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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

用CMOS“D”觸發(fā)器構(gòu)成的脈沖發(fā)生器

CMOS乘法DAC架構(gòu)圖

  • 基于突破性10位CMOSAD7520的電阻梯乘法DAC最初用于反相運(yùn)算放大器,而放大器的求和點(diǎn)(IOUTA)則提供了方便的虛擬地（圖1）.圖1.CMOS乘法DAC架構(gòu)
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CMOS非門(mén)組成線性放大器電路圖

  • 如圖所示是用CMOS非門(mén)電路加入負(fù)反饋后組成的線性放大器。圖中A是由一個(gè)非門(mén)組成的一級(jí)線性放大器，B所示是由三個(gè)非門(mén)串聯(lián)構(gòu)成的一級(jí)線性放大器。圖中R1是反饋偏置電阻，它構(gòu)成直流全反饋，使工作點(diǎn)穩(wěn)定，同時(shí)也構(gòu)成交流的...
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CMOS市場(chǎng)并不只有索尼 這些廠商存在感也很強(qiáng)

  • 如今的索尼傳感器比索尼手機(jī)的存在感無(wú)疑更加強(qiáng)。雖然索尼IMX系列傳感器相比三星、OV等廠商CMOS在主攝像頭位置的地位有所動(dòng)搖，但是整體來(lái)說(shuō)還是能夠捍衛(wèi)王者寶座。
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CCD與CMOS圖像傳感器對(duì)比

  • 一直以來(lái)，人們總是在討論CMOS和CCD兩種成像器之間的比較優(yōu)勢(shì)。雖然關(guān)于哪個(gè)更勝一籌的爭(zhēng)論紛紜已久，但自始至終卻沒(méi)有任何定論浮出水面。由于人們關(guān)注的主題總在不斷變化，因此，關(guān)于問(wèn)題的答案也是不確定的。科技在
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一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片上天線

  • 采用標(biāo)準(zhǔn)0．18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長(zhǎng)1．6 nm的偶極子天線以及一對(duì)一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對(duì)該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進(jìn)行了仿真和測(cè)試，結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時(shí)具備三次諧波抑制的功能。
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基于CMOS模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)平衡混頻器

  • 1 引言近年來(lái)，無(wú)線通信技術(shù)得到了迅猛地發(fā)展。它對(duì)收發(fā)信機(jī)前端電路提出的新要求是：高線性，低電壓，低功耗，高度集成?；祛l器作為無(wú)線通信系統(tǒng)射頻前端的核心部分之一，其性能的好壞將直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。從
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一種模擬除法器的設(shè)計(jì)及仿真驗(yàn)證CMOS工藝

  • 本文設(shè)計(jì)了一種模擬除法器，在分析討論其工作原理的基礎(chǔ)上，采用CSMC0.5umCMOS工藝，對(duì)電路進(jìn)行了Cadence Spectre 模擬仿真，仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論分析。1 電路的設(shè)計(jì)與分析圖1 CCII 電路結(jié)構(gòu)模擬除法器由單電源+5V供
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DSP硬件設(shè)計(jì)的幾個(gè)注意事項(xiàng)

  • 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過(guò)CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP電路板設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并且同簡(jiǎn)單的數(shù)字電路設(shè)計(jì)相比較，面臨更多相似的問(wèn)題。
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用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計(jì)及其成像驗(yàn)證

  • 摘要：在對(duì)低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個(gè)重要的研究和設(shè)計(jì)方向，設(shè)計(jì)了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0．5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行
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基于USB2I2C接口的CMOS圖像傳感器在線調(diào)試系統(tǒng)

  • CMOS圖像傳感器是近年來(lái)發(fā)展最為快速的新型固態(tài)圖像傳感器，它利用其自身的工藝和集成的特點(diǎn)將光電成像陣列與信號(hào)模擬放大和數(shù)字圖像處理電路集成于單芯片內(nèi)，與CCD圖像傳感器相比，具有體積小、功耗低、控制簡(jiǎn)單、
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CCD與CMOS的區(qū)別

  • 技術(shù)的角度比較，CCD與CMOS的區(qū)別有如下四個(gè)方面的不同：1.信息讀取方式CCD電荷耦合器存儲(chǔ)的電荷信息，需在同步信號(hào)控制下一位一位地實(shí)施轉(zhuǎn)移后讀取，電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時(shí)鐘控制電路和三組不同的電源相配
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CMOS逐步替代CCD

  • CMOS相比CCD有一些明顯的優(yōu)勢(shì)，最大優(yōu)勢(shì)就是成本，還有就是采樣速度以及當(dāng)前很多產(chǎn)品都比較看重的功耗。1、首先我們來(lái)說(shuō)說(shuō)CMOS相對(duì)CCD傳感器的最大優(yōu)勢(shì)，那就是成本。生產(chǎn)單位數(shù)量的CMOS的成本卻要比CCD容易很多，因
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圖像傳感器知識(shí)大全

  • 圖像傳感器*概述圖像傳感器是組成數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件的不同，可分為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類。CCD
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具有實(shí)時(shí)跟蹤功能的憶阻視覺(jué)傳感器架構(gòu)

  • 　　1.前言 　　過(guò)去的幾十年，業(yè)界圍繞CMOS架構(gòu)視覺(jué)傳感器理論進(jìn)行了大量廣泛的研究和探討，旨在于在成像早期階段處理圖像，從場(chǎng)景中提取最重要的特征，如果換作其它方式達(dá)到同樣目的，例如，使用普通計(jì)算技術(shù)，則需要為此花費(fèi)昂貴的成本[1],[2],[3],[4],[5],[6]。在這個(gè)方面，運(yùn)動(dòng)偵測(cè)是最重要的圖像特征之一，是多個(gè)復(fù)雜視覺(jué)任務(wù)的基礎(chǔ)。本文重點(diǎn)介紹時(shí)間對(duì)比概念，這個(gè)概念在很多應(yīng)用中特別重要，包括交通監(jiān)控、人體運(yùn)動(dòng)拍照和視頻監(jiān)視[2], [4], [5], [7]。這些應(yīng)用要求圖像偵測(cè)精確并可靠，
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cmos digital image sensor介紹

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