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傳日立欲將STTRAM研發(fā)部門分拆為新公司

  • 　　日立公司將在下周于火奴魯魯召開的VLSI技術(shù)年會(huì)上介紹更多自旋轉(zhuǎn)移矩隨機(jī)內(nèi)存(Spin transfer torque random access memory (STT-RAM))技術(shù)，另外據(jù)稱日立公司正在考慮將負(fù)責(zé)開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)的部門從公司中分拆出去成立一家新公司。 　　SPRAM是下一代MRAM內(nèi)存技術(shù)的一種，MRAM技術(shù)的特點(diǎn)是利用電子自旋的磁效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)非易失型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，這種技術(shù)制作出來存儲(chǔ)芯片據(jù)稱耐久性極佳，不過目前MRAM內(nèi)存制造難度極大，很難批量生產(chǎn)。 　　日立公司開發(fā)的這種自旋轉(zhuǎn)
  • 關(guān)鍵字： 日立  STTRAM  
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