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Zeno開(kāi)發(fā)特殊SRAM　可提升MOS結(jié)構(gòu)效能

  • 　　Zeno Semiconductor日前開(kāi)發(fā)出將最小靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術(shù)，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數(shù)量變多，存取時(shí)間也可大幅縮短4成。　　據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，Zeno在國(guó)際電子零組件會(huì)議(International Electron Devices Meeting)上展示這項(xiàng)新技術(shù)。Zeno執(zhí)行董事長(zhǎng)Zvi Or-Bach表示，該技術(shù)之所以讓N型MOS電晶體做為穩(wěn)定SRAM，主要是透過(guò)采
  • 關(guān)鍵字： Zeno  SRAM　  
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