designware ddr 文章進(jìn)入designware ddr技術(shù)社區(qū)

高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)：互連時(shí)序模型與布線(xiàn)長(zhǎng)度分析

高速電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，關(guān)于布線(xiàn)有一種幾乎是公理的認(rèn)識(shí)，即“等長(zhǎng)”走線(xiàn)，認(rèn)為走線(xiàn)只要等長(zhǎng)就一定滿(mǎn)足時(shí)序需求，就不會(huì)存在時(shí)序問(wèn)題。本文對(duì)常用高速器件的互連時(shí)序建立模型，并給出一般性的時(shí)序分析公式。為
關(guān)鍵字： PCB DDR SDRAM PHY芯片

DDR的前世與今生（二）

　　SDRAM與DDR SDRAM 　　SDRAM是比較久遠(yuǎn)的事情了，但我們一說(shuō)到它肯定不會(huì)和 DDR混淆，我們通常理解的SDRAM其實(shí)是SDR SDRAM,為SDRAM的第一代，而DDR1則為第二代，乃至到我們現(xiàn)在使用的DDR4，其實(shí)為第五代SDRAM，在此需要澄清一下。以示區(qū)別，后續(xù)文章里面用SDR來(lái)特指SDR SDRAM，而DDR就特指DDR SDRAM了。　　就像很多人回復(fù)的一樣，他們的本質(zhì)區(qū)別就是周期操作方式(也稱(chēng)時(shí)鐘采樣)的差異，這就導(dǎo)致后面設(shè)計(jì)上很大的不同。SDR都是“
關(guān)鍵字： DDR SDRAM

IDT為Intel Xeon處理器提供企業(yè)解決方案

混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司宣布支持基于 Nehalem 的 Intel® Xeon® 處理器，該處理器采用可進(jìn)行生產(chǎn)的 PCI Express®(PCIe®)交換和計(jì)
關(guān)鍵字： IDT DDR

e2v宣布計(jì)劃延長(zhǎng)Micron部分SDR和DDR存儲(chǔ)產(chǎn)品的壽命

射頻功率、成像和高可靠性半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè) e2v aerospace and defense, Inc. (e2v ad) 近日宣布，將延長(zhǎng)世界領(lǐng)先高級(jí)存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商之一 Mic
關(guān)鍵字： Micron e2v DDR

DDR的前世與今生（一）

　　DDR SDRAM全稱(chēng)為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)，嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR。　　說(shuō)到這里，很多人可能會(huì)問(wèn)SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區(qū)別的?小編還是來(lái)簡(jiǎn)單普及下關(guān)于存儲(chǔ)的基礎(chǔ)知識(shí)吧。　　ROM 和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory)的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種只能讀出事先
關(guān)鍵字： DDR DRAM

Synopsys推出帶有DisplayPort 1.3和HDCP 2.2的USB 3.1 Type-C IP產(chǎn)品以支持高帶寬數(shù)據(jù)傳輸和內(nèi)容保護(hù)

　　新思科技(Synopsys, Inc.)日前宣布：推出全新的DesignWare? USB-C 3.1/DisplayPort 1.3知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)解決方案，該解決方案集成了USB Type-C?(USB-C?)、SuperSpeed USB 10 Gbps(USB 3.1 Gen 2)和DisplayPort 1.3接口，以及帶有高帶寬數(shù)字內(nèi)容保護(hù)(HDCP)2.2 I
關(guān)鍵字： Synopsys DesignWare

信號(hào)在PCB走線(xiàn)中傳輸時(shí)延

　　信號(hào)在媒質(zhì)中傳播時(shí)，其傳播速度受信號(hào)載體以及周?chē)劫|(zhì)屬性決定。在PCB(印刷電路板)中信號(hào)的傳輸速度就與板材DK(介電常數(shù))，信號(hào)模式，信號(hào)線(xiàn)與信號(hào)線(xiàn)間耦合以及繞線(xiàn)方式等有關(guān)。隨著PCB走線(xiàn)信號(hào)速率越來(lái)越高，對(duì)時(shí)序要求較高的源同步信號(hào)的時(shí)序裕量越來(lái)越少，因此在PCB設(shè)計(jì)階段準(zhǔn)確知道PCB走線(xiàn)對(duì)信號(hào)時(shí)延的影響變的尤為重要。本文基于仿真分析DK，串?dāng)_，過(guò)孔，蛇形繞線(xiàn)等因素對(duì)信號(hào)時(shí)延的影響。　　1.引言　　信號(hào)要能正常工作都必須滿(mǎn)足一定的時(shí)序要求，隨著信號(hào)速率升高，數(shù)字信號(hào)的發(fā)展經(jīng)歷了從共同步時(shí)鐘到
關(guān)鍵字： PCB DDR

是德科技于 DesignCon 展會(huì)上展示高速數(shù)字設(shè)計(jì)與測(cè)試解決方案

　　是德科技公司日前在 DesignCon 2015 展會(huì)上展示其高速數(shù)字解決方案。本屆展會(huì)于 1 月 28 日到 29 日在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)展中心舉行，是德科技展位設(shè)于第 725 號(hào)展臺(tái)。是德科技非常自豪能夠接替其前身惠普公司和安捷倫公司，繼續(xù)擔(dān)任 DesignCon 展會(huì)的發(fā)起方和主辦方。一年一度的 DesignCon 展會(huì)即將迎來(lái)其 20 周年紀(jì)念日。作為主要面向高速通信和半導(dǎo)體行業(yè)中的芯片、電路板和系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師的一項(xiàng)活動(dòng)，它已成為行業(yè)中最重要的展會(huì)。　　是德科技將展出眾多仿真、建模、測(cè)試和
關(guān)鍵字：是德科技 DDR

