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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片

  • 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計(jì)劃從 SK 海力士采購(gòu)存儲(chǔ)芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計(jì)算芯片上。SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時(shí)向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會(huì)調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測(cè)。這家公司計(jì)劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴(kuò)大到 14~15 萬(wàn)片（IT之家注：?jiǎn)挝皇?300mm 直徑的 12 英寸晶
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官

  • 12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日?qǐng)?bào)道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來(lái)技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開(kāi)發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開(kāi)發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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老對(duì)頭三星、SK海力士結(jié)盟！聯(lián)手推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存

  • 12月2日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道， 在全球內(nèi)存市場(chǎng)上長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟，共同推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。這也意味著兩家公司在面對(duì)AI內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時(shí)，愿意擱置競(jìng)爭(zhēng)，共同推動(dòng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，以適應(yīng)設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的發(fā)展。隨著設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的興起，PIM內(nèi)存技術(shù)越來(lái)越受到重視。PIM技術(shù)通過(guò)將存儲(chǔ)和計(jì)算結(jié)合，直接在存儲(chǔ)單元進(jìn)行計(jì)算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運(yùn)行AI算法時(shí)的“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)全球最高的321層NAND閃存

  • 2024年11月21日，SK海力士宣布，開(kāi)始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND閃存。SK海力士表示：“公司從2023年6月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品，并供應(yīng)于市場(chǎng)，此次又率先推出了超過(guò)300層的NAND閃存，突破了技術(shù)界限。計(jì)劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品，由此應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求。”公司在此次產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug*”工藝技術(shù)，克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進(jìn)行通孔工藝流程，隨后經(jīng)
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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣

  • 11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國(guó)首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計(jì)明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會(huì)正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì)議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
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AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營(yíng)收、利潤(rùn)雙創(chuàng)記錄

  • 獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤(rùn)和營(yíng)收，這反映出市場(chǎng)對(duì)與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開(kāi)發(fā)的存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商，這家韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭第三季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到7.03萬(wàn)億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬(wàn)億韓元，高于分析師預(yù)期的6.9萬(wàn)億韓元。營(yíng)收大增94%，達(dá)到17.6萬(wàn)億韓元，而市場(chǎng)預(yù)期為18.2萬(wàn)億韓元。今年以來(lái)，SK海力士股價(jià)累計(jì)上漲逾35%，原因是該公司在設(shè)計(jì)和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動(dòng)力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴(kuò)大了對(duì)三星電子(S
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全球首款12層堆疊HBM3E，開(kāi)始量產(chǎn)了

  • SK 海力士宣布，已開(kāi)始量產(chǎn) 12H HBM3E 芯片，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量。
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SK海力士揭秘半導(dǎo)體全球生產(chǎn)基地及應(yīng)用領(lǐng)域

  • 設(shè)想一下，如果沒(méi)有了智能手機(jī)、電腦或互聯(lián)網(wǎng)，世界會(huì)變成怎樣？顯而易見(jiàn)，缺失這些必需品的生活是無(wú)法想象的。然而，如果沒(méi)有半導(dǎo)體作為推動(dòng)眾多科技發(fā)展的引擎，世界無(wú)疑便會(huì)陷入無(wú)法想象的境地。盡管半導(dǎo)體芯片在生活中很常見(jiàn)，但它們的起源、用途、意義等仍然鮮為人知。時(shí)至今日，半導(dǎo)體世界仍有許多知識(shí)鮮為人知。作為現(xiàn)代科技的核心，芯片可謂是推動(dòng)科技發(fā)展背后的隱藏力量，然而很少有人目睹這些先進(jìn)設(shè)備是如何在工廠中被精心制造出來(lái)的。為了更深入地了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域，本期半導(dǎo)體綜述系列文章將深入探討芯片生產(chǎn)工廠及屬地，并探索
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SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

  • 2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開(kāi)始量產(chǎn)12層HBM3E新品，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB（千兆字節(jié)）容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品，繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后，僅時(shí)隔6個(gè)月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實(shí)力。 SK海力士強(qiáng)調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)，  公司是唯一一家開(kāi)發(fā)并向市場(chǎng)供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品，不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求，
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SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開(kāi)源操作系統(tǒng)Linux

  • 2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優(yōu)化CXL*（Compute Express Link）存儲(chǔ)器運(yùn)行的自研軟件異構(gòu)存儲(chǔ)器軟件開(kāi)發(fā)套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開(kāi)源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品而備受矚目，公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK，其性能已獲得國(guó)際認(rèn)可，并成功應(yīng)用于全球最大的開(kāi)源操作系統(tǒng)Linux中。這標(biāo)志著不僅是如HBM等超高性能硬件實(shí)力方面，公司的軟件競(jìng)爭(zhēng)力也獲得廣泛認(rèn)可，具有重大意義?！蔽磥?lái)
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SK海力士開(kāi)發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤“PEB110 E1.S”

  • 采用第五代PCIe，較上一代產(chǎn)品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗(yàn)證后，將于明年第二季度開(kāi)始量產(chǎn)· 增強(qiáng)數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領(lǐng)域，同時(shí)在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領(lǐng)域，鞏固全球頂級(jí)面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商領(lǐng)導(dǎo)者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品“PEB110 E1.S”（以下簡(jiǎn)稱 PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時(shí)代的全面到
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SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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自動(dòng)駕駛汽車公司W(wǎng)aymo已搭載SK海力士HBM2E

  • 8月15日消息，日前，SK海力士副總裁Kang Wook-seong透露，公司已經(jīng)開(kāi)始將HBM引入汽車半導(dǎo)體，Waymo已搭載SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示，目前，汽車DRAM半導(dǎo)體正在從LPDDR 4轉(zhuǎn)向LPDDR 5，HBM最快三年內(nèi)、最遲五年內(nèi)將成為主流。他預(yù)測(cè)表示，當(dāng)自動(dòng)駕駛L3、L4級(jí)普及時(shí)，對(duì)HBM的需求將迅速增加，更高的計(jì)算能力對(duì)于L2.5級(jí)或更高級(jí)別的自動(dòng)駕駛至關(guān)重要，HBM3在一塊芯片上每秒計(jì)算1TB，能夠滿足要求。根據(jù)外媒報(bào)道，SK海力士已向上游設(shè)備企業(yè)訂購(gòu)
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三星8層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)所有測(cè)試，預(yù)計(jì)今年底開(kāi)始交付

  • 三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過(guò)一直沒(méi)有通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試。此前有報(bào)道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會(huì)獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開(kāi)始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報(bào)道，三星的HBM3E終于通過(guò)了英偉達(dá)的所有測(cè)試項(xiàng)目，這將有利于其與SK海力士和美光爭(zhēng)奪英偉達(dá)計(jì)算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒(méi)有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問(wèn)題不大，預(yù)計(jì)今年底開(kāi)始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

  • IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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sk海力士介紹

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