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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設備”相關具體計劃

  • 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉(zhuǎn)移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  NAND  

8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高

  • 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
  • 關鍵字： 三星  LPDDR5X  DRAM  

SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應設備

  • SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設備的供應，進而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅詹肯惹坝?0月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  NAND  

TrendForce：存儲器廠聚焦CXL存儲器擴充器產(chǎn)品

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認為
  • 關鍵字： TrendForce  集邦咨詢  存儲器  CXL  AI/ML  DRAM  

SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術

  • 芯片已經(jīng)無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng)建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進一步處理。SPAR
  • 關鍵字： SPARC  先進邏輯  DRAM  沉積技術  

庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％

  • 市調(diào)機構表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
  • 關鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長

  • 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
  • 關鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

美光車規(guī)級內(nèi)存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗

  • 全球汽車內(nèi)存領先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術的UFS 3.1產(chǎn)品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）實現(xiàn)最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級LPDDR4和UFS 2.1技術，為用戶提供出色的娛樂和用
  • 關鍵字： 美光  智能座艙  DRAM  UFS  ADAS  域控制器  車載信息娛樂系統(tǒng)  

DRAM 內(nèi)存加速降價，6 月報價環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低

  • IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導體存儲芯片之一的 DRAM 正在加速降價，作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內(nèi)存連續(xù) 2 個月下跌。指標產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng)出 1 年半以來新低。從作為指標的 8GB DDR4 內(nèi)存來看，6 月報價約 2.7 美元每個，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內(nèi)存約為 2.18 美元 / 個，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來的最低水平。分析師認為，PC 和智能手機的
  • 關鍵字： DRAM  市場  

DRAM能否成為半導體市場預測晴雨表？

  • 　　在今年Gartner的半導體市場分析報告中指出，從歷史角度來看，存儲市場一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動中。2021年DRAM市場存在一個供不應求的情況，使得價格上漲，但在2022年下半年會恢復并且進入供過于求的周期，這個周期會導致存儲市場價格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動。1.地緣問題導致消費市場向下修正　　俄烏戰(zhàn)爭打破歐洲和平局面，導致能源價格大幅提升，整體社會的消費水平降低，企業(yè)和消費者會減少很多不必要的開支。早在4月底，美國商務部公布的數(shù)據(jù)顯示，美國一季度G
  • 關鍵字： DRAM  半導體  市場  

潛力無限的汽車存儲芯片

  • 　　隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元。可見芯片將成為汽車新利潤增長點，有望成為引領半導體發(fā)展新驅(qū)動力?！　∑囆酒瑥膽铆h(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
  • 關鍵字： 北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND  

美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務器 DRAM， 推動下一代服務器平臺發(fā)展

  • 關鍵優(yōu)勢：● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進后的內(nèi)存架構相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構改進和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運行性能 內(nèi)存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
  • 關鍵字： 美光  數(shù)據(jù)中心  DRAM  DDR5  

中國DRAM和NAND存儲技術和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?

  • 近日，韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

  • 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機構的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
  • 關鍵字： 存儲芯片  DRAM  NAND Flash  

2022半導體儲存器市場調(diào)研 半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析

  • 　　國內(nèi)半導體儲存器行業(yè)市場前景及現(xiàn)狀如何?半導體存儲器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支：半導體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領域。2022半導體儲存器市場調(diào)研半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析　　國內(nèi)開始布局存儲產(chǎn)業(yè)規(guī)?；?，中國大陸的存儲器公司陸續(xù)成立，存儲產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進展。在半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)存儲器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機遇。　　半導體儲存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  市場  
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dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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