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DDR測(cè)試系列之一――力科DDR2測(cè)試解決方案

  • DDR2簡(jiǎn)介從1998年的PC100到今天的DDR3，內(nèi)存技術(shù)同CPU前端總線一道經(jīng)歷著速度的提升及帶寬的擴(kuò)展。雖然DDR3在當(dāng)今已經(jīng)量產(chǎn)與使用，DDR2在實(shí)際上還擔(dān)任著內(nèi)存業(yè)界應(yīng)用最廣泛最成熟的中流砥柱的角色。DDR2在DDR的基礎(chǔ)上
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DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析

  • DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)
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工程師經(jīng)驗(yàn)：78%的硬件失效罪魁禍?zhǔn)住附訂?wèn)題

  • 你是否長(zhǎng)時(shí)間糾纏于線路板的失效分析？你是否花費(fèi)大量精力在樣板調(diào)試過(guò)程中？你是否懷疑過(guò)自己的原本正確的...
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Cyclone II實(shí)現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法

  • Cyclone II實(shí)現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強(qiáng)系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個(gè)有效的手段。通常來(lái)說(shuō)，可以把系統(tǒng)頻率擴(kuò)大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來(lái)實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因?yàn)樗鼈儠?huì)增加
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DDR-1500/DSC-2200在高性能測(cè)試測(cè)量中的應(yīng)用

  • GE智能平臺(tái)的DDR-1500高性能測(cè)試測(cè)量采集分析系統(tǒng)就是利用高精度的AD及DA卡和功能強(qiáng)大的在線配制、分析、存貯、回放軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能測(cè)試測(cè)量。在測(cè)試測(cè)量過(guò)程中及時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集或波形輸出。在持續(xù)在線動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)情況
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Enpirion最新轉(zhuǎn)換器突破傳統(tǒng)DDR電源解決方案

  • 　　業(yè)界最小負(fù)載點(diǎn)直流—直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)先創(chuàng)新者Enpirion 公司發(fā)布了其 DDR 存儲(chǔ)器終端電源的電源集成電路 (IC) 產(chǎn)品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A (sink/source) DDR 終端轉(zhuǎn)換器，最高效率達(dá)到 96%——比傳統(tǒng) LDO(低壓差)穩(wěn)壓器解決方案省電 1.4 瓦，同時(shí)擁有低成本、小尺寸的優(yōu)點(diǎn)。早在產(chǎn)品的官方版本發(fā)布之前，客戶就開始享受 EV1320 帶來(lái)的好處了——許多應(yīng)用都配置了該裝置，包括 ul
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汽車音響導(dǎo)航系統(tǒng)中DDR高速信號(hào)的PCB設(shè)計(jì)

  • 在以往汽車音響的系統(tǒng)設(shè)計(jì)當(dāng)中， 一塊PCB上的最高時(shí)鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了，而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時(shí)鐘頻率超過(guò)100MHz,有的甚至達(dá)到了GHz數(shù)量級(jí)。為此，傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅(qū)動(dòng)的串行式設(shè)計(jì)方法已經(jīng)不能滿足今天的設(shè)計(jì)要
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基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 在高速信號(hào)處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來(lái)完成高速操作。DDR SDRAM一個(gè)時(shí)鐘周期只能傳輸一個(gè)數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
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賽靈思Kintex-7 FPGA DDR3接口性能演示

電源設(shè)計(jì)技巧：DDR內(nèi)存電源

  • CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源...
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電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源

  • CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度，允許系統(tǒng)時(shí)鐘頻
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深入研究DDR電源

  • DDR存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或游戲系統(tǒng))的應(yīng)用中都要求 ...
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使用Xilinx的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測(cè)試

  • 目前廣泛使用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片是DDR(雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
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使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測(cè)試

  • 使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB，在生成控制模塊時(shí)設(shè)置不同參數(shù)，可以輕而易舉的實(shí)現(xiàn)對(duì)不同型號(hào)的DDR存儲(chǔ)芯片的測(cè)試，數(shù)據(jù)率可高達(dá)800Mb/s以上。由于時(shí)間利用率比使用計(jì)算機(jī)主板測(cè)試DDR芯片高得多，所以可以極大地節(jié)約測(cè)試時(shí)間。
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
    關(guān)鍵詞：DDR NAN
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designware ddr介紹

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