首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> dram

LPDDR4出貨比例成為DRAM廠獲利關(guān)鍵

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新調(diào)查顯示，2015年第一季起智慧型手機(jī)出貨積弱不振，季衰退幅度高達(dá)9.2%。盡管第二季展望國(guó)際大廠蘋果(Apple)與三星(Samsung)出貨相對(duì)穩(wěn)健，然而智慧型手機(jī)在中國(guó)通路的庫(kù)存水位仍高，在第二季將持續(xù)庫(kù)存去化的情況下，較難看到大幅的出貨成長(zhǎng)。第二季全球智慧型手機(jī)預(yù)估季成長(zhǎng)6.8%，中國(guó)地區(qū)(含中國(guó)品牌外銷國(guó)外)部分為14.8%，遠(yuǎn)低于過(guò)往兩年動(dòng)輒25%以上的季成長(zhǎng)。 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2
  • 關(guān)鍵字： LPDDR4  DRAM  

智能機(jī)/平板需求帶動(dòng)Mobile DRAM飛躍成長(zhǎng)

  • 　　智慧型手機(jī)與平板電腦快速普及，正帶動(dòng)行動(dòng)式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(Mobile DRAM)需求水漲船高，其中智慧型手機(jī)每年所采用的Mobile DRAM數(shù)量，更占全球總出貨量近八成比重，是最主要的應(yīng)用及成長(zhǎng)來(lái)源。 　　近年來(lái)，行動(dòng)裝置產(chǎn)品因具有高功能性、便利性且兼具時(shí)尚感，成為全球最熱門電子產(chǎn)品，因而驅(qū)動(dòng)其關(guān)鍵零組件行動(dòng)式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(Mobile DRAM)需求快速成長(zhǎng)，使之成為DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主流。本文將針對(duì)Mobile DRAM的應(yīng)用面及市場(chǎng)發(fā)展性進(jìn)行探討。 　　挺進(jìn)手機(jī)/平板市場(chǎng)　Mo
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

新舊交替啟動(dòng)，今年移動(dòng)式存儲(chǔ)器價(jià)格料趨穩(wěn)

  • 　　TrendForce最新調(diào)查顯示，2015年第一季起智慧型手機(jī)出貨積弱不振，季衰退幅度高達(dá)9.2%，盡管第二季展望國(guó)際大廠蘋果與三星出貨相對(duì)穩(wěn)健，然而，智慧型手機(jī)在中國(guó)通路的庫(kù)存水位仍高，在第二季度將持續(xù)庫(kù)存去化下，較難看到大幅的出貨成長(zhǎng);第二季全球智慧型手機(jī)預(yù)估季成長(zhǎng)6.8%，中國(guó)地區(qū)(含中國(guó)品牌外銷國(guó)外)部分為14.8%，遠(yuǎn)低于過(guò)往兩年動(dòng)輒25%以上的季成長(zhǎng)。 　　TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2015年行動(dòng)式存儲(chǔ)器價(jià)格走勢(shì)趨于穩(wěn)定;目前行動(dòng)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  LPDDR4  

DRAM止跌 華亞科受惠

  • 　　DRAM大廠推升制程造成部分產(chǎn)能產(chǎn)出受影響的效應(yīng)逐步發(fā)酵，由于市場(chǎng)供給量降低，帶動(dòng)DRAM價(jià)格止跌，集邦科技統(tǒng)計(jì)近四日主流DDR3 4Gb力守3美元整數(shù)關(guān)卡，蓄勢(shì)反彈，有助南亞科(2408)、華亞科營(yíng)運(yùn)。 　　由于市場(chǎng)供給縮減、報(bào)價(jià)止跌，美國(guó)記憶體晶片指標(biāo)廠美光上周五(17日)股價(jià)不畏美股重挫279點(diǎn)，上演逆轉(zhuǎn)行情，尾盤逆勢(shì)收紅，以28.02美元作收，小漲0.01元，持續(xù)站穩(wěn)各均線，透露市場(chǎng)資金回流。 　　國(guó)際投資機(jī)構(gòu)陸續(xù)對(duì)DRAM市況翻多，美國(guó)知名財(cái)經(jīng)網(wǎng)站巴隆(Barron`s.com)近日則引
  • 關(guān)鍵字： DRAM  華亞科  

傳京東方進(jìn)軍存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，看起來(lái)很美好？

  • 　　近日，有韓國(guó)媒體“中央日?qǐng)?bào)日文版”報(bào)道，我國(guó)液晶面板廠京東方 (BOE)有意進(jìn)軍存儲(chǔ)器芯片行業(yè)，引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注。受到《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布以及國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立等利好政策的助推，今年以來(lái)包括存儲(chǔ)芯片在內(nèi)的集成電路產(chǎn)業(yè)，熱度不斷升高，據(jù)悉積極爭(zhēng)取設(shè)立DRAM廠的地方政府已達(dá)6家。由于全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正處于轉(zhuǎn)型期，加之市場(chǎng)廣闊，即使行業(yè)已趨于高度壟斷，如果政策到位、措施得當(dāng)，未來(lái)中國(guó)切入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，依然存在機(jī)會(huì)。 　　中國(guó)積極介入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè) 　　“作為
  • 關(guān)鍵字： 京東方  DRAM  

