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1.77億美元,安世半導(dǎo)體脫手英國(guó)最大晶圓廠

  • 在英國(guó)晶圓廠 Newport Wafer Fab(NWF)收購(gòu)案按下回退鍵一年后,聞泰科技被迫出售了 NWF 母公司 NEPTUNE 6 LIMITED100% 股權(quán)。11 月 8 日晚間,聞泰科技公告,全資子公司 Nexperia B.V.(下稱「安世半導(dǎo)體」)擬轉(zhuǎn)讓 NEPTUNE 6 LIMITED 的 100% 股權(quán),受讓方為紐交所上市公司 Vishay 的全資子公司 Siliconix,交易金額基礎(chǔ)值為 1.77 億美元(含安世半導(dǎo)體對(duì)標(biāo)的公司的債權(quán))。聞泰科技稱,向 Siliconix 出售
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Vishay Siliconix推出CMOS模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V單電源或±2.7V~±8V雙電源工作的新器件,充實(shí)其DG92xx系列CMOS模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點(diǎn),可用于高速、高精度開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字: Vishay Siliconix  CMOS  DG9236  DG9251  

Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù),具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。    ?   與前一代S系列器件相比,新的
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Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻,柵極電荷減小到216nC,采用TO-247封裝。   
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