cmos+dps 文章 進(jìn)入cmos+dps技術(shù)社區(qū)
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路
- 當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?，脈沖控制信號(hào)會(huì)通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過
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NRAM已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場？
- 美國記憶體技術(shù)開發(fā)商N(yùn)antero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準(zhǔn)備“浮出水面”──因?yàn)樵摴菊J(rèn)為其獨(dú)家的非揮發(fā)性隨機(jī)存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經(jīng)準(zhǔn)備好取代企業(yè)應(yīng)用或消費(fèi)性應(yīng)用市場上的儲(chǔ)存級記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時(shí)表示，NRAM是以碳奈
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CMOS電容式微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)
- 隨著智能手機(jī)的興起，對于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視，近年來廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。 電容式微麥克風(fēng)原理
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路
- 當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙荩}沖控制信號(hào)會(huì)通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過
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如何挑選一個(gè)高速ADC
- 高速ADC的性能特性對整個(gè)信號(hào)處理鏈路的設(shè)計(jì)影響巨大。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在考慮ADC對基帶影響的同時(shí)，還必須考慮對射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間，評價(jià)和選擇的責(zé)任常常落在系統(tǒng)設(shè)計(jì)師身上，而系統(tǒng)設(shè)計(jì)師并不都是ADC專家。 還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設(shè)計(jì)樣機(jī)將要完成時(shí)才能知道所有系統(tǒng)級結(jié)果，而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。 影響很多無線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號(hào)電平時(shí)的失真度。大多數(shù)無線傳輸?shù)竭_(dá)ADC的信號(hào)
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10納米碳納米管CMOS器件面世
- 近日，在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢材料創(chuàng)新發(fā)展專項(xiàng)支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在世界上首次研制出10納米碳納米管互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團(tuán)隊(duì)還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。 下一步，該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標(biāo)準(zhǔn)的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺(tái)，并基于該平臺(tái)開發(fā)碳納米管CPU，最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
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AT89S52的機(jī)載電氣盒測試儀的設(shè)計(jì)
- 1 引言 AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲(chǔ)器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，AT89S52擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 8k字節(jié)Flash，256字節(jié)RAM，32
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基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全
- AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲(chǔ)器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱單片機(jī)。本文為您介紹基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全，僅供參考。 基于AT89C51的操控鍵盤的設(shè)計(jì) 本文以PC機(jī)通用鍵盤為例，闡述研制小型一體化專用鍵盤的方法。 采用小型一體化專用鍵盤不但可完成按鍵的功能，而且要求根據(jù)儀器外形進(jìn)行一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品
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elmos慕尼黑電子展：秀我不同
- 說起Elmos，也許我們更了解它的競爭者英飛凌(Infineon)、美信半導(dǎo)體(Maxim)，因?yàn)橄啾戎拢珽lmos進(jìn)入中國的時(shí)間并不長。但是，我們卻早已開始使用Elmos的產(chǎn)品了：Elmos的超聲波、被動(dòng)紅外以及馬達(dá)控制器芯片在全球的出貨量很大，僅超聲波倒車?yán)走_(dá)芯片全球出貨量就高達(dá)5000萬片。此次慕尼黑展商，Elmos展示的主要產(chǎn)品是停泊車系統(tǒng)傳感器和馬達(dá)控制器。Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke介紹了此次展示的重點(diǎn)產(chǎn)品與應(yīng)用
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索尼重組看到曙光：股價(jià)昨日創(chuàng)六年新高
- 社長平井一夫?qū)τ谌毡舅髂岬摹耙粋€(gè)索尼”改造，以失敗告終。不過，在一個(gè)強(qiáng)勢人物吉田憲一郎(現(xiàn)任CFO)的加盟之下，索尼的重組，正在取得進(jìn)展，并看到曙光。周三，索尼股價(jià)在盤中，創(chuàng)出了六年新高。 根據(jù)日經(jīng)新聞的報(bào)道，周三索尼在盤中的股價(jià)一度達(dá)到3787.5日元(相當(dāng)于31.4美元)，這是過去六年零七個(gè)月中的最高紀(jì)錄。 索尼最大的兩個(gè)業(yè)務(wù)包袱是電視機(jī)和智能手機(jī)。這兩個(gè)“困難戶”的重振，尚未傳出重大捷報(bào)。據(jù)媒體分析，索尼股價(jià)的利好，主要來自索尼目前在全
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應(yīng)對5G 全雙工RF加倍無線通信傳輸速度
- 在大學(xué)的電子工程系課程中，我們曾經(jīng)學(xué)過“全雙工”(發(fā)送與接收)必須在不同的頻率或在不同的時(shí)間(技術(shù)上來說是半雙工)中進(jìn)行。也就是說，如果不是在不同的頻率下同時(shí)進(jìn)行發(fā)射與接收，就是在不同的時(shí)間下以相同頻率發(fā)射與接收。然而，根據(jù)美國紐約哥倫比亞大學(xué)(Columbia University)的研究人員指出，這種單向的“全雙工”其實(shí)是騙人的。 哥倫比亞大學(xué)研究人員們最近展示一種稱為“哥倫比亞高速與毫米波IC”(CoSMIC)的互補(bǔ)金
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Sony CMOS轉(zhuǎn)攻中低階市場、挑戰(zhàn)50%市占
- 看準(zhǔn)中國、印度等新興國家中低階智慧手機(jī)需求持續(xù)擴(kuò)大，Sony據(jù)悉已研發(fā)出廉價(jià)版CMOS影像感測器產(chǎn)品、瞄準(zhǔn)中低階市場，期望借此于2015年將CMOS影像感測器全球市占率提高至50%以上水準(zhǔn)。 日經(jīng)新聞13日報(bào)導(dǎo)，Sony已研發(fā)出擁有高畫質(zhì)影像(1,300萬及800萬畫素 )、惟降低自動(dòng)對焦(AF)速度或省略HDR功能的廉價(jià)版CMOS感測器產(chǎn)品，目標(biāo)為搶攻新興國家中低階智慧手機(jī)市場。 據(jù)報(bào)導(dǎo)，Sony該廉價(jià)版CMOS感測器產(chǎn)品售價(jià)雖不明，惟預(yù)估主要將提供給中國1,000元人民幣或700元人民
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索尼蟬聯(lián)CMOS影像傳感器龍頭 豪威跌至第三
- CMOS影像傳感器大餅誘人，吸引Sony(索尼)、三星等大廠積極卡位。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement統(tǒng)計(jì)，Sony(索尼)去年在CMOS市場搶取豪奪，共拿下27%的市占率，繼續(xù)傲視群雄。 三星也不惶多讓，奮力搶下19%的份額，排名超越豪威科技(OmniVision Technologies)成為第二。據(jù)EETimes報(bào)導(dǎo)，CMOS前三大廠兩年前差距還只在3個(gè)百分點(diǎn)之間，但來到2014年，Sony(索尼)領(lǐng)先豪威已逾10%。 另外，CMOS市場還有集中化趨勢，前三大廠2014年合計(jì)
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