SK海力士全面進(jìn)入20納米級(jí)DRAM時(shí)代

  • 　　SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級(jí)DRAM，全面進(jìn)入20納米級(jí)生產(chǎn)時(shí)代。據(jù)了解，SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM，不過(guò)到2015年第1季，生產(chǎn)效率比30納米級(jí)制程更高的25納米DRAM制程比例，已高達(dá)全體生產(chǎn)的82%。 　　韓媒Digital Times報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止，約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%，但從2015年第1季開(kāi)始已全面轉(zhuǎn)進(jìn)20納米級(jí)制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30納米級(jí)
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

Gartner:2014年全球營(yíng)收前10大半導(dǎo)體廠商

  • 　　國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu) Gartner 最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果顯示， 2014年全球半導(dǎo)體營(yíng)收總金額達(dá)3,403億美元，較2013年的3,154億美元增加7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合計(jì)之營(yíng)收成長(zhǎng)11.7%，高于業(yè)界整體成長(zhǎng)率。前25大半導(dǎo)體廠占整體市場(chǎng)營(yíng)收72.4%，亦高于2013年的69.9%。 　　Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“2014年各類元件皆呈正成長(zhǎng)，不似2013年時(shí)，特殊應(yīng)用積體電路(ASIC)、離散元件(discrete)與微組件(microcompone
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  DRAM  

半導(dǎo)體去年成長(zhǎng) DRAM逾3成最猛

  • 　　研究機(jī)構(gòu)Gartner公布最新半導(dǎo)體統(tǒng)計(jì)，去年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收金額達(dá)3403億美元，較2013年3154億美元增加7.9%，以記憶體連續(xù)2年最高，表現(xiàn)最好，其中DRAM去年成長(zhǎng)32%，創(chuàng)下歷史新高。 　　Gartner統(tǒng)計(jì)，去年半導(dǎo)體營(yíng)收前3名仍是英特爾、三星與高通，分別為523億美元、347億美元與192.9億美元，市占率為15.4%、10.2%與5.7%;前10名名單都與前年一樣，僅有名次小幅變動(dòng)。 　　英特爾三星高通前3名 　　經(jīng)過(guò)連2年衰退后，英特爾因個(gè)人電腦生產(chǎn)復(fù)蘇而重回成長(zhǎng)，年?duì)I收增
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

威剛3月?tīng)I(yíng)收跳增51％，Q2 DRAM需求估回溫

  • 　　記憶體模組大廠威剛(3260)公布3月?tīng)I(yíng)收為20.72億元，比2月谷底跳增51%。今年第一季合并營(yíng)收為54.52億元，年減24.62%，公司預(yù)期通路庫(kù)存到底，第二季DRAM需求將逐步回溫。 　　威剛表示，由于PC淡季持續(xù)，DRAM比重仍與2月相當(dāng)，維持在38%左右;固態(tài)硬碟(SSD)出貨量及銷售金額再創(chuàng)新高，月?tīng)I(yíng)收貢獻(xiàn)達(dá)25%，累計(jì)今年第一季SSD營(yíng)業(yè)額已近全公司營(yíng)業(yè)額25%，年增率并超越50%。 　　威剛今年第一季產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面，DRAM由去年同期的55%降至41%，SSD比重則倍增為非DRAM產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 威剛  DRAM  

韓企去年全球DRAM市占率創(chuàng)新高

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Technology發(fā)布的資料顯示，三星電子和SK海力士去年全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)的市占率總和達(dá)67.7%，是自2001年開(kāi)始對(duì)DRAM市占率進(jìn)行全面統(tǒng)計(jì)以來(lái)的最高韓企市占率。 　　其中，三星電子的市占率為40.4%，高踞首位;SK海力士占27.4%，居次。美國(guó)企業(yè)美光(Micron)半導(dǎo)體的市占率為24.6%，位列第三。 　　目前，全球DRAM市場(chǎng)形成三星電子、SK海力士和美光半導(dǎo)體鼎足而三的局面，三家公司的市占率場(chǎng)總和超過(guò)九成。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

