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三星將增產(chǎn)DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　三星公司半導(dǎo)體事業(yè)部總裁Oh-Hyun Kwon透露，三星公司正在逐步增加其DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能，因此預(yù)計(jì)最近市場上出現(xiàn)的內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張的局面很快便會(huì)有所緩解。據(jù)Kwon表示，最近市場對DDR3內(nèi)存芯片的需求漲勢很旺，甚至超過了三星的預(yù)期，為了滿足市場的需求，三星準(zhǔn)備增大DDR3芯片的產(chǎn)能，另外Kwon還宣稱三星目前已經(jīng)在使用40nm制程技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片產(chǎn)品，而明年40nm制程則將成為三星的主力制程。 　　另外Kwon還表示三星將主要通過制程技術(shù)升級等技術(shù)升級手段來達(dá)到增加產(chǎn)能的目的，他并稱建造
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三星加大DDR3芯片產(chǎn)量緩解市場需求壓力

  • 　　據(jù)報(bào)道，三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺(tái)北舉行的三星年度移動(dòng)解決方案論壇上表示，三星正在提高DDR3芯片產(chǎn)量，以緩解目前市場上DDR3芯片供應(yīng)短缺現(xiàn)狀。 　　Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增長量超過了先前的預(yù)計(jì)，導(dǎo)致了DDR3供應(yīng)短缺。不過三星目前已經(jīng)加大了DDR3芯片生產(chǎn)量，以滿足市場的增長需求，40nm工藝將成為他們明年芯片生產(chǎn)的主要處理技術(shù)。 　　Oh-Hyun Kwon認(rèn)為，提高產(chǎn)量的方法并不只是多建幾家工廠，技術(shù)升級將是三星以后提高芯片產(chǎn)量的主要途徑。
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Rambus聯(lián)合金士頓開發(fā)出“線程式內(nèi)存條技術(shù)”

  • 　　Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān)，不過這次他們則和金士頓合作開發(fā)出了一種可用于增大DDR3內(nèi)存帶寬的技術(shù)“線程式內(nèi)存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現(xiàn)有的DDR3技術(shù)，不過將內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片進(jìn)行了分塊處理，位于各個(gè)分塊內(nèi)部的芯片共享一個(gè)命令/地址端口，不過數(shù)據(jù)傳 輸部分則可通過各自獨(dú)立的傳輸通道進(jìn)行傳輸，傳輸?shù)奈粚捒蛇_(dá)64字節(jié)(512bit)，這樣就可以將傳統(tǒng)DDR3內(nèi)存的帶寬提升50%左右，而且采用這種 技術(shù)
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三星芯片部總裁：全球芯片需求形勢好于預(yù)期

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子芯片部門總裁權(quán)五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形勢好于公司原來預(yù)期，因此三星電子正在提高芯片產(chǎn)量以滿足市場需求。 　　權(quán)五鉉將需求提升歸功于企業(yè)重建庫存以及政府的經(jīng)濟(jì)刺激政策。 　　在臺(tái)北的新聞發(fā)布會(huì)上，權(quán)五鉉舉例道個(gè)人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強(qiáng)勁。三星電子正在臺(tái)北舉行一個(gè)關(guān)于手機(jī)行業(yè)的論壇。 　　他表示，三星正在提高DDR3芯片的產(chǎn)量，預(yù)計(jì)將有助于結(jié)束市場供給短缺的現(xiàn)象。 　　權(quán)五鉉表示，此前由于制造商產(chǎn)能過度擴(kuò)張，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取
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8月份內(nèi)存芯片價(jià)格繼續(xù)上揚(yáng) 達(dá)到盈利水平

  • 　　自今年初芯片價(jià)格達(dá)到數(shù)年來的最低點(diǎn)后開始上揚(yáng)，8月份繼續(xù)上揚(yáng)，終于達(dá)到盈利水平。 　　Gartner報(bào)告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價(jià)格上漲了18.9%，為每個(gè)1.58美元;老款芯片DDR2合同價(jià)格上漲了13.7%，為每個(gè)1.45美元。 　　內(nèi)存芯片價(jià)格上漲正值PC廠商生產(chǎn)并向全球市場發(fā)送PC之際。對許多國家而言，返校季節(jié)即將來臨，許多學(xué)生會(huì)攜新筆記本返校或其父母購買臺(tái)式機(jī)。因返校季節(jié)成為銷售旺季，會(huì)使內(nèi)存市場價(jià)格上揚(yáng)，有時(shí)價(jià)格會(huì)一直上揚(yáng)至12月底，年底將是圣誕銷售旺季。 　　今年微軟Wi
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8月份內(nèi)存芯片價(jià)格繼續(xù)上揚(yáng) 達(dá)到盈利水平

