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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr5 dram

聯(lián)電12寸URAM獲陸商高拓訊達(dá)訂單

  • 　　聯(lián)電29日宣布，12寸URAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)獲得中國(guó)大陸數(shù)碼電視解調(diào)器芯片設(shè)計(jì)公司高拓訊達(dá)(AltoBeam)的訂單，未來(lái)將運(yùn)用在高拓訊達(dá)推出的DVB-T2/T/C/S2/S解調(diào)器ATBM7812，以因應(yīng)未來(lái)數(shù)碼電視市場(chǎng)需求。 　　聯(lián)電亞洲銷售副總經(jīng)理王國(guó)雍表示，高拓訊達(dá)在大陸市場(chǎng)具領(lǐng)導(dǎo)地位，聯(lián)電在先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢(shì)上與大陸芯片設(shè)計(jì)公司進(jìn)一步合作，將提供全方位的技術(shù)解決方案，包含已驗(yàn)證量產(chǎn)的12寸URAM制程，藉此提高高拓訊達(dá)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。 　　聯(lián)電表示，URAM制程是一項(xiàng)獲得專利的嵌入式DRAM技術(shù)
  • 關(guān)鍵字： 聯(lián)電  存儲(chǔ)器  DRAM  

宏觀經(jīng)濟(jì)低迷 世界半導(dǎo)體業(yè)下調(diào)

  • 據(jù)市調(diào)公司IC Insights日前報(bào)告，今年在美國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)率僅能與去年持平(仍增長(zhǎng)2.2%)的影響下，導(dǎo)致世界GDP從原來(lái)預(yù)計(jì)的增長(zhǎng)3.1%調(diào)整為3.0%(去年為2.7%)。從過(guò)去幾年看，世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的成長(zhǎng)與GDP成長(zhǎng)存在著密切的關(guān)系，因而公司預(yù)計(jì)今年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)率也將從6%下行到5%，同時(shí)還給出了一個(gè)3%～7%的增長(zhǎng)范疇。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  201308  

第一季度移動(dòng)DRAM表現(xiàn)遜色

  • 據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，由于季節(jié)性疲軟和平均銷售價(jià)格急劇下跌，第一季度移動(dòng)DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)黯淡。
  • 關(guān)鍵字： IHS  DRAM  

中國(guó)廠商成全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)新引擎

  • 　　導(dǎo)語(yǔ)：路透社今天撰文指出，近年來(lái)高端手機(jī)市場(chǎng)的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長(zhǎng)也開(kāi)始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國(guó)移動(dòng)廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，以及中國(guó)移動(dòng)市場(chǎng)的火爆，中國(guó)力量正成為全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)的新引擎。 　　以下為文章全文： 　　重新掌握主動(dòng) 　　隨著中國(guó)低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增，以及華為等中國(guó)移動(dòng)設(shè)備廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲(chǔ)芯片廠商有望從這種趨勢(shì)中獲得重要回報(bào)。中國(guó)目前已取代美國(guó)，成為全球第一大智能手機(jī)市場(chǎng)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

SK海力士Q2利益率 扳倒三星

  • 　　全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器芯片制造商SK海力士(SKhynix)獲利報(bào)喜，今年第2季利益率(profitmargin)可望超越長(zhǎng)期把持龍頭地位的三星電子，除歸功于PC用DRAM價(jià)格大漲，對(duì)手三星受困于與蘋果的專利紛爭(zhēng)，也讓SK海力士坐收漁利。 　　英文版《韓國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)導(dǎo)，這系韓國(guó)半導(dǎo)體大廠SK海力士近8年來(lái)，獲利能力首度勝過(guò)一哥三星。SK海力士上次超越三星要回溯到2005年第3季，當(dāng)時(shí)名為海力士(HynixSemiconductor)的SK海力士利益率為31%，高于三星的29%。 　　SK海力
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

