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SK海力士正在開發(fā)低功耗LPDDR5M：能效提高8%

  • 2月28日消息，SK海力士正致力于開發(fā)新一代低功耗內(nèi)存LPDDR5M，其數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。這一技術(shù)突破預(yù)計(jì)將廣泛應(yīng)用于具備設(shè)備端AI功能的智能手機(jī)中，使其在本地運(yùn)行密集型操作時(shí)消耗更少的電量，從而滿足設(shè)備制造商對(duì)高效能、低功耗的需求。業(yè)內(nèi)人士推測(cè)，SK海力士最快將于年內(nèi)推出LPDDR5M產(chǎn)品。與此同時(shí)，SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的研發(fā)也取得了重要進(jìn)展
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三星、SK海力士計(jì)劃停用中國(guó)EDA軟件！

  • 2月17日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國(guó)半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）軟件，以應(yīng)對(duì)美國(guó)可能出臺(tái)的新政策。這些政策可能會(huì)限制韓國(guó)半導(dǎo)體公司使用中國(guó)軟件，業(yè)界人士透露，SK海力士正在評(píng)估其使用的中國(guó)EDA軟件是否符合未來(lái)政策要求。EDA軟件被稱為“芯片之母”，是芯片設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中不可或缺的工具，用于模擬各種電路設(shè)計(jì)并預(yù)測(cè)結(jié)果。目前，EDA市場(chǎng)主要由美國(guó)公司主導(dǎo)，包括新思科技（Synopsys）、益華電腦（Cadence）和Siemens EDA，這些公司的市場(chǎng)占有率
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三星穩(wěn)坐全球前十大半導(dǎo)體品牌廠商第一！Intel跌至第五

  • 2月16日消息，據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint的最新報(bào)告，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)（包括存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)）在2024年預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇，全年?duì)I收同比增長(zhǎng)19%，達(dá)到6210億美元。這一增長(zhǎng)主要得益于人工智能技術(shù)需求的大幅增加，尤其是內(nèi)存市場(chǎng)和GPU需求的持續(xù)推動(dòng)。從廠商來(lái)看，三星電子以11.8%的市場(chǎng)份額位居全球第一，隨后分別是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特爾（4.9%）、美光（4.8%）、英偉達(dá)（4.3%）、AMD（4.1%）、聯(lián)發(fā)科（2.6%）和西部數(shù)據(jù)（2.5%）。需要注意的是，此
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  SK海力士  高通  博通  英特爾  美光  英偉達(dá)  AMD  聯(lián)發(fā)科  西部數(shù)據(jù)  

NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

  • 據(jù)報(bào)道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過(guò)于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計(jì)劃。當(dāng)前，存儲(chǔ)器市場(chǎng)，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑，這一趨勢(shì)使得供應(yīng)商對(duì)2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀態(tài)度。長(zhǎng)期的價(jià)格疲軟無(wú)疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤(rùn)空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實(shí)施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時(shí)，N
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三星、SK海力士將在2025Q1減產(chǎn)：NAND閃存產(chǎn)量至少削減10%

  • 2月13日消息，據(jù)報(bào)道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過(guò)于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計(jì)劃。其中三星在去年末已經(jīng)決定削減西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量，減少10%以上，另外還調(diào)低了韓國(guó)華城12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線的產(chǎn)量，以進(jìn)一步降低整體產(chǎn)量。當(dāng)前，存儲(chǔ)器市場(chǎng)，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑，這一趨勢(shì)使得供應(yīng)商對(duì)2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀態(tài)度。長(zhǎng)期的價(jià)格疲軟無(wú)疑將進(jìn)一步
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NAND價(jià)格能否“觸底反彈”？

  • 全球NAND閃存價(jià)格已連續(xù)四個(gè)月下跌，為應(yīng)對(duì)這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進(jìn)而穩(wěn)定價(jià)格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國(guó)本土的NAND產(chǎn)量以及中國(guó)西安工廠的開工率，韓國(guó)另一大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士也計(jì)劃削減產(chǎn)量。
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SK海力士發(fā)布2024財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告

