IMEC總裁Luc van den Hove表示為了開發(fā)新型的混合工藝技術(沿著后摩爾定律), 它的研究所決定與臺積電進行合作。
盡管IMEC己經與諸多先進芯片制造廠在CMOS材料與工藝方面進行合作, 但是仍需要有大量的創(chuàng)新應用來推動CMOS技術的進步。
IMEC總裁在Dresden的國際電子學年會上認為,IMEC欲開發(fā)專業(yè)應用的CMORE平臺。所謂混合工藝是指把邏輯電路與存儲器采用熱，化學及光學傳感器混合在一起, 或者采用BiCMOS工藝與生物電子接口, 光電子,MEMS及RF電路結合在
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臺積電 CMOS 芯片制造
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，適用于汽車柵極驅動應用，包括直噴裝置和無刷直流電機驅動器。
AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高側驅動器的開關傳輸時間非常短，可以在更高的頻率下驅動MOSFET或IGBT，由此可通過使用更小的濾波元件縮小系統尺寸。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“AUIRS2117S 和 AUIRS2118S拓展了IR的汽車用I
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IR CMOS IC
本文基于對稱OTA結構，設計了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統的設計基礎上引入了動態(tài)頻率補償及彌勒補償。新設計的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內，其增益高達60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達70 dB，系統達到了較高的性能。
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CMOS LED 驅動器 改進型
歐洲半導體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場發(fā)展。
可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務, 并創(chuàng)造應有的價值。顯然近年來其pilot生產線中EUV光刻研發(fā)的 費用高聳,也難以為繼。
近幾年來IMEC與TSMC的關系靠近, 之前它的進步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著NXP趨向fab lite及TSMC反而增強它在全球的超級能力,IMEC與TSMC在各個方面加強合作。
IMEC作
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IMEC 光刻 CMOS
致力于豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求，在消費、計算和存儲應用中無需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見串行有線接口提供優(yōu)異的鏈接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。產品提供
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IDT 振蕩器 CMOS
海力士(Hynix)唯一還在運作中的8寸晶圓廠M8產線，下周將確定往后的運用方案，海力士的選擇受到業(yè)界矚目。海力士正在尋找解決辦法，因為持續(xù)運作，早晚會遭遇收益性問題，而要以出銷方式處理也不是件容易的事情。部分IC設計業(yè)者提議將此設施作為代工專用廠使用，另外也有建構成韓國代表性純代工廠的意見。
海力士社長權五哲22日在財報說明會中，針對M8 廠是否會改變?yōu)榇Ｓ脧S的問題表示，目前正在多方探討M8廠長期性的活用方案，5月底前可定案。
位于韓國忠清北道清州的M8廠主要生產低容量快閃存儲器，并
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Hynix 晶圓 CMOS
介紹Cypress公司的圖像傳感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并對其兩種快門方式進行了比較。在此基礎上設計它所需要的時序控制電路。選用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作為硬件設計平臺，對采用不同配置和快門的時序控制電路進行了仿真。實驗結果表明，設計的驅動電路能夠滿足成像器的工作需求。
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時序 設計 驅動 IBIS5-B-1300 圖像 傳感器 CMOS 數字信號
日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內存條，雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。
爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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爾必達 40nm CMOS DDR3
低成本CMOS圖像傳感器對醫(yī)學技術的推動作用, 醫(yī)學技術一直是CCD(電荷耦合設備)圖像傳感器的重要應用領域之一?，F在，CMOS傳感器已進入高速發(fā)展時期。究其原因，首先，CMOS圖像質量可與CCS圖像相媲美。其次，利用標準半導體制造工藝，CMOS傳感器在價格方面占據很
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CMOS 圖像傳感器 動作
象過去多年來一樣, 在今年的會上臺積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領域。以下是在一天的會中對于會議的觀察及感受;
1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺積電, 那時正值全球IC業(yè)混亂時代, 它又重新揚帆啟航。但是在此次會上見到張時仍是如1990年首次見到它時那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經歷40nm的風波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認為至今年底公司將從今日的2
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臺積電 CMOS Analog MEMS RF
韓國三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術達到了實用化水平，2010年將批量生產產品。至此，三家大型...
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CMOS 傳感器
臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來越好, 但是產業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。
在近期舉行的臺積電技術會上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高，因此臺積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。
它對于大家說,此種合作關系要從芯片設計開始, 并相信未來臺積電會做得更好。
它同時指出，加強合作要依技術為先。從技術層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構成大的威脅。
非常幸運, 大部分
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臺積電 20nm CMOS
提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實現。所介紹電路的AB特性導致了低功耗和高的轉換速率，使它很適合驅動大的電容負載。仿真結果已經提供了該電路的操作。
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CMOS 低功耗 轉換速率 模擬
摘 要： 基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負反饋結構，設計了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應的優(yōu)化設計方法。仿真結果表明，該放大器具有良好的性能
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3GHz CMOS 低噪聲放大器 優(yōu)化設計
這個電路是使用，CMOS集成電路CD4013雙D正反器，分別接成一個單穩(wěn)態(tài)電路和一個雙穩(wěn)態(tài)電路。單穩(wěn)態(tài)電路的作用是對觸摸信號進行脈波寬度整形，保證每次觸摸動作都可靠。雙穩(wěn)態(tài)電路用來驅動晶體管Q1的開通或關閉，進而控
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開關 觸摸 CD4013 集成 CMOS
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