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VMOS管理結(jié)構(gòu)及輸出特性曲線電路圖

根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，VMOS管分為兩大類:VVMOS管，即垂直導(dǎo)電V形槽MOS管；VDMOS管，即垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS管。
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VMOS共源極組態(tài)的驅(qū)動(dòng)及電路圖

在VMOS管所有的工作方式中，共源極組態(tài)的驅(qū)動(dòng)最簡(jiǎn)單。因?yàn)閂MOS管是電壓控制器件，輸入阻抗極高，可以由多重邏輯電路直接驅(qū)動(dòng)。
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VMOS共漏極組態(tài)的驅(qū)動(dòng)及電路圖

VMOS管共漏極組態(tài)的驅(qū)動(dòng)要比共源極組態(tài)的驅(qū)動(dòng)困難些，但還是比雙極晶體管共集電極組態(tài)的驅(qū)動(dòng)容易，當(dāng)需要負(fù)載一段接地時(shí)，或者需要有源推-拉輸出電路時(shí)，場(chǎng)采用共漏極電路。...
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VMOS、IGBT逆變充電電路圖

逆變器中的開(kāi)關(guān)元件選用VMOS或IGBT時(shí)，組成的充電電路，比用晶閘管作開(kāi)關(guān)元件的充電電路的工作頻率高。
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布局智慧家庭市場(chǎng) 千兆超寬帶已是大勢(shì)所趨

　　隨著世界各國(guó)對(duì)于寬帶網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的重視度不斷提升，在基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)建設(shè)方面的要求也越來(lái)越高。從美國(guó)重新定義寬帶速率標(biāo)準(zhǔn)，到香港、日韓等網(wǎng)絡(luò)發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)開(kāi)始布局10G寬帶接入，用戶的寬帶接入速率在快速提升。數(shù)據(jù)顯示，截止2014年底，全球已經(jīng)有50個(gè)運(yùn)營(yíng)商發(fā)布了速率1Gbps的千兆產(chǎn)品，日本、韓國(guó)、香港、新加坡等地1Gbps產(chǎn)品已經(jīng)相當(dāng)普遍。而在2015年，全球運(yùn)營(yíng)商在寬帶建設(shè)方面的步伐明顯加快，香港PCCW、日本So-net等相繼發(fā)布發(fā)布10Gbps產(chǎn)品;而在國(guó)內(nèi)，今年5月份中國(guó)電信在上海、南京、無(wú)錫、成都等
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微型電機(jī)電源的設(shè)計(jì)

摘要：某微型電機(jī)電源是將220V/50Hz的交流電，轉(zhuǎn)換為兩相相位差為90°、頻率為1.5kHz的方波信號(hào)，并且為了克服以往微型電機(jī)有時(shí)在低壓時(shí)無(wú)法啟動(dòng)時(shí)的現(xiàn)象。本文根據(jù)微型電機(jī)在低壓下可靠啟動(dòng)的要求，設(shè)計(jì)了一種高低壓轉(zhuǎn)換電路，以達(dá)到高壓?jiǎn)?dòng)低壓運(yùn)行。
關(guān)鍵字：微型電機(jī)電源高壓?jiǎn)?dòng) 低壓運(yùn)行 VMOS 轉(zhuǎn)換電路 201309

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vmos介紹

V形槽金屬氧化物半導(dǎo)體；垂直溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 V-notch MOS 　　為了適合大功率運(yùn)行，于70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，即VMOS管。　　VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管.它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效,功率開(kāi)關(guān)器件.它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W),驅(qū)動(dòng)電流小(左右0.1μA左右),還具有耐壓高(最高可耐壓1 [ 查看詳細(xì) ]