DDR Memory 系統(tǒng)裕量的特性化研究

　　Memory是系統(tǒng)運(yùn)行和性能的核心。設(shè)計(jì)人員需要更好地了解內(nèi)存子系統(tǒng)，以?xún)?yōu)化系統(tǒng)吞吐能力。　　如今Memory炙手可熱。最近在加利福尼亞州舉行的2014 MemCon盛況空前，展廳里展示了幾乎所有關(guān)于Memory的產(chǎn)品，參會(huì)的人也熱情高漲。　　會(huì)議主題是，是否有更為行之有效的方法來(lái)特性化分析DDR Memory的系統(tǒng)裕量。尤其是DDR子系統(tǒng)(DDR controller, PHY和 I/O))被嵌入到芯片用于承擔(dān)處理器和外部DDR存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交互任務(wù)，這使得這種分析變得更加困難。要知道，
關(guān)鍵字： MEMCON Memory DDR-SDRAM

達(dá)成最佳效能/成本的服務(wù)器ASIC IP與系統(tǒng)整合實(shí)現(xiàn)40nm高成本效益制造

　　彈性客制化IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商(Flexible ASIC Leader™)創(chuàng)意電子(Global Unichip Corp.，GUC)與高度創(chuàng)新的fabless Soc – centric IC芯片設(shè)計(jì)公司, 信驊科技(ASPEED Technology, Inc.)采用業(yè)界第一個(gè)以臺(tái)積電公司40nm低功耗(Low Power，LP)工藝節(jié)點(diǎn)的DDR3/4 PHY，大幅加速了一遠(yuǎn)程管理控制器的系統(tǒng)設(shè)計(jì), 此控制器用于服務(wù)器及桌面虛擬化。　　創(chuàng)意電子的DDR 3/4 PHY為業(yè)
關(guān)鍵字：創(chuàng)意電子 ASIC DDR

Synopsys將用于Grade 0汽車(chē)應(yīng)用的DesignWare NVM IP面積縮小75%

加速芯片和電子系統(tǒng)創(chuàng)新而提供軟件、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：其用于高壓工藝的DesignWare AEON Trim NVM IP開(kāi)始供貨。與其它的NVM IP解決方案相比，該款全新的IP將面積縮小達(dá)75%，同時(shí)有助于降低汽車(chē)IC的成本和尺寸。該IP可用于標(biāo)準(zhǔn)的180納米5V CMOS和BCD工藝，而不需要額外的光罩或工藝步驟。DesignWare NVM IP支持Grade 0汽車(chē)應(yīng)用所需要的寬溫度范圍，
關(guān)鍵字： Synopsys DesignWare AEC-Q100

Synopsys多協(xié)議DesignWare Enterprise 12G PHY IP

　　新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：其多協(xié)議DesignWare? Enterprise 12G PHY IP正式上市，該物理層知識(shí)產(chǎn)權(quán)(PHY IP)將使多樣化的高端網(wǎng)絡(luò)和計(jì)算應(yīng)用在功耗降低的同時(shí)提升了性能。DesignWare Enterprise 12G PHY是專(zhuān)門(mén)為應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)師們所面臨的不斷增長(zhǎng)的性能/功耗平衡挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì)，它使設(shè)計(jì)師能夠輕松地將各種企業(yè)級(jí)通信協(xié)議集成到他們的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)上，包括PCI Express 3.0、SATA 6G、10GBASE-KR、10GB
關(guān)鍵字： Synopsys DesignWare

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開(kāi)始之前，我們先來(lái)看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
關(guān)鍵字： ARM11 DDR NAND flash 寄存器

ARM11 S3C6410系列教程之三：內(nèi)存使用

當(dāng)在S3C6410跑操作系統(tǒng)的時(shí)候，我們不太會(huì)注意S3C6410的內(nèi)存使用情況，但是，當(dāng)我們做裸板測(cè)試時(shí)，該處理器的8K的片內(nèi)內(nèi)存的使用就不得不注意，一旦編寫(xiě)的程序大小超過(guò)了片內(nèi)內(nèi)存的大小，我們就不能得到正確的結(jié)果，究其原因，我們先看一下S3C6410的啟動(dòng)過(guò)程。
關(guān)鍵字： ARM11 DDR NANDflash 內(nèi)存

Spansion為多圖像應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能的雙四路串行閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠(chǎng)商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)日前宣布推出一個(gè)新的串行外設(shè)接口(SPI)閃存產(chǎn)品家族。為了滿(mǎn)足汽車(chē)儀表板與工業(yè)人機(jī)交互界面等多圖像應(yīng)用的需求，該產(chǎn)品家族具備業(yè)內(nèi)最高的讀取性能與最小的封裝占板面積。
關(guān)鍵字： Spansion 嵌入式 SPI DDR