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單片機FLASH與RAM、ROM的關(guān)系

  • 單片機FLASH與RAM、ROM的關(guān)系- 單片機FLASH主要用作程序存貯器,就是替代以前的ROM,最大的有有點是降低了芯片的成本并且可以做到電擦寫。
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手機需要多大RAM才夠用？看完結(jié)果恍然大悟

  • 手機需要多大RAM才夠用？看完結(jié)果恍然大悟-RAM對性能的影響是非常巨大的，包括標(biāo)準(zhǔn)（DDR3或DDR4）容量、帶寬等等，目前至少8GB RAM對PC來說是非?；A(chǔ)的。雖然硬件結(jié)構(gòu)并不完全相同，但智能手機RAM也越來越大，甚至達(dá)到了6GB，那么這究竟是必要的、還是矯枉過正的噱頭呢？
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DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

  • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM(4)

  • 3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM(4)-前面講了分布式RAM的方方面面，下面以RAM_16S為例，分別給出其在VHDL和Verilog HDL下面的模板代碼（在ISE Project Navigator中選擇 Edit--- Language Templates，然后選擇VHDL 或者Verilog, 最后是Synthesis Templates --- RAM，在中也有具體調(diào)用過程的描述）
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3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（3）

  • 3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（3）-前面簡要介紹了Spartan-3系列FPGA中分布式RAM的基本特性。為什么不從更高級的Virtex系列入手呢？我仔細(xì)看了一下各個系列的介紹、對比，Spartan系列基本就是Virtex系列的精簡版，其基本原理是一樣的，所以從簡單的入手來融會貫通未嘗不是一個好辦法。
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3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（1）

  • 3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（1）-在賽靈思Spartan-3、3E等系列的FPGA中，其邏輯單元CLB中一般含有不同數(shù)量的單端口RAM（SRAM）或者雙端口RAM（DRAM），這里的“單”或者“雙”是由我們開發(fā)人員定義的。
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3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（2）

  • 3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（2）-帶有異步寫/同步讀的SRAM，其中的同步讀取可以使用與分布式RAM相關(guān)聯(lián)的觸發(fā)器實現(xiàn)。
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6系列FPGA中使用塊RAM的心得(4)

  • 6系列FPGA中使用塊RAM的心得(4)-然后調(diào)用sinplify，對其進行綜合，結(jié)果很不順利。首先是synplify報不支持器件，才發(fā)現(xiàn)synplify 9.6.2是2008年的產(chǎn)品，比Spartan6器件還要老。更新到Synplify Pro D-2010.03之后，器件是支持了，但是一綜合就報錯停止了，卻不提示有什么錯誤。
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詳細(xì)解讀Zynq的三種啟動方式(JTAG,SD,QSPI)

  • 詳細(xì)解讀Zynq的三種啟動方式(JTAG,SD,QSPI)-本文介紹zynq上三種方式啟動文件的生成和注意事項，包括只用片上RAM（OCM）和使用DDR3兩種情況。 JTAG方式 JTAG方式是調(diào)試中最常用的方式，在SDK中 在“Project Explorer”窗口工程上右鍵->Debug As->Debug Configurations可以看到以下窗口 首次打開左邊窗口中Xilinx C/C++ application(GDB)下沒有子項，這時雙擊Xilinx C/C++ application(GD
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機床數(shù)控系統(tǒng)中嵌入式plc的設(shè)計

  • 機床數(shù)控系統(tǒng)中嵌入式plc的設(shè)計-在機床數(shù)控系統(tǒng)中，電氣設(shè)備的控制占有重要的地位。目前，一般采用可編程控制器（PLC）進行機床電氣控制。PLC可靠性高，使用方便，對于復(fù)雜的，控制點數(shù)較多的應(yīng)用場合，可以在PLC基本單元外加上一定數(shù)目的擴展單元，實現(xiàn)復(fù)雜的電氣控制功能。
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識

  • 一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識-如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫入一次呢？將參數(shù)存儲到固定的地址，則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數(shù)修改時，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
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簡述開發(fā)更高可靠性的嵌入式系統(tǒng)技巧

  • 簡述開發(fā)更高可靠性的嵌入式系統(tǒng)技巧-就像很遙遠(yuǎn)年代的人們思想還很保守，固守著自己一方凈土獨享著一份安逸?？傉J(rèn)為天圓地方一直在平淡而充實的生活，又好似紅樓夢中的劉姥姥走進大觀園看得眼花繚亂。
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行車記錄儀中的RAM存儲，你了解多少？

  • 行車記錄儀中的RAM存儲，你了解多少？-作為FRAM（鐵電存儲器）產(chǎn)品與技術(shù)的全球領(lǐng)先提供商，富士通電子的FRAM產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于計量、RFID、醫(yī)療電子、工業(yè)……其實，F(xiàn)RAM還可在大多數(shù)汽車子系統(tǒng)中用于非易失性數(shù)據(jù)記錄，如智能安全氣囊、穩(wěn)定控制、動力傳動機構(gòu)、儀表盤儀表、電池管理、發(fā)動機控制和娛樂信息節(jié)目應(yīng)用，且能夠承受更高級別的溫度范圍。
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【E問E答】聽說華為3GRAM比其他廠商4GB還要流暢，是真的嗎？

  • 　　近期，筆者在網(wǎng)上看到一篇關(guān)于華為在中國互聯(lián)網(wǎng)大會的發(fā)言，并也有人傳言稱華為的3GB運存比其他廠商的4GB還要流暢。 　　筆者先做個普及，RAM也就是運行內(nèi)存指的是運行程序的內(nèi)存，由于開的應(yīng)用占得比例是固定的，要想在多開應(yīng)用下減少運行內(nèi)存只能靠縮減應(yīng)用程序來實行，當(dāng)下做的最好的是Flyme，在小運存的手機產(chǎn)品上卻能做到單一應(yīng)用的效果。 　　那么有人會說那華為是在吹嗎?不可否認(rèn)也有一定的成份，畢竟在相同的效果下壓縮其他程序達(dá)到短暫的流暢雖然可以但在實際運用中想要超過多出1個G的產(chǎn)品顯然有些不切實際
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【E問E答】單片機RAM測試故障方法有幾種？

  • 　　在各種單片機應(yīng)用系統(tǒng)中，芯片存儲器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對系統(tǒng)的可靠性進行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲器發(fā)生故障對系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對性地介紹了幾種常用的單片機系統(tǒng)RAM測試方法，并在其基礎(chǔ)上提出了一種基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的RAM故障測試方法?！　∫?、 RAM測試方法回顧　　方法1：一種測試系統(tǒng)RAM的方法是分兩步來檢查，先后向整個數(shù)據(jù)區(qū)送入#00H和#FFH，再先后讀出進行比較，若不一樣，則說明出錯?！　》椒?：方法1并不
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