第一季度移動(dòng)DRAM表現(xiàn)遜色

  • 　　據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，由于季節(jié)性疲軟和平均銷售價(jià)格急劇下跌，第一季度移動(dòng)DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)黯淡。 　　該季度移動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入從2012年第四季度的26億美元下降至22億美元，占總體DRAM市場(chǎng)的份額下滑。移動(dòng)DRAM用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品之中，其表現(xiàn)輸給通常非常低迷的PC商品DRAM。由于價(jià)格上漲，目前PC商品類DRAM春風(fēng)得意。 　　第一季度，移動(dòng)DRAM占總體DRAM出貨量的28.5%，低于去年第四季度的28.8%。第一季度總體DRAM出貨量增長(zhǎng)2.4%
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瑞薩電子宣布推出RZ族首批產(chǎn)品

  • 瑞薩電子株式會(huì)社日前宣布推出RZ/A1系列嵌入式微處理器(MPU)解決方案總計(jì)15款新產(chǎn)品(包括子分類RZ/A1H、RZ/A1M以及RZ/A1L)，用以為未來(lái)的“智能型社會(huì)”創(chuàng)建復(fù)雜的人機(jī)接口(HMI)。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  RZ/A1  嵌入式  MPU  DRAM  

IHS：DRAM市場(chǎng)已成熟 可望起死回生？

  • 　　全球PC銷售低迷不振，連帶拖累DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入景氣寒冬。盡管如此，國(guó)際研調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli(IHS-US)的調(diào)查仍然帶來(lái)好消息，表示DRAM市場(chǎng)經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的供過(guò)于求、價(jià)格慘跌后，今(2013)年已經(jīng)趨于成熟，將可望在供需之間取得平衡。 　　所謂患難淬煉品格，或許這就是DRAM市場(chǎng)的最佳寫照。IHS調(diào)查顯示，2008年時(shí)DRAM晶圓產(chǎn)量達(dá)到1640萬(wàn)的顛峰，從那時(shí)起，DRAM產(chǎn)量便持續(xù)下滑，IHS更預(yù)估今年產(chǎn)量將嚴(yán)重衰退24%，達(dá)1300萬(wàn)。 　　IHS表示，產(chǎn)能下降其實(shí)對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)有
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓  

美光科技第三季度凈利潤(rùn)4300萬(wàn)美元 同比扭虧

  • 　　美光科技20日發(fā)布了2013財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示，美光科技第三季度凈營(yíng)收為23.2億美元，比去年同期的21.7億美元增長(zhǎng)7%;凈利潤(rùn)為4300萬(wàn)美元，去年同期凈虧損為3.2億美元。美光科技在第三季度中扭虧為盈，主要由于營(yíng)收和利潤(rùn)率均有所增長(zhǎng)，但重組支出和資產(chǎn)減值支出則大幅增長(zhǎng)。 　　在截至5月30日的這一財(cái)季，美光科技的凈利潤(rùn)為4300萬(wàn)美元，每股收益4美分，這一業(yè)績(jī)好于去年同期和上一季度，也好于分析師此前預(yù)期。2012財(cái)年第三季度，美光科技的凈虧損為3.2億美元，每股虧損32美分;2013財(cái)
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DRAM進(jìn)入三國(guó)時(shí)代　沒(méi)出局的就賺

  • 　　2013年前5個(gè)月，臺(tái)股表現(xiàn)最令人驚訝的板塊，非DRAM產(chǎn)業(yè)莫屬。這個(gè)在臺(tái)灣幾乎宣告已死的產(chǎn)業(yè)，第一季竟然大逆轉(zhuǎn)，華亞科也帶頭大漲2.3倍。 　　只是這個(gè)產(chǎn)業(yè)是真的復(fù)活了?還是只是曇花一現(xiàn)呢? 　　對(duì)全球最大DRAM存儲(chǔ)器模組龍頭金士頓總裁杜紀(jì)川來(lái)說(shuō)，最壞的時(shí)刻已經(jīng)過(guò)去。 　　杜紀(jì)川在5月31日短暫來(lái)臺(tái)，接受《商業(yè)周刊》專訪時(shí)更預(yù)言，2013年金士頓獲利將創(chuàng)歷史新高，因?yàn)镈RAM的供需已然出現(xiàn)改變。 　　以下為專訪紀(jì)要： 　　《商業(yè)周刊》問(wèn)(以下簡(jiǎn)稱問(wèn))：2013年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)大好，臺(tái)灣相關(guān)個(gè)
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一篇關(guān)于IC設(shè)計(jì)的好文章

