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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

  • 　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代：1.?電子管時(shí)代――1905～1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947～1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958～…(到2014年已有56年)?！　‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時(shí)代的序幕，為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時(shí)間里，推動(dòng)了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  PC  201404  

DRAM價(jià)格緩步下滑 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)走向寡占結(jié)構(gòu)

  • 　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange指出，自農(nóng)歷年過后，受到傳統(tǒng)PC出貨淡季、中國白牌平板出貨量滑落，加上供給缺口回補(bǔ)，使得現(xiàn)貨市場不論是記憶體模組或是顆粒的需求皆呈現(xiàn)交投清淡走勢，導(dǎo)致現(xiàn)貨主流顆粒DDR34Gb512Mx8eTT價(jià)格在農(nóng)歷年過后下滑幅度達(dá)13%。 　　TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示，由于時(shí)處傳統(tǒng)PC出貨淡季，加上2014年英特爾(Intel)新晶片組Boardwell將遞延至第四季發(fā)表，以及Microsoft8.1確定無法拉抬
  • 關(guān)鍵字： DRAM  存儲(chǔ)器  

去年三星半導(dǎo)體市場占有率居全球第2位

  • 　　市場調(diào)查機(jī)構(gòu)IHSISUPPLI23日發(fā)表的報(bào)告顯示，去年韓國三星電子半導(dǎo)體銷售額達(dá)338.22億美元，同比(下同)增長8.2%;市場占有率為10.6%，上升0.3個(gè)百分點(diǎn)，繼續(xù)保持全球第2位。而世界排名第1的美國英特爾公司去年半導(dǎo)體銷售額為469.81億美元，減少0.9%;市場占有率14.8%，下降0.8個(gè)百分點(diǎn)。報(bào)告還顯示，受個(gè)人電腦D-RAM價(jià)格上漲的拉動(dòng)，去年韓國SK海力士公司半導(dǎo)體銷售額為128.09億美元，劇增42.8%;市場占有率由3%增至4.0%，排名由第7位升至第5位。美國高通公司(
  • 關(guān)鍵字： 三星半導(dǎo)體  DRAM  

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

  • 　　靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào)，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
  • 關(guān)鍵字： SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

新一輪集成電路 扶持政策下發(fā)征求意見

  • 新一輪的集成電路扶持政策牽動(dòng)了行業(yè)的神經(jīng)，到底扶持的重點(diǎn)在那些方面，現(xiàn)在還處于議論階段。我覺得要想扶持政策起到效果，還得往上游走，而且是細(xì)水長流型的，不要一股腦塞一次錢，以后的發(fā)展，純靠運(yùn)氣，因?yàn)檫@樣的例子太多了。
  • 關(guān)鍵字： 集成電路  DRAM  

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

  • 　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。 　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

電子產(chǎn)品競爭中，日本已淪為陪跑

  • 在過去20年間，日本在各類電子產(chǎn)品市場中的角色，相繼由一國獨(dú)大變成陪跑角色，例如動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片由1987的76%驟降至2004年的3%，汽車導(dǎo)航系統(tǒng)由2003年的100%跌至2007年的20%，太陽能板由2004年的45%減至2007的21%。2005年生產(chǎn)的iPod有七成零件來自日本，但5年后面世的iPad，零件卻只有兩成是日制。 報(bào)道說，韓日同樣在戰(zhàn)后經(jīng)歷過政府推動(dòng)經(jīng)濟(jì)增長階段，但兩者在應(yīng)對(duì)上述問題時(shí)卻出現(xiàn)不同結(jié)果。1997年亞洲金融風(fēng)暴爆發(fā)后，韓國大力推動(dòng)市場改革和信息科技普及，并鼓勵(lì)通
  • 關(guān)鍵字： DRAM  導(dǎo)航  太陽能板  

供應(yīng)吃緊 2013年第四季DRAM產(chǎn)值再創(chuàng)新高

  • 　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，2013年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士(Hynix)無錫廠大火影響而有略減，但因供貨吃緊反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此當(dāng)季全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美元，較上一季成長近5%。同時(shí)，前兩大DRAM供應(yīng)商的獲利能力較上季皆有提升，其中獲利差異點(diǎn)取決于各DRAM廠標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的供給多寡。 　　TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示，就2013年第四季合約價(jià)格走勢做觀察，由于9月SK海力士受祝融波及而
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

  • 　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，QoQ近5%。同時(shí)，前兩大DRAM供貨商的獲利能力較上季皆有提升，其中獲利差異點(diǎn)取決于各DRAM廠標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的供給多寡。 　　TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示，就4Q13合約價(jià)格走勢做觀察，由于九月SK海力士受祝融波及而影響當(dāng)下出貨，DRAM 4GB合約
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

