傳日立欲將STTRAM研發(fā)部門(mén)分拆為新公司
日立公司將在下周于火奴魯魯召開(kāi)的VLSI技術(shù)年會(huì)上介紹更多自旋轉(zhuǎn)移矩隨機(jī)內(nèi)存(Spin transfer torque random access memory (STT-RAM))技術(shù),另外據(jù)稱日立公司正在考慮將負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)這項(xiàng)技術(shù)的部門(mén)從公司中分拆出去成立一家新公司。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/110018.htmSPRAM是下一代MRAM內(nèi)存技術(shù)的一種,MRAM技術(shù)的特點(diǎn)是利用電子自旋的磁效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)非易失型數(shù)據(jù)存儲(chǔ),這種技術(shù)制作出來(lái)存儲(chǔ)芯片據(jù)稱耐久性極佳,不過(guò)目前MRAM內(nèi)存制造難度極大,很難批量生產(chǎn)。
日立公司開(kāi)發(fā)的這種自旋轉(zhuǎn)移矩隨機(jī)內(nèi)存(Spin transfer torque random access memory (STT-RAM))可算是第二代的MRAM技術(shù),這種技術(shù)據(jù)稱采用了新的內(nèi)部結(jié)構(gòu),從而解決了傳統(tǒng)MRAM設(shè)備所存在的問(wèn)題。目前正在研究這項(xiàng)技術(shù)的廠商還有臺(tái)積電,三星,海力士,IBM-TDK,東芝等多家廠商。
評(píng)論