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DDR5服務(wù)器DRAM價 Q2跌幅料收斂

  • 服務(wù)器新平臺英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即，但近期市場上傳出服務(wù)器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問題。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（Trendforce）認(rèn)為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重，另外內(nèi)存將停留在舊制程，因此預(yù)估第二季DDR5服務(wù)器DRAM價格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應(yīng)的電源管理IC無狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5服務(wù)器DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難
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Server DDR5 RDIMM傳PMIC問題，供給受限跌幅將收斂

  • 服務(wù)器新平臺Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即，但近期市場上傳出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性問題，目前DRAM原廠與PMIC廠商均已著手處理。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應(yīng)的PMIC無狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5 Server DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難免受此事件影響，故預(yù)估第二季DDR5 Server DRAM
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存儲產(chǎn)品價格大跳水：三星將減產(chǎn) DDR4，轉(zhuǎn)移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過于求問題

  • IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導(dǎo)致存儲產(chǎn)品價格大跳水的背景下，三星電子第一季度業(yè)績營業(yè)利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機(jī)以來，三星時隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據(jù)韓國《中央日報》援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星的減產(chǎn)計劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品，位于華城市的內(nèi)存產(chǎn)品線產(chǎn)量將削減 3 至 6 個月。消息人士表示，雖然產(chǎn)能有所增加（通過技術(shù)性減產(chǎn)），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
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美光科技宣布DDR5服務(wù)器內(nèi)存已獲驗(yàn)證

  • 近日，美光科技宣布，其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器上得到全面驗(yàn)證。據(jù)介紹，美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對于推動當(dāng)今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個處理器的更多計算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負(fù)載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數(shù)）基準(zhǔn)測試中的性能
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美光：DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器中完成驗(yàn)證

  • IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。據(jù)介紹，美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番。升級到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數(shù)據(jù)顯示，SPECjbb 在關(guān)鍵 jOPS（每秒 Java 運(yùn)行次數(shù)）的基準(zhǔn)測試中，性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強(qiáng)的性
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美光DDR5為第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器家族帶來更強(qiáng)的性能和可靠性

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番，為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強(qiáng)賦能。升級到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強(qiáng)??可擴(kuò)展處理器強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，可為各
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SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器

  • IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發(fā)的第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務(wù)器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務(wù)器處理器（代號為 Sapphire Rapids）兼容認(rèn)證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務(wù)器處理器可支持的存儲器認(rèn)證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應(yīng)對增長趨勢的服務(wù)器市場，盡早克服存儲器半導(dǎo)體的低迷市況。新一代服務(wù)器用 CPU 上
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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

  • 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營的基礎(chǔ)。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
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美光與AMD宣布全新技術(shù)合作

  • 12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長期以來，超級計算機(jī)承擔(dān)著高性能計算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB級的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學(xué)、物理和生物分析等。隨著計算機(jī)架構(gòu)的進(jìn)步，此類工作負(fù)載往往托管在超大型“可橫向擴(kuò)展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強(qiáng)大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲
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美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準(zhǔn)測試：內(nèi)存帶寬翻倍

  • IT之家 12 月 19 日消息，據(jù)美光發(fā)布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對其進(jìn)行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負(fù)載基準(zhǔn)測試。長期以來，超級計算機(jī)承擔(dān)著高性能計算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行 TB 級的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計算工作負(fù)載

  • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺提供一流的用戶體驗(yàn)。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對其進(jìn)行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負(fù)載基準(zhǔn)測試。 長期以來，超級計算機(jī)承擔(dān)著高性能計算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB 級的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學(xué)、物理和生
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

  • SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存， 起步速率就可以達(dá)到8Gbps，相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80％ ，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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56核+8通道DDR5內(nèi)存 Intel確認(rèn)發(fā)燒級CPU王者歸來

  • 還記得2018年Intel推出的至強(qiáng)W-3175X處理器嗎？當(dāng)年這是Intel為了跟AMD競爭專業(yè)市場，將服務(wù)器版至強(qiáng)下放到了工作站，滿血28核56線程，還是唯一解鎖超頻的至強(qiáng)，售價超過2萬元。這款處理器在2021年就退役了，這兩年Intel的發(fā)燒級HEDT平臺也沒了動靜，至強(qiáng)W的繼任者也沒了音信，一度傳聞被取消，但是Intlel現(xiàn)在親自出面，證實(shí)了新一代工作站處理器要來了。他們的官推來看，Intel稱新一代的工作站處理器非常快，暗示性能強(qiáng)大，甚至需要用戶重新規(guī)劃下去接咖啡的時間了，因?yàn)楣ぷ鞯却龝r間會更短
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瀾起科技：DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加

  • IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動記錄，瀾起科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示，隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升，2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長，從而推動互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務(wù)的增長。據(jù)介紹，內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的，為滿足內(nèi)存容量的增長需求，主要通過兩種方式來實(shí)現(xiàn)，一是提升內(nèi)存顆粒密度，二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時期內(nèi)存顆粒密度提升放緩，則內(nèi)存容量增
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DDR5加速滲透，封測龍頭帶來新消息

  • 近日，封測龍頭長電科技宣布，高性能動態(tài)隨機(jī)存儲DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯ο到y(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢，給用戶帶來更佳的可靠性和擴(kuò)展性，市場前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的存儲芯片效能不斷提升，對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延，以及更短互連等要求。為此，長電科技通過各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)同尺寸
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