rf-soi 文章 進(jìn)入rf-soi技術(shù)社區(qū)
解決 48V 電網(wǎng)及 FuSa 難題, Power-SOI 推動(dòng)智能功率器件創(chuàng)新
- 混合動(dòng)力汽車 (HEV) 和全電動(dòng)汽車 (EV) 設(shè)計(jì)如今廣受關(guān)注,一個(gè)重要的技術(shù)趨勢正悄然影響著汽車行業(yè)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)中的 48V 直流 (DC) 總線系統(tǒng)。48V 系統(tǒng)不僅適用于全電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車,它還適用于更常見的內(nèi)燃機(jī)汽車。汽車應(yīng)用 48V 電網(wǎng)48V 系統(tǒng)有何獨(dú)特之處?與在常規(guī)的供電條件下一樣,48V 系統(tǒng)歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎(chǔ)物理學(xué)規(guī)律,與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關(guān)。供電仍需要電流與電壓的結(jié)合,但電勢差(損耗)隨電流
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Amphenol RF FAKRA車用連接器為汽車智能化注入充沛動(dòng)力
- 車用連接器的主要作用,就是在車載電路系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)可靠的物理連接,使電路可以實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能。對于汽車而言,車用連接器是必不可少的基礎(chǔ)元器件,事實(shí)上汽車領(lǐng)域已經(jīng)成為連接器應(yīng)用最廣泛的市場之一。隨著汽車智能化進(jìn)程的迅速深入,高級輔助駕駛系統(tǒng)(ADAS)、車聯(lián)網(wǎng)(V2X)、車載信息娛樂系統(tǒng)等新型智能技術(shù)的滲透率正快速提升,并且智能駕駛體系正向著L3級(有條件自動(dòng)駕駛)不斷迭代。在這樣的大趨勢下,車用傳感器(攝像頭、毫米波雷達(dá)和激光雷達(dá)等)的用量顯著增加,數(shù)據(jù)傳輸要求水漲船高,因而ADAS等系統(tǒng)需要配備更高帶寬的傳輸
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京,2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
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工藝設(shè)計(jì)套件將 POI 基板用于 RF 濾波器
- 本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模擬器來預(yù)測和優(yōu)化下一代 GPU 的電源行為,其中高轉(zhuǎn)換率要求和超過 1,000 A 的電流水平需要更快的瞬態(tài)響應(yīng)。如今,圖形處理單元 (GPU) 具有數(shù)百億個(gè)晶體管。隨著每一代新一代 GPU 的出現(xiàn),GPU 中的晶體管數(shù)量不斷增加,以提高處理器性能。然而,晶體管數(shù)量的增加也導(dǎo)致功率需求呈指數(shù)增長,這使得滿足瞬態(tài)響應(yīng)規(guī)范變得更加困難。本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模擬器來預(yù)測和優(yōu)化下一
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寬帶多通道調(diào)試信號分析利器,滿足RF新技術(shù)復(fù)雜測試要求
- RF復(fù)雜測試對測試設(shè)備提出更高需求無線通信系統(tǒng)的不斷更新產(chǎn)生了對先進(jìn)RF測試設(shè)備的需求,以滿足這項(xiàng)新技術(shù)的復(fù)雜測試要求。這些測試設(shè)備需要能夠處理更高的頻率、更寬的帶寬和更復(fù)雜的調(diào)制方案。? 波束成形:使用先進(jìn)的波束成形技術(shù)來提高信號強(qiáng)度和質(zhì)量。多通道測試應(yīng)側(cè)重于測試系統(tǒng)的波束成形能力,包括波束控制、波束跟蹤和波束成形算法性能。? 大規(guī)模MIMO:大規(guī)模MIMO技術(shù)涉及使用大量天線來提高信號質(zhì)量和容量。多通道測試應(yīng)側(cè)重于測試大規(guī)模MIMO系統(tǒng)的性能,包括天線放
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攻克復(fù)雜性障礙:下一代 SOI 天線調(diào)諧
- 過去十年,天線調(diào)諧技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化。天線變得更小、性能更強(qiáng),能處理更多的射頻信號。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術(shù)——它提供的調(diào)諧能力提高了設(shè)計(jì)靈活性,并大幅改善了性能。復(fù)雜射頻世界中的器件性能有時(shí)候,科技似乎在飛速發(fā)展,日新月異——產(chǎn)品變得越來越小,處理速度越來越快,我們的世界剎那間便不同以往。移動(dòng)設(shè)備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動(dòng)設(shè)備使得天線更加復(fù)雜。對于工程師而言,這種復(fù)雜性也是需要攻克的障礙。與此同時(shí),技術(shù)開發(fā)工程師每推出一代新技術(shù),都會(huì)做出漸進(jìn)式改進(jìn),通過這種持續(xù)改善來幫
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瑞薩電子宣布與AMD攜手展示面向5G有源天線系統(tǒng)的完整RF和數(shù)字前端設(shè)計(jì)
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布,將與AMD合作展示面向5G有源天線系統(tǒng)(AAS)無線電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經(jīng)實(shí)地驗(yàn)證的AMD Zynq??UltraScale+? RFSoC數(shù)字前端OpenRAN無線電(O-RU)參考設(shè)計(jì)相搭配,包含RF開關(guān)、低噪聲放大器,和前置驅(qū)動(dòng)器,提供了一套完整的解決方案,以滿足不斷增長的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施市場需求。該參考平臺將于2月27日至3月2日在西班牙巴塞羅那舉行的世界移動(dòng)通信大會(huì)AMD展臺(2展廳,#2M61展位)進(jìn)行展示。全新5G設(shè)計(jì)平
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)(IPC)方案
- 致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下友尚推出基于晶視智能(CVITEK)CV1821芯片和晶相光電(SOI)JX-K06圖像傳感器的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)(IPC)方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的IPC方案的展示板圖近年來,消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市的發(fā)展,推動(dòng)了智能監(jiān)控技術(shù)的革新,也驅(qū)動(dòng)了IPC(網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))的需求。相比于傳統(tǒng)攝像機(jī),IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果,還具有網(wǎng)絡(luò)輸出接口,可直接將攝像機(jī)接入本地局域網(wǎng)。這些特性使其
