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京東方攜手爾必達(dá)前社長(zhǎng)斗法紫光DRAM

  • 臺(tái)灣過去數(shù)十年培養(yǎng)出來的半導(dǎo)體人才，現(xiàn)在一個(gè)一個(gè)往大陸跑，臺(tái)企離沒落不遠(yuǎn)了。
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MIC：明年全球半導(dǎo)體衰退1%

  • 　　資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)報(bào)告指出，受到新興市場(chǎng)智慧型手機(jī)晶片價(jià)格快速下滑及需求不佳影響，預(yù)估明年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率較今年衰退1%，臺(tái)灣半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩之下，明年產(chǎn)值將達(dá)2.2兆元微幅年增2.2%。 　　資策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)分析師施雅茹表示，今年臺(tái)灣半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)不如全球，主要受DRAM與IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值下滑影響，估算今年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約4,971億元新臺(tái)幣，年減6%，DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2,325 億元，年減13%;預(yù)估明年可望在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩，以及晶圓代工、IC封測(cè)
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全球12吋晶圓產(chǎn)線續(xù)增　18吋晶圓之路漸行漸遠(yuǎn)

  • 　　由于12吋晶圓持續(xù)擴(kuò)大應(yīng)用至非存儲(chǔ)器領(lǐng)域，使得全球12吋晶圓生產(chǎn)線持續(xù)增加，2015年已超過90條產(chǎn)線，較5年前增加約20條產(chǎn)線，且預(yù)計(jì)未來4年將再增加近20條產(chǎn)線，相較之下，18吋晶圓商用化時(shí)程則會(huì)再往后延緩，業(yè)界預(yù)期2020年之前將不會(huì)有采用18吋晶圓進(jìn)行大量生產(chǎn)的產(chǎn)線。 　　12吋晶圓除應(yīng)用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產(chǎn)的存儲(chǔ)器芯片，亦持續(xù)擴(kuò)大使用在非存儲(chǔ)器產(chǎn)品，包括電源管理芯片、影像感測(cè)器等，甚至用來制造邏輯芯片、微型元件IC等，且為因應(yīng)市場(chǎng)需求，將芯片產(chǎn)量最大化，半導(dǎo)體廠在1
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三星DRAM報(bào)價(jià)下調(diào)20% 華亞科/南亞科下季營(yíng)收不樂觀

  • 　　全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià)，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營(yíng)收恐不如預(yù)期。 　　繼臺(tái)積電前天無預(yù)警下修第四季財(cái)測(cè)，市場(chǎng)消息傳出，全球DRAM市占率達(dá)四成的三星，將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 　　8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 　　隨今年以來DRAM價(jià)格持續(xù)走低，市場(chǎng)需
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DRAM報(bào)價(jià) 傳出三星調(diào)降20%

  • 　　全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià)，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，國(guó)內(nèi)DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營(yíng)收恐不如預(yù)期。 　　繼臺(tái)積電前天無預(yù)警下修第四季財(cái)測(cè)，市場(chǎng)消息傳出，全球DRAM市占率達(dá)四成的三星，將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 　　8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 　　隨今年以來DRAM價(jià)格持續(xù)走低，市
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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲(chǔ)器比較

  • 　　PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 　　EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個(gè)附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
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18吋晶圓技術(shù)成本過高　12吋將續(xù)為業(yè)者主力

  • 　　雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經(jīng)驗(yàn)顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術(shù)至少會(huì)比小尺寸晶圓降低20%。 　　然而在實(shí)務(wù)上，要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)，業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費(fèi)。因此在資金和技術(shù)的障礙下，各業(yè)者往往會(huì)采用將現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行效率最大化的方式進(jìn)行生產(chǎn)，而不是對(duì)新開發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行投資。 　　以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights最新公布的2015~2
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大陸景氣低迷　韓國(guó)存儲(chǔ)器廠前景恐難卜

