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爾必達(dá)蠶食臺(tái)12寸廠DRAM產(chǎn)能

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄再度訪臺(tái)，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長(zhǎng)陳民良聯(lián)合召開記者會(huì)，說(shuō)明雙方合作代工細(xì)節(jié)。由于坂本幸雄過(guò)去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過(guò)程頗耐人尋味，爾必達(dá)2009年以來(lái)除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲(chǔ)器(GDDR)代工合作，日廠在臺(tái)灣存儲(chǔ)器領(lǐng)域勢(shì)力越來(lái)越龐大，不論臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)未來(lái)怎么走，爾必達(dá)可說(shuō)是這場(chǎng)臺(tái)美日DRAM廠整并下的大贏家。 　　爾必達(dá)經(jīng)過(guò)2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊，2009年元?dú)庵饾u恢復(fù)后，
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基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計(jì)

  • 　1 引言　　DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號(hào)質(zhì)量更好等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖 像處理系統(tǒng))設(shè)計(jì)中由于存儲(chǔ)
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iSuppli：DDR3將成DRAM市場(chǎng)主流，市占一半以上

  • 　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測(cè)，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場(chǎng)出貨占比可望突破50%。 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，以單位出貨量計(jì)算，DDR3明年第2季的市占率將達(dá)50.9%，較今年第2季的14.2%大幅竄升。 　　iSuppli另預(yù)估，至2010年底，DDR3出貨市占率將達(dá)到71%。 　　iSuppli分析師Mike Howard于報(bào)告中寫道，DDR3的速度比DDR2快50%，耗電量則低30%。他強(qiáng)調(diào)：&ldquo
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iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場(chǎng)主流

  • 　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) iSuppli 的最新預(yù)測(cè)，DDR3 (Double Data Rate 3) 標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球 DRAM 市場(chǎng)出貨占比可望突破 50%。 　　以單位出貨量計(jì)算，DDR3 明年第 2 季的市占率將達(dá) 50.9%，較今年第 2 季的 14.2% 大幅竄升。 　　iSuppli 另預(yù)估，至 2010 年底， DDR3 出貨市占率將達(dá)到 71%。 　　iSuppli 分析師霍華 (Mike Howard) 于報(bào)告中寫道，DDR3 的速度比 DD
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DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過(guò)技術(shù)門檻

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來(lái)，全球DRAM廠商在過(guò)度樂觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴(kuò)充競(jìng)賽，這也使得DRAM供過(guò)于求的陰影揮之不去;自此，DRAM價(jià)格持續(xù)下挫，過(guò)去八季中，除龍頭廠商三星電子外，多數(shù)DRAM廠商也都難逃嚴(yán)重虧損的命運(yùn)。 　　其中，德國(guó)DRAM制造商奇夢(mèng)達(dá)更因不堪虧損，于2009年第一季宣布破產(chǎn)，自此退出DRAM市場(chǎng)。正因如此，新一代DRAM規(guī)格DDR3的推出，被視為全球DRAM產(chǎn)業(yè)再起的重要關(guān)鍵。 　　DIGITIMES Research指出，事
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DDR內(nèi)存合約價(jià)格大漲 南科華亞科受惠

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，11月上旬動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)合約價(jià)出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)皆大漲超過(guò)15%，DDR2 2Gb合約均價(jià)漲幅也達(dá)13.9%，預(yù)估11月下旬DDR2合約價(jià)可望持續(xù)攀高，以合約市場(chǎng)為主的南科、華亞科預(yù)估受惠較大。 　　集邦科技昨最新報(bào)價(jià)，11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價(jià)達(dá)2.38美元，比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)達(dá)2.25美元，大漲15.98%。 　　另DDR2 2Gb合約均價(jià)從36美元上漲到41美元，漲幅達(dá)13.9
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DRAM合約價(jià)大漲，今年沒淡季

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價(jià)持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價(jià)，足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫，趁機(jī)向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認(rèn)為，隨著PC OEM廠第4季大量轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3平臺(tái)，未來(lái)DDR3現(xiàn)貨及合約價(jià)將同步凌駕DDR2，而現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR3報(bào)價(jià)亦展開攻勢(shì)，一舉站上3美元大關(guān)。 　　DRAM價(jià)格11月上旬漲幅超乎預(yù)期，2GB DDR2模塊漲勢(shì)尤其猛烈，大漲19~21%，平均價(jià)
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爾必達(dá)和茂德簽署DRAM代工協(xié)議

  • 　　茂德(ProMos)已和爾必達(dá)(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達(dá)將提供先進(jìn)的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達(dá)DRAM代工服務(wù)。 　　茂德表示，代工服務(wù)以爾必達(dá)最先進(jìn)的1G DDR3產(chǎn)品為主，預(yù)計(jì)2010年上半完成試產(chǎn)，2010年下半大量生產(chǎn)。此外，爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月將使用多達(dá)3.5萬(wàn)片12寸晶圓為爾必達(dá)制造芯片，同時(shí)，采用65奈米制程技術(shù)。 　　茂德董事長(zhǎng)暨總經(jīng)理陳民良表示，爾必達(dá)在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收季增率高達(dá)40.7％

