一些基本實(shí)情，以及它們帶
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射頻芯片制造商威訊聯(lián)合半導(dǎo)體將兩家中國工廠出售給立訊精密

  • IT之家 12 月 19 日消息，射頻芯片制造商美國威訊聯(lián)合半導(dǎo)體有限公司（Qorvo）宣布，與立訊精密建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并達(dá)成最終協(xié)議，向后者出售位于北京和山東德州的組裝和測試工廠，預(yù)計(jì)明年上半年完成交易。據(jù)IT之家了解，交易完成后，立訊精密將接管上述工廠的運(yùn)營和資產(chǎn)，包括物業(yè)、廠房、設(shè)備與現(xiàn)有員工。威訊聯(lián)合半導(dǎo)體將保留在中國的銷售、工程和客戶支持員工，繼續(xù)為客戶提供服務(wù)。立訊精密將根據(jù)新簽訂的長期供應(yīng)協(xié)議為威訊聯(lián)合半導(dǎo)體組裝和測試產(chǎn)品。威訊聯(lián)合半導(dǎo)體首席財(cái)務(wù)官格蘭特?布朗（Grant Br
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SOI芯片熱潮再起，中國市場信心大增

  • 受到美國政府的干擾，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難，同時(shí)也給原來沒有得到足夠關(guān)注的技術(shù)或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機(jī)遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當(dāng)先進(jìn)制程工藝演進(jìn)到 10nm 時(shí)，當(dāng)時(shí)昂貴的價(jià)格，以及漏電流帶來的功耗水平偏高問題，一直是業(yè)界關(guān)注的難題，SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點(diǎn)，才引起人們關(guān)注的，它最大的特點(diǎn)就是成本可控，且漏電流非常小，功耗低。在實(shí)際應(yīng)用中，SOI 主要分為 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和 RF-SOI（射頻絕緣體上硅）。FD-SO
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設(shè)計(jì)一款具有過溫管理功能的USB供電RF功率放大器

  • 國際電信聯(lián)盟(ITU)將433.92 MHz工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)頻段分配給1區(qū)使用，該區(qū)域在地理上由歐洲、非洲、俄羅斯、蒙古和阿拉伯半島組成。盡管最初旨在用于無線電通信之外的應(yīng)用，但多年來無線技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)步使得ISM頻段在短距離無線通信系統(tǒng)中頗受歡迎。ITU 1 區(qū)的運(yùn)營商無需為使用433.92 MHz頻段獲得許可，常見應(yīng)用包括軟件定義無線電、醫(yī)療設(shè)備和重型機(jī)械的工業(yè)無線電控制系統(tǒng)。在美國，433.92 MHz頻段由獲得許可的業(yè)余無線電臺(tái)使用。任何無線電傳輸應(yīng)用都需要高增益放大器來驅(qū)動(dòng)天線。根據(jù)應(yīng)
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