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AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄

  • 獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲芯片的強(qiáng)勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商，這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達(dá)到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預(yù)期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達(dá)到17.6萬億韓元，而市場預(yù)期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設(shè)計和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴(kuò)大了對三星電子(S
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全球首款12層堆疊HBM3E，開始量產(chǎn)了

  • SK 海力士宣布，已開始量產(chǎn) 12H HBM3E 芯片，實現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量。
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SK海力士揭秘半導(dǎo)體全球生產(chǎn)基地及應(yīng)用領(lǐng)域

  • 設(shè)想一下，如果沒有了智能手機(jī)、電腦或互聯(lián)網(wǎng)，世界會變成怎樣？顯而易見，缺失這些必需品的生活是無法想象的。然而，如果沒有半導(dǎo)體作為推動眾多科技發(fā)展的引擎，世界無疑便會陷入無法想象的境地。盡管半導(dǎo)體芯片在生活中很常見，但它們的起源、用途、意義等仍然鮮為人知。時至今日，半導(dǎo)體世界仍有許多知識鮮為人知。作為現(xiàn)代科技的核心，芯片可謂是推動科技發(fā)展背后的隱藏力量，然而很少有人目睹這些先進(jìn)設(shè)備是如何在工廠中被精心制造出來的。為了更深入地了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域，本期半導(dǎo)體綜述系列文章將深入探討芯片生產(chǎn)工廠及屬地，并探索
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SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

  • 2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB（千兆字節(jié)）容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品，繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后，僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實力。 SK海力士強(qiáng)調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)，  公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品，不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求，
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SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開源操作系統(tǒng)Linux

  • 2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優(yōu)化CXL*（Compute Express Link）存儲器運行的自研軟件異構(gòu)存儲器軟件開發(fā)套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲器產(chǎn)品而備受矚目，公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK，其性能已獲得國際認(rèn)可，并成功應(yīng)用于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux中。這標(biāo)志著不僅是如HBM等超高性能硬件實力方面，公司的軟件競爭力也獲得廣泛認(rèn)可，具有重大意義?！蔽磥?/li>
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SK海力士開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤“PEB110 E1.S”

  • 采用第五代PCIe，較上一代產(chǎn)品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗證后，將于明年第二季度開始量產(chǎn)· 增強(qiáng)數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領(lǐng)域，同時在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領(lǐng)域，鞏固全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商領(lǐng)導(dǎo)者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品“PEB110 E1.S”（以下簡稱 PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時代的全面到
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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自動駕駛汽車公司W(wǎng)aymo已搭載SK海力士HBM2E

  • 8月15日消息，日前，SK海力士副總裁Kang Wook-seong透露，公司已經(jīng)開始將HBM引入汽車半導(dǎo)體，Waymo已搭載SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示，目前，汽車DRAM半導(dǎo)體正在從LPDDR 4轉(zhuǎn)向LPDDR 5，HBM最快三年內(nèi)、最遲五年內(nèi)將成為主流。他預(yù)測表示，當(dāng)自動駕駛L3、L4級普及時，對HBM的需求將迅速增加，更高的計算能力對于L2.5級或更高級別的自動駕駛至關(guān)重要，HBM3在一塊芯片上每秒計算1TB，能夠滿足要求。根據(jù)外媒報道，SK海力士已向上游設(shè)備企業(yè)訂購
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三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)所有測試，預(yù)計今年底開始交付

  • 三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達(dá)的測試。此前有報道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達(dá)的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達(dá)計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問題不大，預(yù)計今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

  • IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經(jīng)濟(jì)日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增

  • AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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SK海力士砸750億美元 力拚AI

  • 韓國SK集團(tuán)30日宣布，旗下內(nèi)存制造商SK海力士將在2028年前投資103兆韓元（約750億美元）強(qiáng)化芯片事業(yè)，尤其將著重AI發(fā)展。SK集團(tuán)日前剛結(jié)束為期兩天的策略會議，并于會后宣布全力發(fā)展AI價值鏈，將SK海力士的技術(shù)應(yīng)用在高帶寬內(nèi)存芯片（HBM）、AI數(shù)據(jù)中心及AI語音助理等領(lǐng)域。SK集團(tuán)指出，上述103兆韓元當(dāng)中將有80％，也就是大約82兆韓元（約600億美元）投入發(fā)展HBM。 HBM廣泛應(yīng)用在生成式AI芯片組，且SK海力士目前是輝達(dá)的HBM3獨家芯片供貨商。今年第一季SK海力士營收年增超過1倍至1
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SK海力士開發(fā)面向AI PC的高性能固態(tài)硬盤‘PCB01’

  • - SK海力士28日宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI* PC的業(yè)界最高性能固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品‘PCB01’。* 端側(cè)（On-Device）AI：在設(shè)備本身上實現(xiàn)AI運行，而非依賴物理分離的服務(wù)器進(jìn)行計算。由于智能手機(jī)或PC等終端設(shè)備自行收集信息并進(jìn)行計算，可提升AI功能的反應(yīng)速度、加強(qiáng)用戶定制性AI服務(wù)功能。SK海力士表示：“公司業(yè)界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術(shù)，以顯著提升數(shù)據(jù)處理速度等性能。繼HBM等超高性能DR
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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