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力晶半導(dǎo)體董事長預(yù)計(jì)2010年DRAM芯片價(jià)格持穩(wěn)

  •   據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》周四援引力晶半導(dǎo)體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., )董事長黃崇仁(Frank Huang)的話稱,由于供應(yīng)吃緊,DRAM芯片價(jià)格將繼續(xù)持穩(wěn),至少在2010年年內(nèi)是如此。   報(bào)導(dǎo)援引黃崇仁的話稱,力晶半導(dǎo)體第一季度凈利潤將較前一季度有所增長,2009年第四季度公司實(shí)現(xiàn)凈利潤新臺(tái)幣16億元左右。   以收入計(jì),力晶半導(dǎo)體是臺(tái)灣最大的DRAM芯片生產(chǎn)商。
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爾必達(dá)擬增資187億日圓 金士頓成為金主

  •   日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)將向存儲(chǔ)器模塊大廠金士頓(Kingston)發(fā)行新股與可轉(zhuǎn)換公司債,籌資187億日圓(約1.98億美元),以作為2010年度中擴(kuò)充廣島廠半導(dǎo)體尖端設(shè)備之用。而金士頓亦將因此握有爾必達(dá)4.79%的持股,成為爾必達(dá)的第6大股東。   此次,爾必達(dá)向金士頓發(fā)行的新股為647萬股,每股發(fā)行價(jià)格為1,805日圓,總額約117億日圓;另發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債約70億日圓。   金士頓為爾必達(dá)的主要客戶之1,金士頓希望透過注資爾必達(dá),穩(wěn)定DRAM模塊貨源。而爾必達(dá)則為將廣島廠產(chǎn)線由
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日立東芝三菱和解芯片價(jià)格訴訟

  •   據(jù)國外媒體報(bào)道,美國舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示,日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價(jià)格操縱指控。   該案原告為DRAM芯片的直接采購方,他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費(fèi)用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件,日立將支付1150萬美元,東芝將支付920萬美元,三菱則支付710萬美元。   但根據(jù)和解協(xié)議,上述三家公司均未承認(rèn)不當(dāng)行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評(píng)。   DRAM是一種被用于電腦、手機(jī)和其他電子設(shè)備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
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日立東芝三菱和解芯片價(jià)格訴訟

  •   據(jù)國外媒體報(bào)道,美國舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示,日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價(jià)格操縱指控。   該案原告為DRAM芯片的直接采購方,他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費(fèi)用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件,日立將支付1150萬美元,東芝將支付920萬美元,三菱則支付710萬美元。   但根據(jù)和解協(xié)議,上述三家公司均未承認(rèn)不當(dāng)行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評(píng)。   DRAM是一種被用于電腦、手機(jī)和其他電子設(shè)備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
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三星電子芯片業(yè)務(wù)上半年利潤或超35億美元

  •   受全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)短缺利好影響,三星電子存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)增長明顯,預(yù)計(jì)其2010年上半年?duì)I業(yè)利潤有望超過4萬億韓元,約合35億美元。   三星公司消息人士稱,三星電子自身預(yù)估2010年全年的芯片業(yè)務(wù)營業(yè)利潤將最多可增至4.4萬億韓元,但韓國媒體報(bào)道稱,三星電子發(fā)言人拒絕就此事宜發(fā)表言論。   據(jù)悉,三星電子是目前全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商,其09年在全球DRAM市場的份額從08年的29%增加至36%,而NAND閃存芯片市場份額則一直保持在40%左右。
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三星電子:半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元

  •   三星電子(SamsungElectronics)表示,截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出,三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大,主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。   YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo),三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電,其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間
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三星電子:半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜

  •   三星電子(Samsung Electronics)表示,截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出,三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大,主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。   Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo),三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電,其K2、K5廠區(qū)在
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LED市場持續(xù)火熱 臺(tái)資加速布局大陸設(shè)廠

  •   隨著中國大陸LED市場迅速增長,臺(tái)資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐,以期盡早在大陸LED產(chǎn)業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者,現(xiàn)在可以明顯感受到,外資尤其是臺(tái)廠對中國大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大,早在2002年臺(tái)灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設(shè)廠,而近來臺(tái)企投資腳步則更加頻繁。   如果細(xì)分近期有意向至大陸設(shè)廠的臺(tái)企,大體可分成三類:一是臺(tái)灣大型LED企業(yè),為擴(kuò)大產(chǎn)能需要,在大陸投資設(shè)廠。比如日前市場傳出臺(tái)灣LED外延大廠晶電計(jì)劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場
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三星跳電 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

