臺“經濟部”力推「DRAM產業(yè)再造方案計畫」，在宣布臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)已獲審查通過后，“立法院”經濟委員會11日提出重要決議，要求“經濟部”停止推動DRAM產業(yè)再造計畫，等同禁止“經濟部”協(xié)助TIMC獲得國發(fā)基金投資。
值得注意的是，目前TIMC浮上臺面投資金主包括矽品、京元電、兆豐金等，潛在投資者更囊括半導體產業(yè)和創(chuàng)投資金，但前提必須是TIMC要明確獲得國發(fā)基金資金挹注，原本投資TIMC
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TIMC DRAM
據臺灣媒體報道，11月上旬動態(tài)隨機存取內存(DRAM)合約價出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價皆大漲超過15%，DDR2 2Gb合約均價漲幅也達13.9%，預估11月下旬DDR2合約價可望持續(xù)攀高，以合約市場為主的南科、華亞科預估受惠較大。
集邦科技昨最新報價，11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價達2.38美元，比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價達2.25美元，大漲15.98%。
另DDR2 2Gb合約均價從36美元上漲到41美元，漲幅達13.9
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南科 DRAM DDR2 DDR3
2009年DRAM產業(yè)沒有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價，足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫，趁機向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認為，隨著PC OEM廠第4季大量轉進DDR3平臺，未來DDR3現(xiàn)貨及合約價將同步凌駕DDR2，而現(xiàn)貨市場DDR3報價亦展開攻勢，一舉站上3美元大關。
DRAM價格11月上旬漲幅超乎預期，2GB DDR2模塊漲勢尤其猛烈，大漲19~21%，平均價
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DRAM DDR2 DDR3
茂德(ProMos)已和爾必達(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達將提供先進的制程技術與產品技術給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達DRAM代工服務。
茂德表示，代工服務以爾必達最先進的1G DDR3產品為主，預計2010年上半完成試產，2010年下半大量生產。此外，爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月將使用多達3.5萬片12寸晶圓為爾必達制造芯片，同時，采用65奈米制程技術。
茂德董事長暨總經理陳民良表示，爾必達在全球DRAM產業(yè)中以尖端制程技術的創(chuàng)新研發(fā)
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Elpida DRAM 晶圓 DDR3
根據調查，今年第三季，DDR3在計算機系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合約價格的漲勢，且在第三季國際DRAM大廠轉進DDR3相當積極，導致DDR2出貨量減少效應持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價漲幅高達31%、現(xiàn)貨價格漲幅亦高達30%，漲幅與DDR3不惶多讓。
第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價
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三星 DRAM DDR3 DDR2
2008年DRAM產業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產業(yè)的巨大問題，因此經濟部為挽救臺灣內存演產業(yè)，宣布要進行產業(yè)再造，成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內存產業(yè)再造的任務，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產
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TIMC DRAM NAND Flash
全球半導體產業(yè)受金融危機的沖擊已經一年過去。此次危機是歷史上最嚴重的一次，所以盡管各國政府都奮力相救，但是由于受損太嚴重，產業(yè)的完全康復仍需要過程與時間。
至此，產業(yè)鏈中各類公司今年前三個季度的財報都已紛紛出籠，正如ICInsight公司所言，如果依季度比較，工業(yè)恢復的過程十分明顯。今年的Q1是慘不成睹，仍在下降軌跡，半導體的產能利用率在50%以下，各類投資幾乎為零。到Q2時已經看到回升的跡象，但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3結束時，部分公司已經扭虧為盈，工業(yè)已經明顯看到好轉的局面，但是與去年
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半導體 DRAM
力晶在DRAM價格強勁回文件下，將恢復財務自主能力，力晶董事會2日通過，從明年開始停止紓困，全力正?；謴蜖I運，可望從明年起針對銀行正常還款。力晶對第四季價格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預期，今年第四季將有機會轉虧為盈。
力晶昨日領先各大DRAM廠，率先公布10月營收，由于產能滿載，加上DRAM價格回文件，該公司10月營收達42.39億元(新臺幣，以下同)、較9月大增28%，創(chuàng)下今年以來新高，預估11月、12月營收將會維持持續(xù)成長的動能。
力晶指出，在政府政策與銀行團大力支持之下，透過
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力晶 DRAM 封測
受惠DRAM價格谷底翻身，臺系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小，合計力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺幣175億元，累計前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價格持續(xù)走強越過2.5美元后，頗有朝3美元的實力，各廠全產能投片后，可望力拼單月?lián)p益兩平，其中力晶旗下瑞晶第3季已轉虧為盈，力晶董事長黃崇仁也表示，若報價維持在2.5美元水平，第4季也有機會擠身獲利之林。
DRAM 產業(yè)在2008年此時受到供過于求嚴重失衡的影響，虧損嚴重到一度將存儲器
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力晶 DRAM 晶圓
英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本.
英特爾研究員和內存技術開發(fā)經理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內存和固態(tài)內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類.
This image shows phase-change memory bu
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Intel 5納米 DRAM NAND
據國外媒體報道，數家亞洲大型芯片廠商財報預期顯示，本季度有望實現(xiàn)數年來的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢或將結束。
三星電子本月初表示，其季度利潤有望超市場預期，分析師對其預期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。
投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標股價由84萬韓元調高至90萬韓元。該投行在研究報告中稱，因三星上半年收益強勁，預計其股價將持續(xù)上漲。周一，三星股價在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
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海力士 DRAM 內存芯片
盡管上周南亞科及華亞科法說會時，公司對于DRAM市場多抱持樂觀看法，不過臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)董事長宣明智26日上午參觀臺灣寬頻通訊展時卻表達保守看法，認為DRAM年年都要過冬，對DRAM景氣沒有那么樂觀，針對DRAM產業(yè)再造合并時機已過，他則表示，該做的就做。
對于近期DRAM價格回穩(wěn)，宣明智認為價錢回到成本以上是好事情，2008年在大家盲目競爭情況下，DRAM價格殺到低于變動成本，目前DRAM市場價位回升，也頗為合理，宣明智表示，希望能大家都夠抓住機會，掌握未來競爭條件，這樣才能讓整
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南亞科 DRAM 華亞科 TIMC
力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，對內存產業(yè)無疑是一枚深水炸彈，不論就技術自主、產能整合和產業(yè)創(chuàng)新等條件上，TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產物，從條件論而言，“經濟部"很難直接拒絕TFC計劃，尤其是現(xiàn)在臺灣創(chuàng)新內存(TIMC)的技術來源爾必達(Elpida)在日本政府資金介入后，傳出不讓臺灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳，力晶在此時拿出TFC計劃，就算不能獲得政府補助，也達到破壞TIMC的目的，臺灣內存產業(yè)整合大戲未來要如何演下去，在各廠底
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力晶 DRAM 內存
市場研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內存芯片銷售額和價格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄，這表明市場正在復蘇，這一趨勢將至少持續(xù)到明年。
據國外媒體報道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計數字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%，第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數字表明DRAM市場確實在復蘇中，價格的持續(xù)增長是DRAM內存芯片走出低迷的又一個跡象。
iSuppli表示，過去兩個季度終結了DRAM內存芯片銷
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內存芯片 DRAM
韓國海力士半導體預估，動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)晶片市場將在第四季維持強勁，并指出合約價格可能在11月進一步揚升，12月時趨穩(wěn)。
海力士公司主管在投資人電話會議中稱，由于產業(yè)供應增長有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短缺。
他們表示，低耗能的高速DDR3晶片將在明年第一季成為DRAM市場的主流。
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海力士 DRAM DDR3
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