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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計(二)
- 3 仿真分析及具體設計結果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結構的設計中,一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結構。其原理如下:主要利用結構中的RC延遲作用,一般T=RC被設計為100ns-1000ns之間,而
- 關鍵字: VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護結構的有效設計是CMOS集成電路可靠性設計的重要任務之一,其ESD結構與工藝技術、特征尺寸密切相關,隨著IC工藝技術的進一步發(fā)展,特征尺寸越來越小,管子的柵氧層厚度越來越
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CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應用
- 未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場預計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術進行精確測量并報告消耗的電量,智能電表比機電式電表復雜,但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
- 關鍵字: CMOS 數(shù)字隔離器 智能電表 中的應用
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