  •   三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時(shí),雖然三星官方指出影響不大,但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當(dāng)緊張,甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響,尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲(chǔ)器零組件都供貨吃緊,三星跳電事件恐讓存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。   三星器興廠發(fā)生停電意外,在啟動(dòng)不斷電系統(tǒng) (UPS)后,1小時(shí)內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作,估計(jì)此事件對公司營運(yùn)影響不大。   存儲(chǔ)器業(yè)者指出,這次三星受影響廠區(qū)
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供給有限、需求強(qiáng)勁 DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年

  •   根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測,從今年到2012年,DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤式機(jī)臺(tái)供給有限,以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下,位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇,帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換機(jī)潮,以及智能型手機(jī)帶動(dòng)行動(dòng)內(nèi)存需求大幅成長下則將動(dòng)力強(qiáng)勁,預(yù)期未來三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機(jī)會(huì)連續(xù)獲利。   DRAMeXchange指出,DRAM產(chǎn)業(yè)過去十幾年來,幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期,以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析,2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損,2004至2006年轉(zhuǎn)
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三星美光反對擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

  •   近期內(nèi)存價(jià)格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭,不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來,好光景來之不易,不應(yīng)該一味擴(kuò)大產(chǎn)能惡性競爭而重新導(dǎo)致DRAM內(nèi)存暴跌。   韓國三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表示,DRAM制造商不應(yīng)該盲目擴(kuò)大產(chǎn)能,而應(yīng)當(dāng)把大規(guī)模投資放在提升技術(shù)水平上。美國美光官方近日也表示,今年無意擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能,而是將全力投入制造工藝升級(jí),進(jìn)一步增強(qiáng)其在DRAM市場的競爭力。臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體董事長黃崇仁同樣認(rèn)為,廠商們在對待產(chǎn)能的問題上應(yīng)當(dāng)更加謹(jǐn)慎,避免重蹈當(dāng)年的覆轍。  
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英飛凌對爾必達(dá)提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開調(diào)查

  •   據(jù)外電報(bào)道,美國國際貿(mào)易委員會(huì)(USITC)將對DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調(diào)查,因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。   英飛凌方面稱,爾必達(dá)制造并向美國進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面4項(xiàng)重要發(fā)明專利,涉嫌不公平貿(mào)易。通過訴訟以尋求USITC下達(dá)禁令,禁止?fàn)柋剡_(dá)或以爾必達(dá)的名義,向美國進(jìn)口侵犯英飛凌專利的DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品。   被調(diào)查的企業(yè)名單   USITC表示,將依據(jù)1930年美國關(guān)稅法第337條,對下列廠商展開調(diào)查,包括日商爾必
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芯片缺很大 電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦

  •   由于ODM/OEM廠對第2季及第3季的旺季需求期待甚高,芯片缺貨問題持續(xù)延燒,除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外,電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動(dòng)IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價(jià)5%至10%,但電子終端產(chǎn)品價(jià)格并未跟進(jìn)調(diào)漲,顯示今年電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦已成定局。   根據(jù)通路業(yè)者指出,今年中國農(nóng)歷年期間因終端市場需求強(qiáng)勁,大幅去化芯片庫存,去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場效晶體管(MOSFET)等,現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口,另包括電源
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三星、力晶猛喊節(jié)制擴(kuò)產(chǎn) DRAM廠:高手過招戲碼

  •   三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺(tái)參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)論壇,吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風(fēng)向球。權(quán)五鉉表示,2010年下半DRAM價(jià)格可以維持穩(wěn)定,未來DRAM業(yè)者不應(yīng)一昧地追求價(jià)格和成本,而是要節(jié)制瘋狂擴(kuò)充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言,呼吁大家不要再亂投資擴(kuò)產(chǎn),要追求合理價(jià)格更勝于超額利潤;此番臺(tái)、韓存儲(chǔ)器廠高層過招,成為整個(gè)論壇最大高潮。   權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導(dǎo)體市場及
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DRAM好 3年LED電視滲透率升

  •   美銀美林證券臺(tái)灣投資論壇邁入第2天,會(huì)場聚焦DRAM、手機(jī)和LED產(chǎn)業(yè),業(yè)者紛紛釋出樂觀看法,包括DRAM未來2、3年產(chǎn)業(yè)展望都樂觀,LED背光液晶電視年底滲透率上看35%.   美銀美林證券臺(tái)灣投資論壇邁入第2天,今天會(huì)議部份正式展開,并邀請到意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與恒憶公司(Numonyx)顧問暨前任資深主管Rolf Seibl演講,暢談中國大陸山寨手機(jī)市場。他指出,中國手機(jī)市場有8成是山寨手機(jī),所以聯(lián)發(fā)科市場廣大。   今天受邀出席論壇演講的華亞科總經(jīng)理高啟全指出
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ddr5 dram介紹

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