  • 　　自今年初芯片價(jià)格達(dá)到數(shù)年來的最低點(diǎn)后開始上揚(yáng)，8月份繼續(xù)上揚(yáng)，終于達(dá)到盈利水平。 　　Gartner報(bào)告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價(jià)格上漲了18.9%，為每個(gè)1.58美元;老款芯片DDR2合同價(jià)格上漲了13.7%，為每個(gè)1.45美元。 　　內(nèi)存芯片價(jià)格上漲正值PC廠商生產(chǎn)并向全球市場發(fā)送PC之際。對許多國家而言，返校季節(jié)即將來臨，許多學(xué)生會(huì)攜新筆記本返?；蚱涓改纲徺I臺(tái)式機(jī)。因返校季節(jié)成為銷售旺季，會(huì)使內(nèi)存市場價(jià)格上揚(yáng)，有時(shí)價(jià)格會(huì)一直上揚(yáng)至12月底，年底將是圣誕銷售旺季。 　　今年微軟Wi
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日韓擴(kuò)產(chǎn) DDR3漲勢受阻

  • 　　消息指出，韓國DRAM大廠三星(Samsung)、海力士(Hynix)計(jì)劃本月底大幅提高DDR3產(chǎn)能，此動(dòng)作恐削緩目前DDR3供不應(yīng)求的力道，短期價(jià)格上漲恐出現(xiàn)阻力，使得上周五最新現(xiàn)貨報(bào)價(jià)已落破2美元。 　　此外，日本大廠爾必達(dá)(Elpida)也計(jì)劃將位于廣島的主力生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)生產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)9月起DDR3的月產(chǎn)量將自現(xiàn)行的2到3萬片倍增至7.5萬片。 　　臺(tái)灣力晶上周五亦開始全面停止無薪假，且擴(kuò)大投片搶攻DDR3市場。 　　業(yè)界表示，DRAM廠爭相擴(kuò)大DDR3產(chǎn)出，供給與需求面逐漸取得平衡
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第二季度爾必達(dá) DRAM銷售大增

  • 　　據(jù) iSuppli 公司，日本爾必達(dá)是第二季度全球 DRAM 市場明星，大幅提價(jià)導(dǎo)致其營業(yè)收入比第一季度勁增了 50%。 　　在五大 DRAM 供應(yīng)商中，第二季度爾必達(dá)業(yè)績最好，營業(yè)收入從第一季度時(shí)的 4.97 億美元上升到 7.45 億美元。第二季度該公司 DRAM 的平均銷售價(jià)格(ASP)比第一季度提高了 32%，推動(dòng)其業(yè)績明顯提升。 　　爾必達(dá)通過擴(kuò)大面向移動(dòng)與消費(fèi)應(yīng)用的專用 DRAM 銷售，大幅提高了營業(yè)收入與 ASP。這些專用 DRAM 價(jià)格高于通用產(chǎn)品，幫助爾必達(dá)取得了優(yōu)于競爭對手的業(yè)
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Q2全球DRAM內(nèi)存市場銷售收入環(huán)比增長34%

  • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli稱，2009年第二季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入達(dá)45億美元，比今年第一季度的34億美元增長了34%。今年第一季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入比去年第四季度下降了19%。不過，與去年同期相比，第二季度的DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入下降了33.5%。 　　日本內(nèi)存芯片供應(yīng)商Elpida Memory第二季度的DRAM內(nèi)存銷售收入是7.45億美元，比第一季度的4.79億美元增長了50%，是所有DRAM內(nèi)存芯片廠商中增長率最高的。第二季度DRAM內(nèi)存芯片的平均銷售價(jià)格比第一
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力晶復(fù)工生產(chǎn)　投片量近8萬片

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)景氣回春，價(jià)格逐漸觸底反彈，促使原本減產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠紛復(fù)工生產(chǎn)，其中，華亞科和南亞科率先增產(chǎn)，力晶近期亦宣布全面取消無薪假，大家都想多生產(chǎn)一點(diǎn)，為2009年傳統(tǒng)旺季行情拼一拼。存儲(chǔ)器業(yè)者表示，力晶目前單月投片量已接近8萬片，但其中有50%是晶圓代工生意，標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器的量還不多。 　　力晶2008年10月在DRAM價(jià)格過低，虧損劇烈的情況下，率先宣布減產(chǎn)，之后引發(fā)其它DRAM廠包括爾必達(dá)(Elpida)、南亞科、華亞科、海力士(Hynix)、茂德等陸續(xù)跟進(jìn)，在供給逐漸減少的情況下，
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上網(wǎng)本LED背光是未來主流

