DDR5加速滲透，封測龍頭帶來新消息

近日，封測龍頭長電科技宣布，高性能動態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。

隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯ο到y(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢，給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性，市場前景廣闊。

反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的存儲芯片效能不斷提升，對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延，以及更短互連等要求。

為此，長電科技通過各種先進的2.5D/3D封裝技術(shù)，實現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲密度性能，滿足市場的需求。

目前，長電科技的工藝能力可以實現(xiàn)16層芯片的堆疊，單層芯片厚度為35um，封裝厚度為1mm左右。長電科技包括DDR在內(nèi)各類存儲產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。

長電科技表示，隨著PC端、服務(wù)器端、以及消費端等領(lǐng)域?qū)Υ鎯ο到y(tǒng)性能的要求不斷提升，市場對DDR5的需求有望加速釋放，為集成電路封測帶來新機遇。