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格羅方德推出性能增強(qiáng)型130nm 硅鍺射頻技術(shù)，以促進(jìn)下一代無線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)于今日宣布針對(duì)硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項(xiàng)技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶而打造，適用于汽車?yán)走_(dá)、衛(wèi)星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用。 　　格羅方德半導(dǎo)體的硅鍺 8XP技術(shù)是該公司130nm高性能硅鍺系列產(chǎn)品的最新成員，它可協(xié)助客戶制定射頻解決方案，以在更遠(yuǎn)距離實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)吞吐量，同時(shí)耗能更少。這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)大幅提升了異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數(shù)、改善信號(hào)完整性并將硅鍺 8XP
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IBM針對(duì)RF芯片代工升級(jí)制程技術(shù)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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飛思卡爾新產(chǎn)品引領(lǐng)高性能射頻技術(shù)發(fā)展

  • 　　無線技術(shù)的便利性已經(jīng)得到所有人的認(rèn)可，無線技術(shù)的優(yōu)勢(shì)也通過技術(shù)的不斷演進(jìn)變得越來越明顯，從而帶動(dòng)整個(gè)無線市場(chǎng)的快速普及。射頻不是一個(gè)簡(jiǎn)單的元器件，而是一個(gè)涉及多個(gè)半導(dǎo)體器件的解決方案。 　　作為這個(gè)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者之一，飛思卡爾半導(dǎo)體提供廣泛的射頻低功率產(chǎn)品組合，滿足目前復(fù)雜且具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用及市場(chǎng)需求。從通用放大器、增益模塊、信號(hào)控制產(chǎn)品到功能豐富的低噪聲放大器和高性能RFIC，飛思卡爾利用各種基于III-V的技術(shù)和先進(jìn)的SiGe芯片工藝為客戶提供解決方案，滿足無線基礎(chǔ)設(shè)施、無線通信、蜂窩通信、工業(yè)、
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泰克下一代70GHz示波器將采用IBM的9HP硅鍺芯片制造技術(shù)

  • 泰克公司日前宣布，其下一代高性能實(shí)時(shí)示波器將采用IBM的最新9HP硅鍺 (SiGe) 芯片制造工藝。IBM的第五代半導(dǎo)體技術(shù)與早前宣布的正在申請(qǐng)專利的異步時(shí)間插值 (Asynchronous Time Interleaving) 技術(shù)將使新示波器帶寬達(dá)到70 GHz并實(shí)現(xiàn)信號(hào)保真度改善。
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高線性度SiGe下變頻混頻器

  • 2.3GHz至4GHz、SiGe下變頻混頻器具有業(yè)內(nèi)最佳的性能Maxim在2010年IIC上海站重點(diǎn)向觀眾展示了以下應(yīng)用...
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華虹NEC 0.13 / 0.18微米SiGe工藝技術(shù)成功進(jìn)入量產(chǎn)

  • 世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.13/0.18微米SiGe工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。由此成為國內(nèi)首家、全球少數(shù)幾家可以提供0.13/0.18微米SiGe量產(chǎn)工藝的代工廠之一。
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SiGe MEMS技術(shù)

  • MEMS技術(shù)自20世紀(jì)70年代末80年代初掀起第一輪商業(yè)化浪潮，其后經(jīng)歷了四次較大的變革。如今，除傳統(tǒng)的應(yīng)用外，推動(dòng)第四輪商業(yè)化的其它應(yīng)用包括一些面向射頻無源元件、在硅片上制作的音頻、生物和神經(jīng)元探針，以及生化
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鍺化硅（SiGe）技術(shù)在測(cè)試技術(shù)中的應(yīng)用

  • 鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻器、低噪聲放大器（LNA）、前置放大
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瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管

  • 2011年9月13日 日本東京訊—高級(jí)半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
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基于SiGe HBT的射頻有源電感設(shè)計(jì)

  • 電感在射頻單片集成電路中具有重要作用，主要具備阻抗轉(zhuǎn)換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無線通信技術(shù)的迅速...
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基于SiGe HBT的射頻有源電感的設(shè)計(jì)

  • 本文設(shè)計(jì)了四種結(jié)構(gòu)的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負(fù)電感。研究結(jié)果表明由晶體管構(gòu)成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結(jié)構(gòu)中，由共射放大器與共集放大器級(jí)聯(lián)反饋構(gòu)成的有源電感性能較好。采用回轉(zhuǎn)器原理實(shí)現(xiàn)的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調(diào)諧性。
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探討固定及移動(dòng)WiMAX系統(tǒng)對(duì)無線射頻子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求

  • 隨著服務(wù)供應(yīng)商和基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備制造商近來公布多項(xiàng)先進(jìn)無線服務(wù)及設(shè)備合同簽訂的消息，WiMAX正大受市場(chǎng)注目。...
  • 關(guān)鍵字： WiMAX  射頻  RF  OFDM  801.11  802.16  QAM  BPSK  QPSK  IQ  PA  TDD  HFDD  SAW  SiGe  IF  MIMO  WiFi  

Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器

  • 　　Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器(LNA)產(chǎn)品線的最新成員MAX2667/MAX2669。這兩款完全集成的LNA采用Maxim先進(jìn)的SiGe工藝設(shè)計(jì)，具有0.65dB的超低噪聲系數(shù)，與分立方案或高集成度CMOS方案相比可有效提高接收機(jī)的靈敏度和讀取范圍。MAX2667/MAX2669具有業(yè)內(nèi)最佳的性能、最小的尺寸和最低的電流損耗，是智能手機(jī)、個(gè)人導(dǎo)航設(shè)備(PND)及其它電池供電手持設(shè)備的理想選擇。 　　MAX2667/MAX2669提供不同的線性指標(biāo)選項(xiàng)，以滿足不同的系統(tǒng)要求。對(duì)于要求在存
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SiGe半導(dǎo)體獲“最受尊敬的私營半導(dǎo)體企業(yè)獎(jiǎng)”提名

  • 　　全球領(lǐng)先的硅基射頻 (RF) 前端模塊 (FEM) 和功率放大器 (PA) 供應(yīng)商SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 已獲全球半導(dǎo)體聯(lián)盟 (Global Semiconductor Alliance, GSA) 提名為2010年度“最受尊敬的私營半導(dǎo)體企業(yè)獎(jiǎng)”之候選者，優(yōu)勝者將于12月9日在硅谷圣克拉拉會(huì)議中心舉辦的頒獎(jiǎng)晚宴上宣布。 　　
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