  • 　　DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、顯示和背光對于上網(wǎng)本來說是較耗電的部分?，F(xiàn)在在芯片組上Intel、VIA和AMD公司均已提出將推出大幅降低功耗的產(chǎn)品，因此后續(xù)改為采用較省電的DDR3以及LED背光方式能夠使上網(wǎng)本更節(jié)能。 　　由于本身相關(guān)芯片均比筆記本電腦的功率需求低，所以上網(wǎng)本相對有較高的電池使用時(shí)間。現(xiàn)在的電源方案與筆記本電腦應(yīng)該是相同的設(shè)計(jì)思路，未來的電源設(shè)計(jì)可能會(huì)有一些改變，但還需要市場的認(rèn)同。 　　我們可以提供PWMIC(電源管理集成電路)、LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)和MOSFET。這些
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各界看DRAM業(yè)市場及因應(yīng)之道

  • 　　DDR3需求暢旺，市場缺口本季仍無法滿足，南科、華亞科、力晶等本土DRAM廠陸續(xù)放大DDR3投片量，搶食商機(jī)。 　　在英特爾CULV平臺(tái)帶動(dòng)需求下，DDR3價(jià)格走勢凌厲。根據(jù)集邦科技(DRAMe change)報(bào)價(jià)，1Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)格已從第二季末的1.5美元附近，近期已站穩(wěn)2.15美元以上，本季以來漲幅逾43%。 　　盡管DDR2最近也開始展開漲價(jià)行情，但現(xiàn)貨價(jià)仍在1.45美元附近，DDR3與DDR2仍有近五成的價(jià)差，價(jià)格優(yōu)勢帶動(dòng)下，將有助推升業(yè)者營運(yùn)。 　　在DDR3效應(yīng)推升下，市調(diào)機(jī)構(gòu)
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8月上半月1Gb DDR3芯片價(jià)格上漲11.9%

  • 　　據(jù)DRAMeXchange分析，由于受到新上市的超薄筆記本和內(nèi)存市場供不應(yīng)求態(tài)勢的影響，8月上半月1Gb DDR3芯片的平均交易價(jià)已繼續(xù)上揚(yáng)至1.5美元，比上月提升11.9%。自今年6月下半月開始，DDR3內(nèi)存芯片的交易價(jià)格就開始上揚(yáng)。 　　現(xiàn)貨市場方面，1Gb DDR3內(nèi)存芯片臺(tái)灣當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月10日早11：00的價(jià)格是2.16美元.另外，1Gb DDR2內(nèi)存芯片的價(jià)格也達(dá)到了1.45美元的水平。 　　DRAMeXchange七月份曾預(yù)計(jì)內(nèi)存業(yè)者將加速向DDR3內(nèi)存轉(zhuǎn)換的進(jìn)程。韓國的三星和
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分析師擔(dān)心:臺(tái)灣存儲(chǔ)業(yè)能否籌足資金實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇

  • 　　據(jù)金融時(shí)報(bào)報(bào)道，盡管有跡象表明，臺(tái)灣的DRAM存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)可能擺脫為期三年的低迷，但分析師和高管仍然認(rèn)為，臺(tái)灣可能無法充分利用改善中的市場前景。分析師普遍擔(dān)心臺(tái)灣DRAM存儲(chǔ)芯片公司是否能籌足現(xiàn)金，為工廠引進(jìn)50納米技術(shù)。 　　DRAM芯片是每臺(tái)計(jì)算機(jī)不可缺少的部分，但該產(chǎn)業(yè)的過度擴(kuò)張導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，過去三年累計(jì)虧損150億美元。 　　而經(jīng)濟(jì)危機(jī)更加深了該行業(yè)的困境，唯一的歐洲領(lǐng)先DRAM存儲(chǔ)芯片廠商德國奇夢達(dá)今年破產(chǎn)。 　　臺(tái)灣南亞科技，——世界排名第五，上周稱公
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南亞科預(yù)計(jì)第三季晶片產(chǎn)出將增加 將現(xiàn)增100億臺(tái)幣資金

  • 　　臺(tái)灣動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)制造大廠——南亞科周四表示，個(gè)人電腦需求量的日漸升溫將助推高其第三季晶片產(chǎn)出;其稍早公布的第二季虧損已有所縮減。 　　南亞科正押注未來數(shù)月的個(gè)人筆記本電腦需求，因這類產(chǎn)品需要新一代效能更高的記憶體晶片;但多數(shù)分析師仍表示，南亞科今年料難由虧轉(zhuǎn)盈。 　　南亞科副總白培霖向記者表示，“DRAM整體市場正逐步復(fù)蘇，我們在接下來的幾個(gè)月情況應(yīng)該比較好。” 　　白培霖并稱，公司第三季的位元產(chǎn)出將成長最多20%，而第二季成長率
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ddr3介紹

目錄概述 設(shè)計(jì) 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn) 概述 　　針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下： 　　(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]

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