  • 　　根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價(jià)在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價(jià)也在合約價(jià)的帶動(dòng)下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價(jià)格大漲，亦帶動(dòng)DDR2合約價(jià)格的漲勢(shì)，且在第三季國(guó)際DRAM大廠轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3相當(dāng)積極，導(dǎo)致DDR2出貨量減少效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫(kù)存水位，使得本季DDR2合約價(jià)漲幅高達(dá)31%、現(xiàn)貨價(jià)格漲幅亦高達(dá)30%，漲幅與DDR3不惶多讓。 　　第三季各DRAM廠商營(yíng)收在DDR3合約價(jià)
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金士頓：看好明年NAND Flash市場(chǎng)前景

  • 　　遠(yuǎn)東金士頓(Kingston)董事長(zhǎng)蔡篤恭指出，目前PC OEM廠對(duì)于DDR2和DDR3貨源都很缺，產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存水位不高，預(yù)計(jì)到2009年底前都沒有淡季，展望2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，NAND Flash市場(chǎng)受惠終端應(yīng)用多元化發(fā)展，包括手機(jī)應(yīng)用起飛和固態(tài)硬碟(SSD)應(yīng)用浮出水面，加上NAND Flash端的供應(yīng)商有限，預(yù)計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)可優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，而DRAM產(chǎn)業(yè)供不應(yīng)求偏向是短期產(chǎn)能不足，DRAM價(jià)格在2.5美元上下是健康的水位，對(duì)PC廠、DRAM廠雙方是可接受的價(jià)位。 　　蔡篤恭
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海力士半導(dǎo)體預(yù)期第四季DRAM價(jià)格上揚(yáng) 明年市場(chǎng)趨緊

  • 　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體預(yù)估，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片市場(chǎng)將在第四季維持強(qiáng)勁，并指出合約價(jià)格可能在11月進(jìn)一步揚(yáng)升，12月時(shí)趨穩(wěn)。 　　海力士公司主管在投資人電話會(huì)議中稱，由于產(chǎn)業(yè)供應(yīng)增長(zhǎng)有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短缺。 　　他們表示，低耗能的高速DDR3晶片將在明年第一季成為DRAM市場(chǎng)的主流。
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南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺(tái)幣

  • 　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準(zhǔn)備沖刺先進(jìn)制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標(biāo)2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時(shí)將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預(yù)計(jì)2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬(wàn)片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計(jì)將達(dá)640億元，主要用于50納米制程。 　　南亞科和華亞科第3季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，對(duì)于先
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南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景

  • 　　隨著DRAM價(jià)格開始反彈，南亞科和華亞科財(cái)報(bào)虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價(jià)可持續(xù)成長(zhǎng)，更看好PC市場(chǎng)因?yàn)閂ista因素，累計(jì)整整3年未換機(jī)的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當(dāng)時(shí)1年的DRAM產(chǎn)值超過(guò)400億美元，達(dá)到史上最高紀(jì)錄。 　　白培霖指出，2009年DRAM合約價(jià)從8月開始，每個(gè)月以成長(zhǎng)20%的速度往上調(diào)，11月DRAM合約價(jià)可持續(xù)成長(zhǎng)近2個(gè)月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
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海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　據(jù)報(bào)道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會(huì)在本月開始投入量產(chǎn)。 　　此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號(hào)稱是目前主流1Gb DDR3市場(chǎng)上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場(chǎng)份額已經(jīng)達(dá)到了87%，更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場(chǎng)上的主流。 　　根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、超級(jí)計(jì)算機(jī)或
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留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個(gè)月

  • 　　據(jù)摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱，DDR2芯片的價(jià)格未來(lái)將繼續(xù)上漲，并很有可能會(huì)超過(guò)DDR3芯片的售價(jià)，不過(guò)漲價(jià)期應(yīng)該不會(huì)超過(guò)6個(gè)月，而DDR3芯片則將在這段時(shí)間內(nèi)漸成市場(chǎng)主流。據(jù)Wang分析，驅(qū)動(dòng)最近DDR2芯片價(jià)格上漲的主要因素是各大內(nèi)存芯片廠商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)而投放到DDR3芯片的生產(chǎn)上。三星，海力士，爾必達(dá)以及鎂光幾家大廠均在積極抬高DDR3芯片的產(chǎn)能，同時(shí)壓低DDR2芯片的產(chǎn)能。 　　盡管如此，如果中國(guó)大陸國(guó)慶節(jié)期間DDR2芯片的市場(chǎng)需求不如預(yù)期的強(qiáng)勢(shì)，那么DDR2芯片的價(jià)格仍有
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ddr3介紹

目錄概述 設(shè)計(jì) 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn) 概述 　　針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下： 　　(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]

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