  • 　　雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國(guó)存儲(chǔ)器廠的業(yè)績(jī)展望相對(duì)明朗。然大陸智能型手機(jī)需求縮減，2016年移動(dòng)DRAM價(jià)格可能下滑，2016年前景反而不透明。 　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績(jī)可能會(huì)與當(dāng)初預(yù)期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對(duì)下半年暫時(shí)不會(huì)有太大影響。 　　三星下半年IT及移動(dòng)裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績(jī)可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲(chǔ)器和系統(tǒng)晶
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Intel想滅了三星/海力士？

  • 由于對(duì)DRAM過于依賴，近年來英特爾半導(dǎo)體龍頭地位搖搖欲墜，現(xiàn)在英特爾似乎下決心要扳倒后進(jìn)：打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，三星、海力士表示亞歷山大。
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙

  • 　　全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺(tái)幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號(hào)，市場(chǎng)憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長(zhǎng)期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 　　外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對(duì)三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 　　受市場(chǎng)憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺(tái)股大漲逾265點(diǎn)下
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研調(diào)：DRAM價(jià)未來幾季續(xù)跌

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場(chǎng)第2季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增長(zhǎng)，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美金。在淡季影響下，各DRAM廠營(yíng)收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì)，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星、SK海力士與美光的DRAM產(chǎn)品別營(yíng)業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來的幾個(gè)季度。在需求端如筆電與智慧型手機(jī)領(lǐng)域持續(xù)疲弱，但供給端來自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升，該機(jī)構(gòu)
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第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場(chǎng)在 2015年第二季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美元。 　　在淡季影響下，各DRAM廠第二季營(yíng)收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì)，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營(yíng)業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來的幾季;在需求端如筆電與智慧型
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三星降低DRAM產(chǎn)量 為滿足蘋果新iPhone的內(nèi)存需求

  • 　　猶如國(guó)內(nèi)股市，今年內(nèi)存持續(xù)降價(jià)，已經(jīng)降回多年前的低位。但現(xiàn)在壞消息來了，世界上最大的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商三星宣布將降低DRAM顆粒的生產(chǎn)量，下個(gè)月可能會(huì)引起內(nèi)存的價(jià)格反彈。 　　   　　據(jù)臺(tái)媒CTIMES News報(bào)道，三星將降低30%的普通DRAM顆粒產(chǎn)量，以騰出生產(chǎn)線用于生產(chǎn)手機(jī)用的LPDDR內(nèi)存顆粒，預(yù)計(jì)在8月到9月，普通內(nèi)存的價(jià)格將會(huì)提高。 　　傳聞蘋果的新一代iPhone將搭載2GB LPDDR4內(nèi)存，這意味著蘋果需要采購(gòu)比去年更多的內(nèi)存顆粒，而現(xiàn)有的供應(yīng)商海力士和鎂光無法
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DRAM價(jià)差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流

  • 　　據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場(chǎng)需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價(jià)格，代理商對(duì)市場(chǎng)信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價(jià)求售，使整體市場(chǎng)價(jià)格出現(xiàn)明顯松動(dòng)。 　　DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價(jià)幅度持續(xù)擴(kuò)張，也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 　　受DDR4跌價(jià)沖擊，DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價(jià)來到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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三星輝煌已成過去 為保留市場(chǎng)份額苦苦爭(zhēng)斗

  • 　　憑借著Galaxy系列智能手機(jī)在市場(chǎng)中的巨大成功，三星電子過去四年通過與蘋果爭(zhēng)奪高端智能手機(jī)市場(chǎng)收獲了數(shù)十億美元。不過這家韓國(guó)科技巨頭的前景并不樂觀，因?yàn)闉榱嗽谥械投耸袌?chǎng)抵御來自小米、華為等中國(guó)智能手機(jī)制造商發(fā)起的沖擊，該公司已被迫下調(diào)產(chǎn)品價(jià)格，并接受降低手機(jī)部門利潤(rùn)率的現(xiàn)實(shí)。 　　三星電子當(dāng)前所面臨的現(xiàn)實(shí)，是這家公司無法擺脫與低成本競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手共同采用Android操作系統(tǒng)的窘境，而后者已能夠自主開發(fā)出功能更多的智能手機(jī)。Stratechery.com分析師本·湯普森(Ben Thomp
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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