世界半導(dǎo)體市場(chǎng)有望反彈，增速放緩

  • 　　自上世紀(jì)50年代末集成電路問(wèn)世以來(lái)，應(yīng)用不斷擴(kuò)張，在電子產(chǎn)品中的含量日益提高，市場(chǎng)也隨之接連增長(zhǎng)，上世紀(jì)80年代是世界集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)最快的十年，年均增長(zhǎng)率創(chuàng)歷史最高，接近17%，1989年達(dá)428億美元(見(jiàn)圖1)。這時(shí)期正是IBM的PC上市并獲得大發(fā)展的時(shí)代，對(duì)產(chǎn)品所用MPU，特別是DRAM需求十分殷切。迨至90年代，Intel和AMD在MPU方面開(kāi)展了激烈的競(jìng)爭(zhēng)以提高其功效，與此同時(shí)微軟公司也每二三年發(fā)布一套新的操作系統(tǒng)，從而大大促進(jìn)了DRAM的應(yīng)用，以便使PC系統(tǒng)能有效地工作，這一時(shí)代的世界集成
  • 關(guān)鍵字： DRAM  集成電路  半導(dǎo)體  MPU  201504  

半導(dǎo)體成長(zhǎng)7.9% DRAM最佳

  • 　　全球半導(dǎo)體去年總產(chǎn)值達(dá)3403億美元，年增7.9%;其中，以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)表現(xiàn)最佳，成長(zhǎng)達(dá)32%。 　　據(jù)國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)統(tǒng)計(jì)，去年半導(dǎo)體各類元件都呈正成長(zhǎng);記憶體市場(chǎng)連續(xù)第2年表現(xiàn)最佳，年增達(dá)16.6%，當(dāng)中又以DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)最突出，產(chǎn)值達(dá)461億美元，年增32%，并創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 　　英特爾(Intel)在經(jīng)過(guò)連續(xù)2年業(yè)績(jī)衰退后，去年因個(gè)人電腦生產(chǎn)復(fù)蘇，順利止跌回升，營(yíng)收達(dá)523.31億美元，年增7.7%，全球市占率略降至15.4%，不過(guò)，連續(xù)第
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  DRAM  

美光 2015 年 Q2 財(cái)測(cè)遜于預(yù)期，股價(jià)恐創(chuàng) 1 年來(lái)最低

  • 　　美國(guó)記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)于 1 日美股盤后公布 2015 會(huì)計(jì)年度第 2 季(截至 2015 年 3 月 5 日為止)財(cái)報(bào)：營(yíng)收年增 1%(季減 9%)至 41.7 億美元;本業(yè)每股盈余自前一季的 0.97 美元降至 0.81 美元。根據(jù)彭博社的調(diào)查，分析師原先預(yù)期美光第 2 季營(yíng)收、本業(yè)每股盈余各為 41.5 億美元、0.73 美元。美光財(cái)報(bào)雖優(yōu)于預(yù)期，但 1% 的營(yíng)收增幅是兩年來(lái)最差的成績(jī)。 　　   　　取自官網(wǎng) 　　(Sour
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM   

大陸六地競(jìng)逐蓋DRAM廠,最快三年影響產(chǎn)業(yè)

  • 　　今年3月中國(guó)武岳峰資本宣布以6.4億美元并購(gòu)在美國(guó)上市的芯成半導(dǎo)體后，中國(guó)政府正式向全世界宣布要進(jìn)軍半導(dǎo)體領(lǐng)域。TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)顯示，2014年中國(guó)市場(chǎng)的DRAM消化量金額為102億美金，占全球營(yíng)業(yè)額約20%，其龐大內(nèi)需就足以撐起中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，而美國(guó)芯成半導(dǎo)體的整并，只是中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的開(kāi)端。DRAMeXchange表示，目前有六個(gè)地方政府積極爭(zhēng)取設(shè)立DRAM廠，而中國(guó)中央政府將會(huì)選出其中一個(gè)地方政府設(shè)廠，整合上游廠商發(fā)展出具中國(guó)自有的技
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

力晶打造物聯(lián)網(wǎng)iRAM芯片　轉(zhuǎn)型之路避開(kāi)臺(tái)積電

  • 　　力晶成功轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，更瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)商機(jī)推出iRAM解決方案，整合嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、ARM架構(gòu)處理器芯片和通訊技術(shù)成為SoC整合型芯片，預(yù)計(jì)下半年出貨，全面擁抱物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨。 　　力晶現(xiàn)在渾身上下都是“晶圓代工魂”，DRAM產(chǎn)品對(duì)力晶而言只是眾多布局的一小塊，除了繼續(xù)替臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司晶豪、鈺創(chuàng)、力積等代工SDRAM芯片，以及協(xié)助存儲(chǔ)器模組大廠金士頓(Kingston)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片外，力晶旗下的12吋晶圓廠已經(jīng)全面擁抱晶圓代工產(chǎn)品線。
  • 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  DRAM  
共1824條 45/122 |‹ « 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 » ›|

dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]

熱門主題

SDRAM-Based    樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473