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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr5 dram

iSuppli：DRAM業(yè)復(fù)蘇 2010年可望延續(xù)

  • 　　研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，第2、第3季DRAM銷售額與價(jià)格連續(xù)增長(zhǎng)的幅度，至少創(chuàng)下5年來(lái)之最。該機(jī)構(gòu)遂看好產(chǎn)業(yè)后市，2010年也將持續(xù)復(fù)蘇。 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，根據(jù)iSuppli初步預(yù)測(cè)，第3季全球DRAM銷售額季增35%，第2季則增長(zhǎng)34%;全球DRAM平均售價(jià)上漲21%，同樣超越第2季增幅的19%。 　　iSuppli表示，就全年銷售額來(lái)看，全球DRAM市場(chǎng)自2007年起連續(xù)衰退后，今年雖有第2、第3季的支撐，但由于首季表現(xiàn)太差，2009全年仍將下滑12.9%。 　　2007年全球DRA
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)量普漲，存儲(chǔ)廠商轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　最近幾個(gè)月來(lái)，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣場(chǎng)中的零售價(jià)格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來(lái)個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報(bào)價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。D
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  內(nèi)存  存儲(chǔ)  

北卡羅萊納州立大學(xué)開發(fā)出1TB小型內(nèi)存技術(shù)

  • 　　北卡羅萊納州立大學(xué)的工程師聲稱已經(jīng)開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內(nèi)存芯片的容量50倍，理論上可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)指甲大小的芯片寸1TB數(shù)據(jù)。 　　學(xué)校的材料科學(xué)與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過(guò)添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來(lái)完成了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點(diǎn)和讀取方式，目前通過(guò)使用脈沖層，研究人員就能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)過(guò)程的控制。 　　Jagdish Narayan認(rèn)為，原型產(chǎn)品可在1-2年出現(xiàn)，而且價(jià)格并不比
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存芯片  DRAM  

南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺(tái)幣

  • 　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準(zhǔn)備沖刺先進(jìn)制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標(biāo)2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時(shí)將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預(yù)計(jì)2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬(wàn)片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計(jì)將達(dá)640億元，主要用于50納米制程。 　　南亞科和華亞科第3季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，對(duì)于先
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  50納米  DDR3  68納米  

南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景

  • 　　隨著DRAM價(jià)格開始反彈，南亞科和華亞科財(cái)報(bào)虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價(jià)可持續(xù)成長(zhǎng)，更看好PC市場(chǎng)因?yàn)閂ista因素，累計(jì)整整3年未換機(jī)的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當(dāng)時(shí)1年的DRAM產(chǎn)值超過(guò)400億美元，達(dá)到史上最高紀(jì)錄。 　　白培霖指出，2009年DRAM合約價(jià)從8月開始，每個(gè)月以成長(zhǎng)20%的速度往上調(diào)，11月DRAM合約價(jià)可持續(xù)成長(zhǎng)近2個(gè)月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  DDR3  

力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

  • 　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計(jì)畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)一軍。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來(lái)力晶
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  存儲(chǔ)器  NAND   

臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案錯(cuò)良機(jī)？ 要求“經(jīng)濟(jì)部”退場(chǎng)聲浪大

  • 　　10月20日是臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」送件的最后期限。立法院經(jīng)濟(jì)委員會(huì)關(guān)切DRAM前途的立委19日幾乎一致要求，在政府國(guó)發(fā)基金還未投資之前，“經(jīng)濟(jì)部”的DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案應(yīng)趕快煞車，或「下車」、「了斷」。 　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」迄今只有聯(lián)電榮譽(yù)董事長(zhǎng)宣明智主導(dǎo)的臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)，以整合爾必達(dá)(Elpida)、茂德的營(yíng)運(yùn)計(jì)畫書送至“經(jīng)濟(jì)部”，外傳整合華邦電失利的南
  • 關(guān)鍵字： Elpida  DRAM  

明年2Q晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求？ 需求增加然擴(kuò)產(chǎn)無(wú)門

  • 　　晶圓代工產(chǎn)能吃緊?這句話若在6個(gè)月前說(shuō)出，肯定會(huì)笑掉人家大牙，不過(guò)面對(duì)2009年第4季臺(tái)系2大晶圓代工廠產(chǎn)能利用率仍近90%，加上設(shè)備供應(yīng)商2008年底、2009年初停掉的生產(chǎn)線無(wú)法有效恢復(fù)，而臺(tái)積電又包下不少新增機(jī)臺(tái)訂單后，在全球晶圓代工產(chǎn)能2010年的開出速度及幅度肯定不若預(yù)期下，2010年第2季晶圓代工產(chǎn)能會(huì)吃緊，已是有跡可尋。 　　從 2009年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣觸底以來(lái)，我們已聽過(guò)太多生產(chǎn)線開工不及，產(chǎn)線良率拉高不順，產(chǎn)能開出不若預(yù)期的消息，如TFT面板廠、DRAM廠生產(chǎn)完全停工，臺(tái)
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華邦電退出　臺(tái)塑集團(tuán)DRAM整合計(jì)劃書難產(chǎn)

  • 　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科的DRAM整合策略再度大轉(zhuǎn)彎，從原本堅(jiān)持一定要送件，以爭(zhēng)取與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)同等待遇的補(bǔ)助款，19日改口考慮不一定會(huì)送件;業(yè)者透露，原本臺(tái)塑在計(jì)劃書中提議要整合的對(duì)象為華邦電，但華邦電卻表示無(wú)意參與這次的整合，讓臺(tái)塑內(nèi)部相當(dāng)頭痛，于是提出腹案，考慮不提計(jì)劃書，而改采訴諸媒體公論方式瓦解TIMC。 　　這次“經(jīng)濟(jì)部”提出的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」，目前僅有TIMC提出申請(qǐng)計(jì)劃，外界相當(dāng)期待臺(tái)塑集團(tuán)加入申請(qǐng)補(bǔ)助行列，隨著最后申請(qǐng)截
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  晶圓  