SuVolta成功獲得1060萬美元風(fēng)險(xiǎn)投資

  • 2014年1月15日，致力于為低功耗、高性能的集成電路芯片開發(fā)可擴(kuò)展式半導(dǎo)體技術(shù)的SuVolta公司宣布其已獲得1060萬美元的資金。
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  DRAM  物聯(lián)網(wǎng)  

存儲(chǔ)器模塊廠 樂觀本月營運(yùn)

  • 　　存儲(chǔ)器模塊進(jìn)入春節(jié)前拉貨旺季，包括威剛(3260)、創(chuàng)見、宇瞻等存儲(chǔ)器模塊樂觀看待元月營收開始升溫。 　　存儲(chǔ)器模塊廠去年拜DRAM價(jià)格回升，均繳出比前年還佳的成績單。威剛?cè)ツ耆旰喜I收335.2億元，年增63.7%，創(chuàng)三年來新高;宇瞻去年合并營收98.34億元，年增27.67%，也是近三年新高紀(jì)錄。創(chuàng)見去年全年合并營收261.15億元，年減0.39%。 　　法人預(yù)估，威剛?cè)ツ甑?季獲利優(yōu)前去年第3季，去年全年每股純益可望逾一個(gè)股本。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

2013年全球半導(dǎo)體市場達(dá)3190億美元 成長4.9%

  • 　　全球半導(dǎo)體市場在2012年衰退2.5%后，2013年恢復(fù)成長，年成長率達(dá)4.9%。2013年全球半導(dǎo)體市場營業(yè)額達(dá)3190億美元，較2012年的3029億美元成長4.9%，成長主要?jiǎng)恿κ怯蒁RAM及NANDFlash帶動(dòng)，DRAM及NAND在2013年的年成長率分別為35%及27.7%。 　　營業(yè)額前3甲連莊 　　2013年全球半導(dǎo)體公司營業(yè)額，英特爾(Intel)、三星(Samsung)及高通(Qualcomm)繼蟬聯(lián)前3名，2013年?duì)I業(yè)額合計(jì)977.6億美元，占整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)額30.8%
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美光科技第一財(cái)季凈利潤3.58億美元 同比扭虧

  • 　　美國最大的存儲(chǔ)芯片制造商美光科技周二發(fā)布了該公司2014財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受產(chǎn)品銷售改進(jìn)的推動(dòng)，美光科技第一財(cái)季的業(yè)績超過了市場預(yù)期。 　　在截至11月28日的第一財(cái)季，美光科技營收為40.42億美元，高于上一季度的28.43億美元，高于上年同期的18.34億美元。美光科技第一財(cái)季運(yùn)營利潤為5.51億美元，上一財(cái)季的運(yùn)營利潤2.07億美元，上年同期的運(yùn)營虧損9700萬美元。美光科技第一財(cái)季凈利潤為3.58億美元，合每股攤薄收益0.30美元。美光科技上一季度凈利潤為17.08億美元，合每股攤
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

DRAM今年全年缺貨 威剛可望賺1個(gè)股本

  • 　　記憶體模組廠威剛(3260-TW)董事長陳立白表示，今年DRAM全年仍處于缺貨的情況，從第1季就會(huì)開始缺貨。至于威剛今年獲利可望維持和去年相當(dāng)，將可再賺進(jìn)1個(gè)股本。威剛2日股價(jià)受到激勵(lì)，最高來到74.7元，漲幅近5%，開盤不到2小時(shí)，成交量爆逾7000張，比前1交易日2872張大幅增加，帶動(dòng)創(chuàng)見(2451-TW)、南科(2408-TW)、華亞科(3474-TW)股價(jià)普遍上漲，其中，華亞科盤中最高來到23.1元，漲幅逾4%，開盤2小時(shí)，成交量逾2萬張，超越前1交易日的成交量。 　　陳立白表示，DR
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  

DRAM今年全年缺貨 威剛可望賺1個(gè)股本

  • 　　記憶體模組廠威剛(3260-TW)董事長陳立白表示，今年DRAM全年仍處于缺貨的情況，從第1季就會(huì)開始缺貨。至于威剛今年獲利可望維持和去年相當(dāng)，將可再賺進(jìn)1個(gè)股本。威剛2日股價(jià)受到激勵(lì)，最高來到74.7元，漲幅近5%，開盤不到2小時(shí)，成交量爆逾7000張，比前1交易日2872張大幅增加，帶動(dòng)創(chuàng)見(2451-TW)、南科(2408-TW)、華亞科(3474-TW)股價(jià)普遍上漲，其中，華亞科盤中最高來到23.1元，漲幅逾4%，開盤2小時(shí)，成交量逾2萬張，超越前1交易日的成交量。 　　陳立白表示，DR
  • 關(guān)鍵字： 威剛  DRAM  
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ddr5 dram介紹

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