  • IC設(shè)計(jì)中所使用的EDA工具俗話說(shuō)“公欲善其事，必先利其器”。IC設(shè)計(jì)中EDA工具的日臻完善已經(jīng)使工程師完全擺...
  • 關(guān)鍵字： TOP-DOWN    DRAM    微電子  

供不應(yīng)求 晶圓漲價(jià)上看15％

  • 　　晶圓代工廠及DRAM廠營(yíng)運(yùn)進(jìn)入旺季，不僅臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)、華亞科(3474)等國(guó)內(nèi)12寸廠的投片量創(chuàng)下新高，8寸廠也全面呈現(xiàn)利用率飆上95~100%的滿載情況。由于晶圓廠的投片量在6月大增，且第3季預(yù)估投片量季增至少15%，矽晶圓供貨短缺，急單及短單價(jià)格順利調(diào)漲10~15%，包括中美晶(5483)、嘉晶(3016)、合晶(6182)等業(yè)者直接受惠。 　　上周日中臺(tái)灣發(fā)生大地震，臺(tái)灣最大矽晶圓廠臺(tái)勝科受到影響，12寸矽晶圓產(chǎn)能短期內(nèi)無(wú)法順利開(kāi)出以滿足半導(dǎo)體廠需求，因此，晶圓代工廠及
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  DRAM  

供不應(yīng)求 矽晶圓漲價(jià)上看15%

  • 　　晶圓代工廠及DRAM廠營(yíng)運(yùn)進(jìn)入旺季，不僅臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)、華亞科(3474)等國(guó)內(nèi)12寸廠的投片量創(chuàng)下新高，8寸廠也全面呈現(xiàn)利用率飆上95~100%的滿載情況。由于晶圓廠的投片量在6月大增，且第3季預(yù)估投片量季增至少15%，矽晶圓供貨短缺，急單及短單價(jià)格順利調(diào)漲10~15%，包括中美晶(5483)、嘉晶(3016)、合晶(6182)等業(yè)者直接受惠。 　　上周日中臺(tái)灣發(fā)生大地震，臺(tái)灣最大矽晶圓廠臺(tái)勝科受到影響，12寸矽晶圓產(chǎn)能短期內(nèi)無(wú)法順利開(kāi)出以滿足半導(dǎo)體廠需求，因此，晶圓代工廠及
  • 關(guān)鍵字： 矽晶圓  DRAM  

第一季度DRAM營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng) 市場(chǎng)保持上行走勢(shì)

  • 　　據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，在平均銷售價(jià)格上升的推動(dòng)下，DRAM市場(chǎng)繼續(xù)上行，第一季度營(yíng)業(yè)收入連續(xù)第二個(gè)月環(huán)比增長(zhǎng)。 　　今年1-3月DRAM營(yíng)業(yè)收入從2012年第四季度的67億美元增長(zhǎng)到71億美元，而且高于第三季度的64億美元。第一季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出了將近兩年來(lái)的最高水平，僅低于2011年第二季度的81億美元，如圖2所示。 　　圖2：全球DRAM營(yíng)業(yè)收入概況(單位是10億美元) 　　 ? 　　DRAM市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn)主要源于商品型DRAM領(lǐng)域的增長(zhǎng)，此前由于出貨量未能跟上
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  

DRAM看漲 類股營(yíng)運(yùn)走俏

  • 　　由于韓國(guó)三星半導(dǎo)體將七成存儲(chǔ)器供自家手機(jī)、平板及電視使用下，加上大陸白牌平板計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)備貨潮重新啟動(dòng)，存儲(chǔ)器近期報(bào)價(jià)緩步上揚(yáng)，DDR32Gb均價(jià)每顆站上1.74美元，站上二年多來(lái)新高，相關(guān)DRAM族群營(yíng)運(yùn)看俏。 　　 ? 　　此外，NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期，今年7、8月，NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境，擁有強(qiáng)力貨源為后盾的廠商將受惠。 　　市場(chǎng)得知，三星將把七成行動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后，市場(chǎng)備貨潮5月中旬再度啟動(dòng)，讓標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)再度揚(yáng)升，站上
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  
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ddr5 dram介紹

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