Zeno開(kāi)發(fā)特殊SRAM　可提升MOS結(jié)構(gòu)效能

　　Zeno Semiconductor日前開(kāi)發(fā)出將最小靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術(shù)，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數(shù)量變多，存取時(shí)間也可大幅縮短4成。

　　據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，Zeno在國(guó)際電子零組件會(huì)議(International Electron Devices Meeting)上展示這項(xiàng)新技術(shù)。Zeno執(zhí)行董事長(zhǎng)Zvi Or-Bach表示，該技術(shù)之所以讓N型MOS電晶體做為穩(wěn)定SRAM，主要是透過(guò)采用2個(gè)本質(zhì)雙極N-P-N型電晶體所賜。

　　該技術(shù)看似為3個(gè)電晶體記憶單元，但由于是采用本質(zhì)元件，具備開(kāi)放閘極與共集電極的雙極N-P-N型電晶體可被視為虛擬電晶體。換句話說(shuō)，并未占據(jù)多余芯片空間，為一善用單一MOS電晶體架構(gòu)的范例。

　　另外，其記憶單元大小也只有0.025平方微米，比一般0.127微米還小。

　　Zeno 28奈米SRAM記憶單元大小也比三星電子(Samsung Electronics)10奈米FinFET SRAM記憶單元小37%，不管采用3D FinFET或全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)平面晶圓，即使在先進(jìn)制程仍可維持其大小水準(zhǔn)。

　　Zeno也希望透過(guò)2款電晶體滿足利基市場(chǎng)需求，包括擁有5倍記憶單元的單一電晶體以及增加1個(gè)存取電晶體成為雙電晶體記憶單元，來(lái)降低漏電流與存取時(shí)間達(dá)4成的電晶體，同時(shí)其記憶單元仍多出3倍。

　　該公司執(zhí)行長(zhǎng)Yuniarto Widjaja指出，單電晶體Bi-SRAM主要鎖定對(duì)價(jià)格敏感及強(qiáng)調(diào)低功耗的市場(chǎng)，例如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)，后者雙電晶體則瞄準(zhǔn)網(wǎng)路或高效能運(yùn)算(HPC)等市場(chǎng)。其大小技術(shù)優(yōu)勢(shì)可在FinFET或FD-SOI等先進(jìn)制程或較早制程上得以發(fā)揮，Zeno也針對(duì)邏輯與存儲(chǔ)器芯片推出架構(gòu)。

　　評(píng)論指出，一旦Zeno透過(guò)雙功能數(shù)位電晶體將其他元件縮小尺寸，將等于可避免繼續(xù)透過(guò)采取更先進(jìn)制程微縮必要性。有別于一般公司采取持續(xù)微縮芯片做法以便容納更多電晶體，Zeno則是開(kāi)發(fā)更少與更小電晶體技術(shù)來(lái)達(dá)到同樣效果。

　　Zeno技術(shù)優(yōu)勢(shì)并非只有采用本質(zhì)雙極電晶體，同時(shí)也省略會(huì)占用芯片面積的電容器等元件。換句話說(shuō)，雖采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程，但可達(dá)到元件小5倍以及存取時(shí)間更快40%的結(jié)果。

　　Zeno架構(gòu)與制程目前擁有50件以上專(zhuān)利，該公司則透過(guò)授權(quán)IP方式向其他公司開(kāi)放，不過(guò)并未透露其客戶(hù)名單。