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數(shù)字波束成形相控陣中RF電子器件的物理尺寸分配
- 相控陣?yán)走_(dá)和有源電子掃描陣列(AESA)已經(jīng)在航空航天和國防市場中使用和部署了十多年。這一時(shí)期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開始,并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標(biāo)不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實(shí)現(xiàn),以實(shí)現(xiàn)的靈活性和可編程性。相控陣?yán)走_(dá)和有源電子掃描陣列(AESA)已經(jīng)在航空航天和國防市場中使用和部署了十多年。這一時(shí)期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開始,并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標(biāo)不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實(shí)現(xiàn),以實(shí)現(xiàn)的靈活性和可編程性。遷移到近元素?cái)?shù)字波束成形存在許多挑戰(zhàn)。挑戰(zhàn)范圍
- 關(guān)鍵字: 數(shù)字波束 RF
自適應(yīng)RF前饋放大器的設(shè)計(jì)
- 現(xiàn)代無線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量,提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面,人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率;另一方面,無源器件及有源器件的引入,多載波配置技術(shù)的采用等,都將導(dǎo)致輸出信號的互調(diào)失真?,F(xiàn)代無線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量,提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面,人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率;另一方面,無源器件及有源器件的引入,多載波配置技術(shù)的采用等,都將導(dǎo)致輸出信號的互調(diào)
- 關(guān)鍵字: RF 放大器
RF解密--什么是射頻衰減器?
- 問題:什么是射頻衰減器?如何為我的應(yīng)用選擇合適的RF衰減器?答案:衰減器是一種控制元件,主要功能是降低通過衰減器的信號強(qiáng)度。這種元件一般用于平衡信號鏈中的信號電平、擴(kuò)展系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍、提供阻抗匹配,以及在終端應(yīng)用設(shè)計(jì)中實(shí)施多種校準(zhǔn)技術(shù)。?簡介本文延續(xù)之前一系列短文,面向非射頻工程師講解射頻技術(shù)。ADI將在文中探討IC衰減器,并針對其類型、配置和規(guī)格提出一些見解,旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品,并為終端應(yīng)用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關(guān)文章包括:“為應(yīng)用選擇合適的RF放大器指南”、“如何輕松選擇
- 關(guān)鍵字: RF 射頻衰減器 ADI
ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI
- 意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄,將在意法半導(dǎo)體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運(yùn)營的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點(diǎn),包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計(jì),該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片,到2026年將達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn),每年生產(chǎn)多達(dá)62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles,距離意大利邊境不遠(yuǎn),長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看,F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法,可以實(shí)現(xiàn)FinF
- 關(guān)鍵字: FD-SOI GAAFET FinFET
RF揭秘:散射參數(shù)及其類型
- 本文延續(xù)之前的一系列短文,旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下:“RF揭秘——了解波反射” ,探討了波反射;“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件”,探討了RF信號鏈中發(fā)揮作用的頻率產(chǎn)生器件的主要類型。問題:什么是S參數(shù)?它有哪些主要類型?答案:S參數(shù)描述了RF網(wǎng)絡(luò)的基本特征,其主要類型有小信號、大信號、脈沖、冷模式和混合模式S參數(shù)。引言本文延續(xù)之前的一系列短文,旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下:“RF揭秘——了解波反射” ,探討了波反射;“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件
- 關(guān)鍵字: ADI RF
如何選擇出色電源解決方案,以提高RF信號鏈相位噪聲性能
- 如今的射頻 (RF) 系統(tǒng)變得越來越復(fù)雜。高度的復(fù) 雜性要求所有系統(tǒng)指標(biāo)(例如嚴(yán)格的鏈接和噪聲預(yù)算) 達(dá)到最佳性能。確保整個(gè)信號鏈的正確設(shè)計(jì)至關(guān)重要。 而信號鏈中,有一個(gè)部分經(jīng)常會(huì)被忽視,那就是直流電 源。它在系統(tǒng)中占據(jù)著重要地位,但也會(huì)帶來負(fù)面影 響。RF 系統(tǒng)的一個(gè)重要度量是相位噪聲,根據(jù)所選的 電源解決方案,這個(gè)指標(biāo)可能降低。本文研究電源設(shè)計(jì) 對 RF 放大器相位噪聲的影響。我們的測試數(shù)據(jù)證明, 選擇合適的電源模塊可以使相位噪聲改善 10 dB,這是 優(yōu)化 RF 信號鏈性能的關(guān)鍵。
- 關(guān)鍵字: 202207 電源 ADI RF 相位噪聲
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對rf-soi的理解,并與今后在此搜索rf-soi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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