DRAM報(bào)價(jià)高檔不墜　爾必達(dá)8季以來(lái)首次獲利

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida) 2010會(huì)計(jì)年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來(lái)的首度由虧轉(zhuǎn)盈，營(yíng)收960億日?qǐng)A(約10.66億美元)，營(yíng)業(yè)利益5億日?qǐng)A，加上日前1Gb容量 DDR2價(jià)格沖上2.5美元價(jià)位， DRAM廠營(yíng)運(yùn)狀況大幅轉(zhuǎn)好，更開始進(jìn)入獲利狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，如果DRAM價(jià)格2美元以上的水平可以再維持1季，爾必達(dá)即不需要獲得日本政府基金的補(bǔ)助款，屆時(shí)美光向美國(guó)WTO告狀一事，也不會(huì)成為困擾。2009年?duì)柋剡_(dá)打算跳過(guò)50奈米制程，直接投資40奈米制程生產(chǎn)線，成本大幅降低，可正式與三星電子
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  DDR2  

內(nèi)存瘋閃存噴 存儲(chǔ)業(yè)界漲勢(shì)深度分析

  • 　　9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 　　最近幾個(gè)月來(lái)，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣場(chǎng)中的零售價(jià)格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來(lái)個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報(bào)價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  40納米  

DRAM價(jià)格再攻新高點(diǎn)！ 力晶想為瑞晶贖身

  • 　　日系DRAM制造大廠爾必達(dá)(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán)，讓瑞晶成為名符其實(shí)的日系公司，惟存儲(chǔ)器業(yè)者透露，當(dāng)初力晶因?yàn)閭鶆?wù)問題，將瑞晶持股賣給爾必達(dá)時(shí)，設(shè)下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回，因此近期力晶計(jì)劃向爾必達(dá)提出買回瑞晶的持股，惟一切問題都卡在錢關(guān)，力晶營(yíng)運(yùn)開始有現(xiàn)金流入后，將手上資金大力放在增加產(chǎn)能用途，加上2010年初到期的ECB要償還，力晶是否可在「買回期限」籌到錢為瑞晶贖身，市場(chǎng)相當(dāng)關(guān)切。 　　隨著DDR2價(jià)格大漲，力晶營(yíng)運(yùn)度過(guò)最艱難的時(shí)期，每月開始有
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  DDR2  

爾必達(dá)將提高瑞晶電子持股比率超過(guò)7成

  • 　　根據(jù)日經(jīng)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá) (Elpida Memory)為強(qiáng)化在臺(tái)灣的生產(chǎn)體系，除了2009年將提高合資企業(yè)瑞晶電子的持股比率超過(guò)7成之外，也正研議是否于臺(tái)灣設(shè)立第1個(gè)海外研究開發(fā)據(jù)點(diǎn)。爾必達(dá)計(jì)劃與臺(tái)灣DRAM廠合作，重建事業(yè)版圖，并考量加強(qiáng)對(duì)瑞晶電子的影響力以獲取日臺(tái)合資的主導(dǎo)權(quán)。 　　瑞晶電子是爾必達(dá)與臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體于2007年合資成立，當(dāng)時(shí)爾必達(dá)出資52%，擁有12寸晶圓廠的制造設(shè)備，每月產(chǎn)能可達(dá)7.5萬(wàn)片，主要生產(chǎn)一般PC所使用的DRAM。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

分析師看好全球生產(chǎn)線的擴(kuò)張版圖

  • 　　按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報(bào)道，SEMI的全球Fab預(yù)測(cè)于2010年時(shí)全球Fab投資再增加64%，達(dá)240億美元。 　　ICInsight的McClean認(rèn)為，今年第三季度的全球產(chǎn)能利用率可達(dá)88%，接近去年金融危機(jī)之前的水平。它還認(rèn)為2007年的產(chǎn)能利用率達(dá)90%，一直維持到去年的前三個(gè)季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補(bǔ)充庫(kù)存而使產(chǎn)能利用率又回復(fù)到78%。     　
  • 關(guān)鍵字： Inotera  70納米  溝槽式  DRAM  

ASML：客戶下單增溫　微顯影設(shè)備2010年成長(zhǎng)30%

  • 　　半導(dǎo)體市場(chǎng)回溫，ASML市場(chǎng)智庫(kù)總監(jiān)Antonio Mesquida Küsters表示，客戶對(duì)設(shè)備下單需求增溫，他引用研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2010年半導(dǎo)體微顯影設(shè)備可望成長(zhǎng)30%至少達(dá)到40億歐元。尤其晶圓代工領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)18個(gè)月的壓低資本支出，現(xiàn)在業(yè)者更積極投資擴(kuò)充產(chǎn)能，他個(gè)人亦樂見臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，滿足客戶投單需求的做法。 　　Küsters表示，2008 年是變動(dòng)相當(dāng)劇烈的一年，回顧2007年時(shí)研究機(jī)構(gòu)還對(duì)2008年奧運(yùn)所帶來(lái)的商機(jī)相當(dāng)樂觀，孰料DRAM價(jià)格快速崩落約65%，緊
  • 關(guān)鍵字： ASML  DRAM  晶圓代工  
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ddr5 dram介紹

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