  • 2024財(cái)年全年?duì)I收為66.1930萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為23.4673萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)為19.7969萬(wàn)億韓元·2024年第四季度營(yíng)收為19.7670萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為8.0828萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)為8.0065萬(wàn)億韓元·隨著HBM、eSSD等面向AI的存儲(chǔ)器銷售增長(zhǎng)，營(yíng)收和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均創(chuàng)下了季度和年度歷史新高·“以差別化的AI應(yīng)用產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力、盈利為主的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，證實(shí)了穩(wěn)定盈利的可能性”2025年1月23日，SK海力士發(fā)布截至2024年12月31日的2024財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司2024財(cái)年?duì)I業(yè)收入為
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SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

  • 據(jù)韓媒報(bào)道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個(gè)以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求，預(yù)計(jì)SK海力士將在2月初正式啟動(dòng)1c納米DRAM的量產(chǎn)。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實(shí)現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內(nèi)存開發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應(yīng)用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群，進(jìn)一步鞏固其在內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
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應(yīng)對(duì)降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

  • 1月13日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子已決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對(duì)全球NAND供應(yīng)過(guò)剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤(rùn)。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲(chǔ)卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過(guò)10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外，三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時(shí)
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SK海力士宣布參展CES 2025，將展示122TB企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品

  • 1 月 3 日消息，SK 海力士今日宣布將參加于當(dāng)?shù)貢r(shí)間 1 月 7 日至 10 日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的“國(guó)際消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì)（CES 2025）”，屆時(shí)展示面向 AI 的存儲(chǔ)器技術(shù)實(shí)力。據(jù)了解，SK 海力士將在 CES2025 展出 HBM、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等面向 AI 的代表性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，也將展示專為端側(cè) AI 優(yōu)化的解決方案和下一代面向 AI 的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。目前，該公司已率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并向客戶供應(yīng) 12 層第五代 HBM（HBM3E），在此展會(huì)將展出公司去年 11 月宣布開發(fā)完成的 16 層第五代
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拆解華為Mate 70 存儲(chǔ)芯片來(lái)自SK海力士

  • 華為Mate 70系列旗艦手機(jī)12月4日正式開賣，研究公司TechInsights拆解后發(fā)現(xiàn)，該款手機(jī)采用南韓SK海力士制造內(nèi)存芯片，主因在于美國(guó)禁止對(duì)中國(guó)大陸出口先進(jìn)芯片制造設(shè)備，而大陸制造的內(nèi)存芯片選擇受限?！赌先A早報(bào)》報(bào)導(dǎo)，根據(jù)TechInsights的分析，華為Mate 70 Pro手機(jī)搭載SK海力士12GB低功耗行動(dòng)DRAM及512GB NAND，高階款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析師崔貞東（Jeongdong
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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片

  • 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計(jì)劃從 SK 海力士采購(gòu)存儲(chǔ)芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計(jì)算芯片上。SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時(shí)向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會(huì)調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測(cè)。這家公司計(jì)劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴(kuò)大到 14~15 萬(wàn)片（IT之家注：?jiǎn)挝皇?300mm 直徑的 12 英寸晶
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

  • 12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日?qǐng)?bào)道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來(lái)技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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老對(duì)頭三星、SK海力士結(jié)盟！聯(lián)手推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存

  • 12月2日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道， 在全球內(nèi)存市場(chǎng)上長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟，共同推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。這也意味著兩家公司在面對(duì)AI內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時(shí)，愿意擱置競(jìng)爭(zhēng)，共同推動(dòng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，以適應(yīng)設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的發(fā)展。隨著設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的興起，PIM內(nèi)存技術(shù)越來(lái)越受到重視。PIM技術(shù)通過(guò)將存儲(chǔ)和計(jì)算結(jié)合，直接在存儲(chǔ)單元進(jìn)行計(jì)算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運(yùn)行AI算法時(shí)的“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻
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SK海力士開始量產(chǎn)全球最高的321層NAND閃存

  • 2024年11月21日，SK海力士宣布，開始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND閃存。SK海力士表示：“公司從2023年6月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品，并供應(yīng)于市場(chǎng)，此次又率先推出了超過(guò)300層的NAND閃存，突破了技術(shù)界限。計(jì)劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品，由此應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求?！惫驹诖舜萎a(chǎn)品開發(fā)過(guò)程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug*”工藝技術(shù)，克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進(jìn)行通孔工藝流程，隨后經(jīng)
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sk海力士介紹

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