Intel宣布一項(xiàng)技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本.

　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類.

　　This image shows phase-change memory built atop a conventional CMOS microchip. Memory cells can be controlled using rows and columns of wires that lead through the chip.

　　(Credit: Intel)

　　簡單地說,這個技術(shù)能夠使DRAM內(nèi)存和存儲結(jié)合為一個高速的、高帶寬的架構(gòu).但是,這個飛躍還有很長的路要走.基于本周三宣布的這種技術(shù)的產(chǎn)品還要等許多年才能出現(xiàn).

　　Fazio和Numonyx公司高級技術(shù)研究員Greg Atwood解釋的這項(xiàng)技術(shù)突破稱作PCMS(相變內(nèi)存與開關(guān))的相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的一個進(jìn)步.這種技術(shù)能夠在同一個基本的硫族(元素)化物材料商創(chuàng)建薄膜內(nèi)存單元機(jī)器控制薄膜選擇器,并且在一個交叉點(diǎn)架構(gòu)上把這些元件組合在一起.

　　這種新的相變技術(shù)也許有一天會把你的內(nèi)存和存儲融合為一個幸福的家庭.

　　這種新的薄膜選擇器名為雙向閾值開關(guān),允許把多層的內(nèi)存/選擇器層放在一個CMOS基礎(chǔ)上,以創(chuàng)建高密度、高帶寬的PCM內(nèi)存.

　　這種多層堆疊是這個目標(biāo).本周三宣布的技術(shù)突破是一種可工作的64MB單層版本的這種新的內(nèi)存架構(gòu).英特爾將在今年12月在馬里蘭州巴爾迪摩舉行的國際電子設(shè)備大會上發(fā)表一篇論文,正式介紹這種內(nèi)存架構(gòu).

　　不過,這些多層的新內(nèi)存目前正在設(shè)計圖版上.正如Atwood說的那樣,第一次是難度最大的一層.